WL2803E：極低壓差、500mA,、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差,、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO,。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV,。由于采用CMOS結構,，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網絡應用的理想選擇,。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護（OTP）和限流功能,，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,，并使用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,，并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求,。

產品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應用領域

LCD電視

機頂盒（STB）

計算機和圖形卡

網絡通信設備

其他便攜式電子設備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低,、PSRR高,、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產品和網絡應用,，輸出電壓準確穩(wěn)定,。具備過熱保護和限流功能，增強可靠性,。您如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10,。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL28251D

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計,，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳,。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素,。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護,，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇,。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性,。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們,。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7040DTHN0-8/TRESD5471Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L,。

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線,、低速數據線和控制線的敏感電子組件,，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響,。根據IEC61000-4-2標準,，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）,。ESD5471X采用FBP-02C封裝,。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

反向截止電壓：±5V

根據IEC61000-4-2（ESD）標準,，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力,。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機,、平板、筆記本等便攜式設備及網絡通信設備的理想保護元件,。采用固態(tài)硅技術,，既高性能又緊湊,，方便集成,。詳情請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型,、高可靠性低正向電壓,、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,，它具有一系列出色的特性,，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,，減少了維護和更換的頻率。

    此外,，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性,，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,，如某些電子設備中的電源管理部分,。

    值得注意的是,，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標準,。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強,，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,，也符合了環(huán)保要求,。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化,、高可靠性,、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇,。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師,，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們,。 WNM2030-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管,，采用先進的溝槽技術和設計,，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換,、電源開關和充電電路,。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝,。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管,。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現(xiàn)出色,。采用先進溝槽技術,，提供高密度和低功耗?？焖匍_關操作適用于高頻電源管理,。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環(huán)保要求,。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效,、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們,。 ESD63011N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WL2805N

WS72412S-8/TR 運算放大器 封裝：SOIC-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL28251D

    WS3222是一款具有可調OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關,。當輸入電壓超過閾值時,，該設備將關閉內部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接,，以保護負載,。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓,。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整,，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,，以保護設備,。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素,。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應時間：450ns（典型值）

· 可調OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應用：

· 手機和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB,、OTT（機頂盒、互聯(lián)網電視）

· 汽車DVR,、汽車媒體系統(tǒng)外設

    WS3222是專為現(xiàn)代便攜設備設計的靈活高效過壓保護開關,。其特色在于可調OVLO閾值，為不同應用提供定制化保護,。超快450納秒OVP響應時間確保負載在瞬間過壓下得到保護,。低導通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性,。緊湊封裝適合空間受限應用,，符合環(huán)保標準。如需更多信息,，請查閱數據手冊或聯(lián)系我們,。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL28251D