技術(shù)挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導(dǎo)體,、顯示面板等高級制造的材料，其技術(shù)挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化,、制程精度匹配,、復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性以及產(chǎn)業(yè)自主化突破等方面
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高分辨率：隨著半導(dǎo)體制程向3nm、2nm推進,，需開發(fā)更高精度的EUV光刻膠,，解決光斑擴散,、線寬控制等問題。
靈敏度與穩(wěn)定性：平衡感光速度和圖案抗蝕能力,，適應(yīng)極紫外光（13.5nm）的低能量曝光,。
國產(chǎn)化替代：目前光刻膠（如EUV、ArF浸沒式）長期被日本,、美國企業(yè)壟斷,，國內(nèi)正加速研發(fā)突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,，是支撐微電子產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”材料之一,。
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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD 光刻膠,、厚膜光刻膠及水性光刻膠等，覆蓋芯片制造,、顯示面板,、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商,。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,，支持納米級精度圖案復(fù)制，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,，技術(shù)指標接近國際先進水平,。
水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑，低 VOC 排放,，符合 RoHS 和 REACH 標準,，環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達數(shù)十微米）,，滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求,。
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技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體先進制程：
EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個）,，開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；
極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高,，需厚度控制在50-100nm,，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。
環(huán)保與低成本：
水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠）,，減少VOC排放,；
單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）,。
新興領(lǐng)域拓展：
柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）,、低模量感光膠,，用于可穿戴設(shè)備電路；
光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo),，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。
典型產(chǎn)品與廠商
半導(dǎo)體正性膠：
日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm,，用于12nm制程）,；
美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm，缺陷密度＜5個/cm）,。
PCB負性膠：
中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻,，厚度20-50μm，國產(chǎn)化率超60%,；
日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%,，適用于高可靠性汽車板。
MEMS厚膠：
美國陶氏的SU-8：實驗室常用,，厚度5-200μm,，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；
德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻,，線寬精度±2%,，用于工業(yè)級MEMS制造。
技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細分領(lǐng)域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,，實現(xiàn)了3μm的分辨率,，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,。
技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù),，部分原材料純度達PPT級,。
細分領(lǐng)域技術(shù)先進
納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領(lǐng)域（如量子點顯示、生物芯片）實現(xiàn)技術(shù)突破,，分辨率達3μm,，填補國內(nèi)空缺。
LCD光刻膠：針對顯示面板行業(yè)需求,，開發(fā)出高感光度,、高對比度的光刻膠，適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù),。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認證,，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠，計劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),。
負性光刻膠生產(chǎn)廠家,。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板,、負性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領(lǐng)域的需求,。
厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好,，符合歐盟 ROHS 標準，保質(zhì)期 1 年,。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,，如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好,，曝光靈敏度高，光源適應(yīng),，重量 100g,。常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域,。
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負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,，具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,，光源適應(yīng),。主要應(yīng)用于對光刻精度要求高的領(lǐng)域，如半導(dǎo)體器件制造,。
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耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L,，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,，如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造,。
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吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。浙江油性光刻膠
吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國產(chǎn)替代再迎新進展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,，吉田半導(dǎo)體填補國內(nèi)光刻膠空白,。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm,，適用于 14nm 及以上制程,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。該產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與自主配方,，突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷,。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達 4:1,，性能對標日本信越的 ArF 系列,。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國產(chǎn)芯片制造材料自主化進程,，為國內(nèi)晶圓廠提供高性價比解決方案,。
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