ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,，專為保護高速數據接口而設計,。它特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力,。ESD73011N包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護,，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝,，為標準產品,，無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括：
· 截止電壓：5V
· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）
· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）
· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）
· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固態(tài)硅技術
應用領域包括：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ESD73011N為需要高速數據傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商,。 WL2803E30-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2851K
ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產品描述
ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件,，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響,。根據IEC61000-4-2標準,，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護,，并可根據IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流,。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素,。
產品特性
· 反向截止電壓：±5VMax
· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路
· 瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）
· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：20A（5/50ns）
· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：3A（8/20μs）
· 電容：CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏電流：IR<1nAtyp
· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固態(tài)硅技術
應用領域
· 手機
· 平板電腦
· 筆記本電腦
· 其他便攜式設備
· 網絡通信設備
ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,，保護電子設備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機,、平板等便攜式設備,，保護敏感電子組件。高保護能力,、低泄漏和低箝位電壓,，穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W20ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L,。
WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）,。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路,。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的,。
WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計,。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON））,，從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號,，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器,，其中高效率的電源開關是至關重要的,。
此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器,，以確保能量的有效轉換和利用,。作為一款標準產品，WNM2020不僅具有出色的電性能,，還符合環(huán)保要求,，不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性,?？傊琖NM2020是一款高性能,、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管,，非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯系我們,。
ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件,。ESD5641DXX特別為USB端口設計,，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝,。標準產品為無鉛和無鹵素,。
技術特性：
· 反向截止電壓：7.5V~15V
· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs
· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs
· 低鉗位電壓
· 固態(tài)硅技術
應用領域：
· 電源保護
· 電源管理
ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護,。特別適合用于USB端口保護,，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面,，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2851E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L,。
ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數據接口設計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列,。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響,。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管,，以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝,，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求,。
產品特性：
反向截止電壓：5V
根據IEC61000-4-2標準,，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護
根據IEC61000-4-5標準，可承受高達6A（8/20μs）的峰值脈沖電流
低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值,，Vcc=浮動狀態(tài)）,；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）
極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）
低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）
采用固態(tài)硅技術
應用領域：
USB2.0
HDMI1.3
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子產品
筆記本電腦
關于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯系我們,。 WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD54105E
WPM2031-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-723,。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2851K
WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關,，具有負擺幅音頻功能
產品描述：
WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能,，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）,。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作，并設計為先斷后通的操作模式,。選擇輸入與TTL電平兼容,。WAS4729QB還配備了智能電路,，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時,，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用,，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口,，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說,，在實際應用中,，無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝,。標準產品為無鉛且無鹵素,。
產品特性
供電電壓：2.3V~5.5V
極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）
高關斷隔離度：-81dB@1KHz
串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz
軌到軌信號范圍
先斷后通開關
HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV
電源至GND：±5KV
應用領域
手機、PDA,、數碼相機和筆記本電腦
LCD顯示器,、電視和機頂盒
音頻和視頻信號路由
WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計,，適合音頻和視頻信號路由,，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2851K