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作者:[195p4r] 發(fā)布時間:[2024-05-21 03:39:12]

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  硅碳棒元件在1000℃以上長期使用能與氧氣和水蒸氣發(fā)生如下作用:  ①SiC+2O2→SiO2+CO2②SiC+4H2O=SiO2+4H2+CO2  致使元件中SiO2含量逐漸增多,,電阻隨之緩慢增加,,為之老化。如水蒸氣過多,,會促進SiC氧化,,由②式反應產(chǎn)生的H2與空氣中的O2結(jié)合H2O再反應產(chǎn)生惡性循環(huán)。降低元件壽命,。(H2)能使元件機械強度降低,。氮氣(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化1350℃以上與SiC發(fā)生反應,使SiC分解(Cl2)能使Sic分解,。

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線性掃描伏安法的掃描范圍為-1.0~1.0V,,掃描速度為5mV/s;電化學阻抗譜是在光照下開路條件下測定,M-S曲線是在黑暗下頻率為1.0kHz時測量,。移取一定體積的0.2mol/L的Na2SO3溶液至光電化學池中,,并將電極浸沒到溶液中,嚴格密封,,用氬氣將化學池中的空氣排凈,。在500WXe燈照射(輻照強度校準為100mW/cm2)、1.23V(相對可逆氫電極)偏壓下進行析氫實驗,。每隔30min抽取0.5mL氣體打入氣相色譜儀中分析H2產(chǎn)量,。樣品的SEM圖如圖1所示。從圖1(a)中可以看出,,所制備BiOI樣品呈鱗片狀交錯分布,,鱗片尺寸為1~2μm,非單晶體,,由眾多細小的納米粒子構(gòu)成,。從圖1(b)中可以看出,,當引入過量的源并經(jīng)熱處理后,BOI可以轉(zhuǎn)化為BiVO4,,BiVO4納米多孔膜是由粒徑為200~500nm的納米顆粒連接而成,,該結(jié)構(gòu)使得電極與電解液間有充足的接觸區(qū)域,從而提供大量的活性位點,,縮短了載流子的擴散路徑,,有利于實現(xiàn)較好的PEC性能。

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式中:σ為膜的電導率,,S/cm,;L為兩電極之間的距離,cm,;R為膜電阻,,Ω;S為與電極垂直方向的膜的有效截面積,,cm2,。將全部膜樣品裁剪成3 cm×3.5 cm的尺寸并組裝成膜電極:膜樣品放置在兩片氣體擴散電極(GDE)之間,電極兩側(cè)Pt擔量都為0.3 mg/cm2,,再將其置于兩片聚酯框之間,,于140 ℃先預熱30 s,再于0.05 MPa熱壓2 min,,得到膜電極(MEA),,其有效面積為5 cm2。后將MEA與石墨流場,、密封墊和金屬端板用螺栓固定組裝成單電池,。電池極化性能測試在自制評價臺上完成,燃料為純,,氧化劑為純氧氣,,電池的測試條件均為:陰陽極氣體的操作背壓都為0.05 MPa;流量為100 mL/min,,氧氣流量為200 mL/min,;電池運行溫度為65 ℃,和氧氣的增濕罐都為65 ℃,。將電池充分活化后,,再利用菊水電子負載K030測試電池的極化性能,。采集電池極化曲線數(shù)據(jù)后,將電池在一定電流密度穩(wěn)定一段時間,,然后進行交流阻抗測試(EIS),,采用電壓擾動模式,交流擾動(AC)信號為10 mV,,直流擾動(DC)信號為0 V,,頻率范圍為1 Hz~10 kHz。

  導熱系數(shù):卡/米·小時·度,?! 【€膨脹系數(shù):5×10-6(1/℃)?! 」杼及粲辛己玫幕瘜W穩(wěn)定性,,抗酸能力強。在高溫條件下堿性物質(zhì)對其有侵蝕作用,。