EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載,，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm,，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢,？四川鍵合機(jī)

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法,。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。然而,，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積,，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范,。

      imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性,，并且我們將投入大量精力來改善它,。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合,，在這一方面,，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績(jī)。去年,，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍,。今年,，我們正在努力將間距至少降低一半?！?晶片鍵合機(jī)價(jià)格怎么樣EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,，這對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

200,、100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

可選的

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形,，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石

刷的參數(shù)：

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮,，介質(zhì)分配）

自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)

掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作,，達(dá)到蕞高吞吐量,。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。

可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）

EVG®501鍵合機(jī)特征：

獨(dú)特的壓力和溫度均勻性,；

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器,；

靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；

從單芯片到晶圓,；

各種工藝（共晶,，焊料，TLP,，直接鍵合）,；

可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；

可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合,；

開室設(shè)計(jì),，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；

兼容試生產(chǎn),，適合于學(xué)校,、研究所等；

開室設(shè)計(jì),，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù),；

200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；

程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容,。

EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力為20kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴

可選：1E-5mbar

晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ,，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ,；擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能,。

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大,。康興華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題,，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］,，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,，但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,，故其鍵合工藝限制較大,。針對(duì)高級(jí)封裝，MEMS,，3D集成等不同市場(chǎng)需求,，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)鍵合模塊。官方鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,，使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒,。四川鍵合機(jī)

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線,，而是用于集成多個(gè)步驟,。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路,。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前,。

      像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù),。通過熔化附著在元件上的焊球,，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用,。例如,，它們通?？梢栽诰韼C(jī)上購(gòu)買，以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng),。 四川鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是儀器儀表,，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。岱美儀器技術(shù)服務(wù)致力于為客戶提供良好的磁記錄,，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā),，一切以用戶需求為中心,，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,，在儀器儀表深耕多年,，以技術(shù)為先導(dǎo),，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),，打造儀器儀表良好品牌,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)立足于全國(guó)市場(chǎng)，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,，融合前沿的技術(shù)理念,，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。