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規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

來源: 發(fā)布時間:2024-03-22

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器,。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu),無需外部感測電阻和阻斷二極管,。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流,,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,,而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程,。

特性:

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應(yīng)用:

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產(chǎn)品,。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計,,降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電,。充電電壓固定為4.2V,,電流可編程,至高600mA,,適應(yīng)不同電池和充電需求,。充電結(jié)束和電源移除時,自動進入低電流和關(guān)機模式,,降低功耗,。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),,適用于各種電子設(shè)備,。提供可靠,、高效的充電解決方案,。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 ESD5641D12-3/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN-3L(2x2),。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

ESD5341N:單線、單向,、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力,。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,,無鉛且不含鹵素,。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

· 低電容:CJ=1.0pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護的應(yīng)用,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD73211NESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L,。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),,專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω),。此外,,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,,至高可達7.0V,,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何,。WAS3157B還配備了智能電路,,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此,。簡而言之,,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致,。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,,MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 手機

· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備,。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管,。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON),。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的,。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,,專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計,。其采用的先進溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率,。同時,,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號,進一步提高了開關(guān)速度,。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,,其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外,,它還可以用于各種充電電路,,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用,。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,,不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì),。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有的適用性??傊?,WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管,,非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WAS4766C-9/TR 模擬開關(guān) 封裝:WLCSP-9L,。

WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)

產(chǎn)品描述:

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器,專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案,,以實現(xiàn)低靜態(tài)電流,。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平,。WL2815系列設(shè)計用于使用低成本陶瓷電容器,,確保輸出電流的穩(wěn)定性,提高效率,,從而延長這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素,。

產(chǎn)品特性:

靜態(tài)電流:1.5μA(典型值)

輸入電壓:2.1V~5.5V

輸出電壓:1.1V~3.3V

輸出電流:@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流:@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流:@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓:@100mA時為100mV

推薦電容器:1uF或更大

工作溫度:-40°C至+85°C

輸出短路保護

應(yīng)用領(lǐng)域:

MP3/MP4播放器

手機

藍(lán)牙耳機

無線鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的低功耗CMOS穩(wěn)壓器,性能優(yōu)異,,低靜態(tài)電流,,高效能,,延長電池壽命。優(yōu)化設(shè)計,,使用低成本陶瓷電容器,,在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器,、手機,、藍(lán)牙耳機等。緊湊封裝,,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),,是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1),。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84201C

WPM3401-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

ESD5311Z單線,、雙向,、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計,。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),,ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流,。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進行瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計,,極低電容,,出色保護,防止靜電放電損害,。適用于USB,、HDMI等接口,保護敏感組件,。緊湊封裝,,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2183