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中文資料WILLSEMI韋爾ESD63004D

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-25

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),,為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù),。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機(jī),、筆記本電腦,、平板電腦、機(jī)頂盒,、液晶電視等設(shè)備,。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),,它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛,、無鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器,。響應(yīng)迅速,,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設(shè)備,。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。 ESD5471X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾ESD63004D

ESD56151Wxx:電源保護(hù)新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,,是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計(jì),。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護(hù)電路免受過高電壓的損害,。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),,為電路提供強(qiáng)大的浪涌保護(hù),同時(shí)遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),,提供±30kV的ESD保護(hù),。 

     ESD56151Wxx的特點(diǎn)在于其低鉗位電壓設(shè)計(jì),,能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害,。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護(hù)和管理的應(yīng)用場景,,如便攜式電子設(shè)備,、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等,。它能從各方面保護(hù)電源接口,,提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,延長使用壽命,,降低維修和更換成本,。 

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,,并愿意提供樣品供您測試,。如需更多信息或技術(shù)支持,請隨時(shí)聯(lián)系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS3213CWL2810D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:XDFN-4-EP(1x1),。

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,,專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì),。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率,。同時(shí),,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號,進(jìn)一步提高了開關(guān)速度,。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,,其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外,,它還可以用于各種充電電路,,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用,。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,,WNM2020不僅具有出色的電性能,,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì),。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有的適用性,。總之,,WNM2020是一款高性能,、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD73034D四線路,、雙向,、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì),。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),,ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流,。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性:

· 截止電壓:±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3,、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害,。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊,、環(huán)保,。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 ESD5681N07-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:X1-DFN1006-2,。

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷,。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素,。小型SOT-323封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器,、電磁鐵,、電機(jī),、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作,。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱,。同時(shí),,極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WS4612EAA-5/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5621W15

SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-323,。中文資料WILLSEMI韋爾ESD63004D

ESD5311Z單線,、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì),。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力,。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個(gè)TVS二極管,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流,。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素,。

產(chǎn)品特性

截止電壓:5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì),極低電容,,出色保護(hù),,防止靜電放電損害。適用于USB,、HDMI等接口,,保護(hù)敏感組件。緊湊封裝,,適合便攜式設(shè)備,。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD63004D