廣東吉田半導體材料有限公司成立于 2023 年，總部位于東莞松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),，注冊資本 2000 萬元。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè),，公司專注于半導體材料的研發(fā),、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠,、LCD 光刻膠,、納米壓印光刻膠、半導體錫膏,、焊片及靶材等領域,。其光刻膠產(chǎn)品以高分辨率、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱,，廣泛應用于芯片制造,、顯示面板及精密電子元件生產(chǎn)。
公司依托 23 年行業(yè)經(jīng)驗積累,，構(gòu)建了完整的技術(shù)研發(fā)體系,，擁有全自動化生產(chǎn)設備及多項技術(shù)。原材料均選用美國,、德國,、日本進口的材料，并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系認證,，生產(chǎn)流程嚴格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理標準,，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性與一致性,。目前,，吉田半導體已與多家世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作，產(chǎn)品遠銷全球市場,，致力于成為半導體材料領域的企業(yè),。
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化學反應：
正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解,，生成羧酸,，在堿性顯影液中溶解；
負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。
5. 顯影（Development）
顯影液：
正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH）,，溶解曝光區(qū)域；
負性膠：有機溶劑（如二甲苯,、醋酸丁酯）,，溶解未曝光區(qū)域。
方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體）,，時間30秒-2分鐘,，需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘（Post-Bake）
目的：固化膠膜,，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性,。
條件：
溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）,；
時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）,。
7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）
蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅,、金屬,、玻璃）；
離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域,，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）,。
8. 去膠（Strip）
方法：
濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域,，無殘留）,。
福建油性光刻膠品牌光刻膠新興及擴展應用,。
晶圓制造（前道工藝）
功能：在硅片表面形成高精度電路圖形,，是光刻工藝的主要材料。
細分場景：
邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）,、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm）,，以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發(fā)中）,。
功率半導體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm）,，滿足深溝槽刻蝕需求。
MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)（如加速度計,、陀螺儀的懸臂梁）,。
芯片封裝（后道工藝）
先進封裝技術(shù)：
Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。
2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中,，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）,。
技術(shù)研發(fā)：從配方到工藝的經(jīng)驗壁壘
配方設計的“黑箱效應”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數(shù)萬次實驗優(yōu)化,。例如,，ArF光刻膠需在193nm波長下實現(xiàn)0.1μm分辨率，其光酸產(chǎn)率,、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機性能,。日本企業(yè)通過數(shù)十年積累形成的配方數(shù)據(jù)庫，國內(nèi)企業(yè)短期內(nèi)難以突破,。
工藝控制的極限挑戰(zhàn)
光刻膠生產(chǎn)需在百級超凈車間進行,，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內(nèi)企業(yè)在“吸附一重結(jié)晶一過濾一干燥”耦合工藝上存在技術(shù)短板,，導致產(chǎn)品批次一致性差,。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產(chǎn)線驗證,，但量產(chǎn)良率較日本同類型產(chǎn)品低約15%,。
EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作，傳統(tǒng)有機光刻膠因吸收效率低,、熱穩(wěn)定性差面臨淘汰,。國內(nèi)企業(yè)如久日新材雖開發(fā)出EUV光致產(chǎn)酸劑，但金屬氧化物基光刻膠（如氧化鋅）的納米顆粒分散技術(shù)尚未突破,，導致分辨率只達10nm,，而國際水平已實現(xiàn)5nm。
吉田質(zhì)量管控與認證壁壘,。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,，主要涵蓋厚板、負性,、正性,、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求,。
厚板光刻膠：JT-3001 型號,，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好,，符合歐盟 ROHS 標準,，保質(zhì)期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,，如特定電路板制造,。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好，曝光靈敏度高,，光源適應,，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工,、半導體制造等領域,。
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負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率,、良好的對比度和高曝光靈敏度,，光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,，如半導體器件制造,。
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耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性,。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,，如特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。
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產(chǎn)品優(yōu)勢：多元化布局與專業(yè)化延伸
全品類覆蓋
吉田產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠,、半導體錫膏等,，形成“光刻膠+配套材料”的完整產(chǎn)品線。例如：
芯片光刻膠：覆蓋i線,、g線光刻膠,，適用于6英寸、8英寸晶圓制造,。
納米壓印光刻膠：用于MEMS,、光學器件等領域，替代傳統(tǒng)光刻工藝,。
專業(yè)化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠,，計劃2025年啟動研發(fā)，目標進入中芯國際,、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質(zhì)量與生產(chǎn)優(yōu)勢：嚴格品控與自動化生產(chǎn)
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認證,，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,，原材料采用美,、德、日進口高質(zhì)量材料,，確保產(chǎn)品批次穩(wěn)定性,。
質(zhì)量指標：光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%,。
自動化生產(chǎn)能力
擁有行業(yè)前列的全自動化生產(chǎn)線,，年產(chǎn)能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付,。
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