WPM1481：單P溝道,、-12V,、-5.1A功率MOSFET
產品描述：
WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷,。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路,。標準產品WPM1481為無鉛產品,。小型DFN2*2-6L封裝。
產品特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· 繼電器,、電磁閥,、電機、LED等的驅動器
· DC-DC轉換電路
· 電源開關
· 負載開關
· 充電應用
WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,，專為高電流應用而設計,。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇,。同時,，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產品,，還符合環(huán)保要求,。無論是用于驅動繼電器、電磁閥,、電機還是LED,，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 ESD5302F-3/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-23,。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2154A
ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器
ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）,、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計,。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求,，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合,。
特性：
· 截止電壓：±12V。
· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）
· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）
· 典型電容：CJ=27pF
· 極低泄漏電流：IR=0.1nA
· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時,，VCL=20V,。
· 固態(tài)硅技術：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。
應用：
· 計算機及其外設：如鍵盤,、鼠標,、顯示器等。
· 手機
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ES9DN12BA是一款高效,、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器,，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力,、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇,。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備,，ES9DN12BA都能提供強大的保護,，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5431NWNM4002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-523-3。
RB521C30：肖特基勢壘二極管
· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V
· 直流反向電壓 VR 30 V
· 平均整流正向電流 IO 100 mA
產品特性：
100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力,，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流,，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。
低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點,，這意味著在正向偏置條件下,，它需要的電壓較低，從而降低了功耗,。
低漏電流：RB521C30的漏電流非常低,，這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。
小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板,。
應用領域：
RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用,。在電路中,，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的,。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng),。此外,，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。
WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）,。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路,。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的,。
WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計,。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON））,，從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號,，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器,，其中高效率的電源開關是至關重要的,。
此外，它還可以用于各種充電電路,，如電池充電器和太陽能充電器,，以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品,，WNM2020不僅具有出色的電性能,，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質,。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性,。總之,，WNM2020是一款高性能,、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應用,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。
WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移,、漂移和偏置電流,。其中，WS72551是單放大器,，WS72552是雙放大器,，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作,。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢,。這些新型零漂移放大器結合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器,。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）,。封裝72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8,。
技術特性：偏移電壓只有3μV,，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應用,。溫度,、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設備和應變計放大器在其工作溫度范圍內幾乎無漂移,，因此受益匪淺,。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側和低側感測都變得容易。
應用領域：
溫度傳感器
壓力傳感器
精密電流感測
應變計放大器
醫(yī)療儀器
熱電偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移,、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性,，適用于溫度、壓力,、電流感測等多種應用,，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應用的理想選擇,。如需更多信息,，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L,。中文資料WILLSEMI韋爾WD1305E20
WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝：FBP1608-2L,。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2154A
WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲,、高速,、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,，具有出色的紋波抑制能力,。該系列為手機,、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素,，符合環(huán)保要求。
特點與優(yōu)勢：
· 輸出電流折返
· 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V
· 可調輸出電壓：0.8V至5V
· 輸出電流：300mA
· 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA,，關機電流小于1μA
· 低壓降：在輸出電流為0.3A時,，壓降為141mV。
· 電源抑制比：在1kHz,、輸出電壓為3V時,，PSRR高達70dB
· 低輸出電壓噪聲：典型值為12μVRMS
· 輸出電壓容差：±2%
· 推薦電容器：建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能
· 封裝與環(huán)保：SOT-23-5L
應用領域：
· MP3/MP4播放器
· 手機、無線電話,、數(shù)碼相機
· 藍牙,、無線手持設備
· 其他便攜式電子設備
WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調整,、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,，成為便攜式電子設備的理想電源解決方案。無論是音頻播放,、通信還是無線連接,，它都能為設備提供穩(wěn)定、高效的電源支持,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2154A