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代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488

來源: 發(fā)布時間:2024-03-16

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器(MLV),,并廣泛應用于消費設備,如手機,、筆記本電腦、平板電腦,、機頂盒,、LCD電視等,。

特性:

· 極低電容:CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準,每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準,,提供40A(5/50ns)的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準,可承受4A(8/20μs)的浪涌電流

應用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管,。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護,,使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能,。此外,,其固態(tài)硅技術確保了高效、可靠的電源保護,。無論是用于USB,、HDMI、SATA還是其他接口,,ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設備提供堅實的ESD防護屏障,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WPM3021-8/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOP-8,。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488

WPM3401:單P溝道、-30V,、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管,,采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產(chǎn),。這種高密度工藝特別定制于小化導通電阻,。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路,。

其主要特性包括:

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻,,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效,、緊湊和可靠功率管理的應用而設計,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5452EWS72551EA-5/TR 運算放大器 封裝:SOT-23-5L,。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護連接到電源線,、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD),、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應力影響而設計,。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合,。

特性:

· 截止電壓:±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準,提供±30kV(接觸放電)的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準,,提供40A(5/50ns)的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準,,提供10A(8/20μs)的浪涌保護

· 電容:典型值為17.5pF

· 低泄漏電流:典型值為1nA

· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時,典型值為8V,。

· 固態(tài)硅技術

應用:

· 手機

· 計算機和外設:為計算機主板,、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電,、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器,。其瞬態(tài)保護出色,封裝緊湊,,環(huán)保特性強,,廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備,,確保設備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全,。如需詳細信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。

WD3139:高效38V升壓型白色LED驅動器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流,、高效率的LED驅動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅動高達10個串聯(lián)的白色LED,,電流限制為1.2A,,過壓保護為38V??梢詫⒚}沖寬度調(diào)制(PWM)信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光,。該設備以1MHz的固定開關頻率運行,以減少輸出紋波,、提高轉換效率,,并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,,標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素,。

產(chǎn)品特性:

輸入電壓范圍:2.7~5.5V

開路LED保護:38V(典型值)

參考電壓:200mV(±5%)

開關頻率:1MHz(典型值)

效率:高達92%

主開關電流限制:1.2A(典型值)

PWM調(diào)光頻率:5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比:0.5%~100%

應用領域:

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設計的高效驅動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護,,確保LED穩(wěn)定安全,。支持PWM調(diào)光,1MHz開關頻率提升轉換效率并減少輸出紋波,。適用于智能手機,、平板等便攜設備的LED背光或指示燈,。小巧封裝且環(huán)保,是理想選擇,。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WAS4729QB-10/TR 模擬開關/多路復用器 封裝:QFN-10(1.8x1.4)。

RB521C30:肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA


產(chǎn)品特性:

     100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,,能夠處理高達100mA的平均整流正向電流,,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點,,這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,,從而降低了功耗,。

   低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗,。

   小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,,使其適合在空間受限的應用中使用,如便攜式設備和小型電路板,。

應用領域:

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用,。在電路中,它能夠將交流信號轉換為直流信號,,這對于許多電子設備來說都是至關重要的,。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,,如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng),。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM3022-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23,。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5451N

WL2836E09-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L,。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素,。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用:

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之,,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管,。它為各種應用提供了高效,、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點和優(yōu)勢,。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,,它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點,。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力,。因此,,WSB5546N結合了這些特點,提供了一種高效,、可靠且環(huán)保的解決方案,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488

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