定義與特性
負性光刻膠是一種在曝光后,，未曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形,。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強,、工藝簡單,、成本低，但分辨率較低（通�,！�1μm）,，主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景,。
化學組成與工作原理
主要成分
基體樹脂：
早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主,，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性,。
光敏劑：
主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物,，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應,。
交聯(lián)劑：
如六亞甲基四胺（烏洛托品）,，在曝光后與樹脂發(fā)生交聯(lián)，形成不溶性網(wǎng)狀結構,。
溶劑：
多為有機溶劑（如二甲苯,、環(huán)己酮），溶解樹脂和光敏劑,，涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜,。
工作原理
曝光前：光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹脂中，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）,。
曝光時：
光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產(chǎn)生活性自由基,，引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂分子間的共價鍵交聯(lián)，使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結構,。
顯影后：
未曝光區(qū)域的樹脂因未交聯(lián),，被顯影液溶解去除，曝光區(qū)域保留,，形成負性圖案（與掩膜版相反）,。
吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環(huán)保光刻膠,。吉林PCB光刻膠供應商
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板,、負性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領域的需求,。
厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好,，符合歐盟 ROHS 標準，保質(zhì)期 1 年,。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,，如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好,，曝光靈敏度高，光源適應,，重量 100g,。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域,。
正性光刻膠
吉林PCB光刻膠供應商松山湖半導體材料廠家吉田,，全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!
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LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光、高分辨率,、良好涂布和附著力,，重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,，確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉移和良好涂布效果,。
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半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性,，重量 100g。主要用于半導體制造工藝,，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求,。
企業(yè)定位與資質(zhì)
成立背景：深耕半導體材料行業(yè)23年，位于松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū),，注冊資本2000萬元,，是國家高新技術企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè),。
質(zhì)量體系：通過ISO9001:2008認證,，嚴格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理,，原材料源自美國、德國,、日本等國,，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。
市場布局：產(chǎn)品遠銷全球,，與世界500強企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長期合作關系,，覆蓋集成電路、顯示面板,、先進封裝等領域,。
企業(yè)優(yōu)勢
研發(fā)能力：擁有多項專利證書，自主研發(fā)芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品,，配備全自動化生產(chǎn)設備，具備從材料合成到成品制造的全流程能力,。
產(chǎn)能與品控：采用進口原材料和嚴格制程管控，確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標準（如半導體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb）,，良率達99%以上,。
市場與客戶優(yōu)勢：全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網(wǎng)絡
產(chǎn)品遠銷全球，與三星,、LG,、京東方等世界500強企業(yè)建立長期合作，在東南亞,、北美市場市占率超15%,。
區(qū)域市場深耕
依托東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，與華為,、OPPO等本土企業(yè)合作,，在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求,。
產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢：原材料與設備協(xié)同
主要原材料自主化
公司自主生產(chǎn)光刻膠樹脂,、光引發(fā)劑，降低對進口依賴,，成本較國際競品低20%,。
設備與工藝協(xié)同
與國內(nèi)涂膠顯影設備廠商合作，開發(fā)適配國產(chǎn)設備的光刻膠配方,，提升工藝兼容性,。
負性光刻膠生產(chǎn)廠家。
客戶認證：從實驗室到產(chǎn)線的漫長“闖關”
驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測試）,、STR（小試）,、MSTR（中批量驗證）等階段,，周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證,。試錯成本極高，單次晶圓測試費用超百萬元,，且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,，通常不愿更換供應商。
設備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機,、涂膠顯影機等設備高度匹配,。國內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源，只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證,，導致研發(fā)效率低下,。例如，華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,，性能參數(shù)難以對標國際,。
光刻膠的技術挑戰(zhàn)現(xiàn)在就是需要突破難關！福州制版光刻膠供應商
光刻膠生產(chǎn)工藝流程與應用,。吉林PCB光刻膠供應商
原料準備
主要成分：樹脂（成膜劑,，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）,、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物,，如重氮萘醌、光刻膠單體）,、溶劑（溶解成分,，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調(diào)節(jié)粘度,、感光度,、穩(wěn)定性等，如表面活性劑,、穩(wěn)定劑）,。
原料提純：對樹脂、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上）,，避免雜質(zhì)影響光刻精度,。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環(huán)境,，如萬中通過攪拌機均勻混合,，形成膠狀溶液。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度,，避免氣泡產(chǎn)生或成分分解,。
過濾與純化
使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾,，去除顆粒雜質(zhì)（如金屬離子、灰塵）,，確保膠液潔凈度,，避免光刻時產(chǎn)生缺陷。
性能檢測
物理指標：粘度,、固含量,、表面張力、分子量分布等,，影響涂布均勻性,。
化學指標：感光度、分辨率,、對比度,、耐蝕刻性，通過曝光實驗和顯影測試驗證,。
可靠性：存儲穩(wěn)定性（常溫/低溫保存下的性能變化）,、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。
包裝與儲存
在惰性氣體（如氮氣）環(huán)境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐）,，防止感光劑氧化或光分解,。
儲存條件：低溫（5-10℃）、避光,、干燥,，部分產(chǎn)品需零下環(huán)境（如EUV光刻膠）,。
吉林PCB光刻膠供應商
