氮化鋁陶瓷基片（AlN）是新型功能電子陶瓷材料，是以氮化鋁粉作為原料,，采用流延工藝,，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而制成的陶瓷基片。氮化鋁陶瓷基板具有氮化鋁材料的各種優(yōu)異特性,，符合封裝電子基片應(yīng)具備的性質(zhì),，能高效地散除大型集成電路的熱量，是高密度,，大功率,，多芯片組件等半導(dǎo)體器件和大功率，高亮度的LED基板及封裝材料的關(guān)鍵材料,，被認(rèn)為是很理想的基板材料,。較廣應(yīng)用于功率晶體管模塊基板、激光二極管安裝基板,、半導(dǎo)體制冷器件,、大功率集成電路，以及作為高導(dǎo)熱基板材料在IC封裝中使用,。氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率,、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學(xué)性能,。大連陶瓷氮化硼生產(chǎn)商

氮化鋁陶瓷微觀結(jié)構(gòu)對(duì)熱導(dǎo)率的影響：在實(shí)際應(yīng)用中,，常在AlN中加入各種燒結(jié)助劑來(lái)降低AlN陶瓷的燒結(jié)溫度，與此同時(shí)在氮化鋁晶格中也引入了第二相,，致使熱傳導(dǎo)過(guò)程中聲子發(fā)生散射導(dǎo)致熱導(dǎo)率下降,。添加燒結(jié)助劑引入的第二相會(huì)出現(xiàn)幾種情況：從分布形式來(lái)看,，可分為孤島狀和連續(xù)分布在晶界處；從分布位置來(lái)看,，可分為分布在晶界三角處和晶界其他處,。連續(xù)分布的晶粒可為聲子提供了更直接的通道,，直接接觸AlN晶粒比孤立分布的AlN晶粒具有更高的熱導(dǎo)率,，所以第二相是連續(xù)分布的更好；分布于晶界三角處的AlN陶瓷在熱傳導(dǎo)過(guò)程中產(chǎn)生的干擾散射較少,，而且能夠使AlN晶粒間保持接觸,，故而第二相分布在晶界三角處更好。此外,，晶界相若分布不均勻,，會(huì)導(dǎo)致大量的氣孔存在，阻礙聲子的散射,，導(dǎo)致AlN的熱導(dǎo)率下降,，晶界含量、晶界大小以及氣孔率對(duì)熱導(dǎo)率的表現(xiàn)也有一定的影響,。因此,，在AlN陶瓷的燒結(jié)過(guò)程中，可以通過(guò)改善燒結(jié)工藝的途徑,，如提高燒結(jié)溫度,、延長(zhǎng)保溫時(shí)間、熱處理等,，改善晶體內(nèi)部缺陷,，盡可能使第二相連續(xù)分布以及位于三叉晶界處，從而提高氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率,。蘇州微米氮化鋁生產(chǎn)商成型工藝是陶瓷制備的關(guān)鍵技術(shù),，是提高產(chǎn)品性能和降低生產(chǎn)成本的重要環(huán)節(jié)之一。

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料,，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性,，可靠的電絕緣性，低的介電常數(shù)和介電損耗,，無(wú)毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性,，被認(rèn)為是新一代高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件的理想封裝材料。另外,，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導(dǎo)體材料砷化鎵的坩堝,、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護(hù)管、高溫絕緣件,，同時(shí)可作為耐高溫耐腐蝕結(jié)構(gòu)陶瓷,、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有較廣應(yīng)用前景的無(wú)機(jī)材料,。陶瓷的透明度,，一般指能讓一定的電磁頻率范圍內(nèi)的電磁波通過(guò)，如紅外頻譜區(qū)域中的電磁波若能穿透陶瓷片,，則該陶瓷片為紅外透明陶瓷,。純凈的AlN陶瓷為無(wú)色透明晶體，具有優(yōu)異的光學(xué)性能,，可以用作制造電子光學(xué)器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層,。因此，氮化鋁陶瓷在方面具有很好的應(yīng)用,。

具有優(yōu)良的耐磨損性能,，可用作研磨材料和耐磨損零件，但由于造價(jià)高,，只能用于磨損嚴(yán)重的部位,。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包裹AlN涂層，可以提高其抗氧化,、耐磨的性能,；也可以用作防腐蝕涂層,，如腐蝕性物質(zhì)的處理器和容器的襯里等,。純度高、致密度高,、氣孔率少的氮化鋁陶瓷呈透明狀,，可用來(lái)制作電子光學(xué)器件。也可用作雷達(dá)和紅外線的透過(guò)材料,，因此,，在**方面同樣具有良好的發(fā)展。氮化鋁陶瓷同樣可以用來(lái)制作納米陶瓷管,，可以用在發(fā)熱板,，作載熱材料，在微電子工業(yè)用途范圍較廣,。利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,，可制作Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件,。

氮化鋁膜是指用氣相沉積,、液相沉積、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 ,。氮化鋁膜在微電子和光電子器件,、襯底材料,、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景,。由于它的聲表面波速度高,，具有壓電性，可用作聲表面波器件,。此外,，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能，可用作防護(hù)膜,。氮化鋁膜很早用化學(xué)氣相沉積(CVI)制備,，其沉積溫度高達(dá)1000攝氏度以上。后來(lái),，通過(guò)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,，或用物相沉積((PVD)方法，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下,、甚至可以在接近室溫條件下沉積,。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶，但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長(zhǎng)制成單晶氮化鋁膜,。此外,，也曾沉積出非晶氮化鋁膜。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學(xué)性能和力學(xué)穩(wěn)定性的高分子材料,，它固化方便,，收縮率低。大連陶瓷氮化硼生產(chǎn)商

提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：加入適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑,，可促進(jìn)氮化鋁陶瓷致密化,。大連陶瓷氮化硼生產(chǎn)商

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物,，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu),，屬六方晶系?；瘜W(xué)組成 AI 65.81%,，N 34.19%，比重3.261g/cm3,，白色或灰白色,，單晶無(wú)色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃,。為一種高溫耐熱材料,。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍,，所以耐熱沖擊好,，能耐2200℃的極熱。此外,，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性,，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標(biāo)：各種電性能(介電常數(shù),、介質(zhì)損耗,、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良,；機(jī)械性能好,，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié),；光傳輸特性好,；無(wú)毒。大連陶瓷氮化硼生產(chǎn)商

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