WSB5546N-肖特基勢壘二極管
特性:
· 低反向電流
· 0.2A平均整流正向電流
· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,,不含鉛和鹵素。
· 快速開關(guān)和低正向電壓降
· 反向阻斷
應(yīng)用:
· 電源管理
· 信號處理
· 電子設(shè)備保護(hù)
總之,,WSB5546N是一款具有低反向電流,、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效,、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,,它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點(diǎn),。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力,。因此,,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效,、可靠且環(huán)保的解決方案,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WD3133E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝:SOT-23-5L,。中文資料WILLSEMI韋爾SPD84152C
WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON),。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的,。
WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計,。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),,從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號,,進(jìn)一步提高了開關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,,其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的,。
此外,它還可以用于各種充電電路,,如電池充電器和太陽能充電器,,以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,,WNM2020不僅具有出色的電性能,,還符合環(huán)保要求,,不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性,??傊琖NM2020是一款高性能,、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,,非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾WHS3844QWMM7040DTHN0-8/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:SMD-8P,3x4mm。
WNM6001:單N溝道,、60V,、0.50A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計,,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷,。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素,。小型SOT-23封裝。
產(chǎn)品特性:
· 槽型技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的ON電阻,,適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器,、電磁閥、電機(jī),、LED等的驅(qū)動器
· DC-DC轉(zhuǎn)換器
· 電路電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)充電
WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇,。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行,。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇,。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī),,或是為LED供電,,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
ESD73034D四線路,、雙向,、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),,ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流,。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性:
· 截止電壓:±3.3VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3,、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0,、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,。緊湊、環(huán)保,。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WL2851E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。
WS3202E:過壓和過流保護(hù)IC
產(chǎn)品描述:
WS3202E是一款集過壓保護(hù)(OVP)和過流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備,。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時,,該設(shè)備會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,,以保護(hù)負(fù)載,。此外,過溫保護(hù)(OTP)功能會監(jiān)控芯片溫度,,確保設(shè)備安全,。封裝形式:SOT-23-6L
產(chǎn)品特性:
· 高壓技術(shù)
· 輸入電壓:25V
· 輸出上電時間:8ms(典型值)
· OVP閾值:6.1V(典型值)
· OVP響應(yīng)時間:<1us
· OCP閾值:2A(最小值)
· 輸出放電功能
應(yīng)用領(lǐng)域:
· GPS設(shè)備
· PMP(便攜式媒體播放器)
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· PAD(平板電腦)
· 數(shù)碼相機(jī)
· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)
WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過壓和過流保護(hù)IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障,。其高壓技術(shù),、快速響應(yīng)時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,,如GPS,、PMP、MID,、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等,。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,,同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WAS4768Q-10/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN-10(1.8x1.4),。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q
ESD5431N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L,。中文資料WILLSEMI韋爾SPD84152C
WNM2021:單N溝道、20V,、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷,。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品,。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD84152C