正性光刻膠
YK-300：適用于半導(dǎo)體制造,，具備高分辨率（線寬≤10μm）,、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性,，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,，適配UV光源（365nm/405nm）,。
技術(shù)優(yōu)勢：采用進口樹脂及光引發(fā)劑,，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對絕緣性的嚴苛要求,。
負性光刻膠
JT-1000：負性膠,，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm,，適用于功率半導(dǎo)體,、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）,、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理,。
SU-3：經(jīng)濟型負性膠，性價比高,，適用于分立器件及低端邏輯芯片,，光源適應(yīng)性廣（248nm-436nm）,，曝光靈敏度≤200mJ/cm。
2. 顯示面板光刻膠
LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設(shè)計,，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）,、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造,，支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn),。
水性感光膠JT-1200：環(huán)保型產(chǎn)品，VOC含量<50g/L,，符合歐盟RoHS標準,，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細網(wǎng)點,，主要供應(yīng)京東方,、TCL等面板廠商。
松山湖企業(yè)深耕光刻膠領(lǐng)域二十載,，提供全系列半導(dǎo)體材料解決方案,。合肥水性光刻膠國產(chǎn)廠家
全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠等全品類,，適用于半導(dǎo)體、顯示面板,、MEMS等多個領(lǐng)域,。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求,，支持客戶定制化工藝參數(shù),，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領(lǐng)域表現(xiàn)突出。
技術(shù)亮點：通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系,，實現(xiàn)了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡,，部分指標（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國際主流產(chǎn)品水平。
國產(chǎn)化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產(chǎn)模式,，關(guān)鍵樹脂單體,、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應(yīng)商采購,，同時建立了超純提純工藝（雜質(zhì)含量<1ppm）,，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。此外,，其光刻膠與國內(nèi)主流光刻機（如上海微電子SSA800）,、勻膠顯影機（如盛美上海）的兼容性已通過驗證，縮短客戶工藝調(diào)試周期,。
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光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
半導(dǎo)體制造
功能：在晶圓表面形成微細電路圖案,，作為蝕刻或離子注入的掩膜,。
分類：
正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流,，分辨率高）,。
負性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝,，耐蝕刻性強）,。
技術(shù)演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV,、深紫外DUV,、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程,。
平板顯示（LCD/OLED）
彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層,。
電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,，需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
線路蝕刻：在覆銅板上涂膠,，曝光顯影后保留線路區(qū)域,，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導(dǎo)電線路,。
阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域,，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識,。
LED與功率器件
芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu),，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED：微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化,，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）,。
技術(shù)挑戰(zhàn)：
技術(shù)壁壘：EUV光刻膠,、3nm以下制程材料仍處研發(fā)階段,，光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距（如東京應(yīng)化ArF膠分辨率達14nm）,。
供應(yīng)鏈風險：樹脂,、光引發(fā)劑等原材料自給率不足8%，部分依賴進口（如日本信越化學）,；美國對華技術(shù)封鎖可能影響設(shè)備采購,。
客戶驗證：光刻膠需通過晶圓廠全流程測試,，驗證周期長（1-2年），國內(nèi)企業(yè)在頭部客戶滲透率較低,。
未來展望：
短期（2025-2027年）：KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率預(yù)計提升至10%-15%,，南大光電、上海新陽等企業(yè)實現(xiàn)28nm-7nm制程產(chǎn)品量產(chǎn),，部分替代日本進口,。
中期（2028-2030年）：EUV光刻膠進入中試驗證階段，原材料自給率提升至30%,，國內(nèi)企業(yè)在全球市場份額突破15%,。
長期（2030年后）：實現(xiàn)光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，技術(shù)指標對標國際前列,，成為全球半導(dǎo)體材料重要供應(yīng)商,。
告別顯影殘留！化學增幅型光刻膠助力封裝,。
納米電子器件制造
半導(dǎo)體芯片：在22nm以下制程中,，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）,。
二維材料器件：在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,，通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,，構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器。
納米光子學與超材料
光子晶體與波導(dǎo)：利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)（如光子晶體光纖,、納米級波導(dǎo)彎頭）,，調(diào)控光的傳播路徑，用于集成光路或量子光學器件,。
超材料設(shè)計：在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案（如太赫茲超材料）,，實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控（吸收、偏振轉(zhuǎn)換）,。
聚焦封裝需求,，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù)。河南油性光刻膠供應(yīng)商
厚板光刻膠 JT-3001,，抗深蝕刻,，PCB 電路板制造Preferred！合肥水性光刻膠國產(chǎn)廠家
光刻膠的納米級性能要求
超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊,，避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,，目前商用EUV膠分辨率已達13nm（3nm制程）。
低缺陷率：納米級結(jié)構(gòu)對膠層中的顆�,；蚧瘜W不均性極其敏感,，需通過化學增幅型配方（如酸催化交聯(lián)）提升對比度和抗刻蝕性,。
多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕,、原子層沉積）,，例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向
EUV光刻膠優(yōu)化：解決曝光后酸擴散導(dǎo)致的線寬波動,，開發(fā)含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度,。
無掩膜光刻：結(jié)合機器學習優(yōu)化電子束掃描路徑，直接寫入復(fù)雜納米圖案（如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列）,，縮短制備周期,。
生物基光刻膠：開發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,，用于生物芯片或環(huán)保型納米制造,。
合肥水性光刻膠國產(chǎn)廠家
