由于具有優(yōu)良的熱,、電,、力學(xué)性能。氮化鋁陶瓷引起了國(guó)內(nèi)外研究者的較廣關(guān)注,，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,，對(duì)所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域得到更為較廣的應(yīng)用！雖然多年來(lái)通過(guò)許多研究者的不懈努力,，在粉末的制備,、成形、燒結(jié)等方面的研究均取得了長(zhǎng)足進(jìn)展,。但就截止2013年4月而言,，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵因素,。為了促進(jìn)氮化鋁研究和應(yīng)用的進(jìn)一步發(fā)展,，必須做好下面兩個(gè)研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法,！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價(jià)格問(wèn)題,。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會(huì)提高其商品化程度,！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)展前景的粉末合成方法,。二者具有低成本和適合大規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)!研究復(fù)雜形狀的氮化鋁陶瓷零部件的凈近成形技術(shù)如注射成形技術(shù)等。它對(duì)充分發(fā)揮氮化鋁的性能優(yōu)勢(shì).拓寬它的應(yīng)用范圍具有重要意義,！氮化鋁的熱導(dǎo)率主要由晶體缺陷和聲子自身對(duì)聲子散射控制,。高導(dǎo)熱氧化鋁廠家直銷

氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于襯底材料，AlN晶體是GaN,、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底,。與藍(lán)寶石或SiC襯底相比，AlN與GaN熱匹配和化學(xué)兼容性更高,、襯底與外延層之間的應(yīng)力更小,。因此,，AlN晶體作為GaN外延襯底時(shí)可大幅度降低器件中的缺陷密度,，提高器件的性能，在制備高溫,、高頻,、高功率電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。另外,，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度,，極大地提高氮化物半導(dǎo)體器件的性能和使用壽命?；贏lGaN的高質(zhì)量日盲探測(cè)器已經(jīng)獲得成功應(yīng)用,。多孔氮化鋁品牌在空氣中，溫度高于700℃時(shí),，氮化鋁的物質(zhì)表面會(huì)發(fā)生氧化作用,。

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近，導(dǎo)熱率系數(shù)大（170-230W/m?K），絕緣性能優(yōu)異,，可以適應(yīng)SiC的應(yīng)用要求,，是搭載SiC半導(dǎo)體的理想基板材料。以往,，氮化鋁基板主要通過(guò)如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑,、粘合劑、增塑劑,、分散介質(zhì),、脫模機(jī)等添加劑，通過(guò)擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂）,，在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時(shí)的（煅燒）,。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過(guò)上述工藝制備出來(lái)的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性,，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右,。在高溫下具備優(yōu)異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法。通過(guò)該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點(diǎn)：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm,；熱導(dǎo)率為170W/m?K以上,；不含枝狀晶界相；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上,。

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：模壓成型是應(yīng)用很較廣的成型工藝,。其工藝原理是將經(jīng)過(guò)噴霧造粒后流動(dòng)性好的造粒料填充到金屬模腔內(nèi)，通過(guò)壓頭施加壓力,，壓頭在模腔內(nèi)產(chǎn)生移動(dòng),，模腔內(nèi)粉體在壓頭作用力下產(chǎn)生顆粒重排，顆粒間空隙內(nèi)氣體排出,，形成具有一定強(qiáng)度和形狀的陶瓷素坯,。通常壓制的初始階段致密化速率很高，初始階段的壓力通過(guò)顆粒間的接觸,，使包覆有粘結(jié)劑的顆?；瑒?dòng)和重排，當(dāng)進(jìn)一步施壓時(shí),，顆粒變形增加相互間的接觸面,，減少顆粒間的氣孔，氣體在加壓過(guò)程中通過(guò)顆粒間遷移,，很終通過(guò)模具間隙排出,。制備氮化鋁粉末一般都需要較高的溫度，從而導(dǎo)致生產(chǎn)制備過(guò)程中的能耗較高,，同時(shí)存在安全風(fēng)險(xiǎn),。

氮化鋁膜是指用氣相沉積,、液相沉積、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 ,。氮化鋁膜在微電子和光電子器件,、襯底材料、絕緣層材料,、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景,。由于它的聲表面波速度高，具有壓電性,，可用作聲表面波器件,。此外，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能,，可用作防護(hù)膜,。氮化鋁膜很早用化學(xué)氣相沉積(CVI)制備，其沉積溫度高達(dá)1000攝氏度以上,。后來(lái),，通過(guò)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，或用物相沉積((PVD)方法,，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下,、甚至可以在接近室溫條件下沉積。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶,，但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長(zhǎng)制成單晶氮化鋁膜,。此外，也曾沉積出非晶氮化鋁膜,。影響氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的主要因素有晶格的氧含量,、致密度、顯微結(jié)構(gòu),、粉體純度等,。深圳單晶氮化硼銷售公司

結(jié)晶氮化鋁主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑,，造紙施膠沉淀劑,。高導(dǎo)熱氧化鋁廠家直銷

在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4陶瓷抗彎強(qiáng)度很高,，耐磨性好，是綜合機(jī)械性能很好的陶瓷材料,，同時(shí)其熱膨脹系數(shù)很小,，因而被很多人認(rèn)為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復(fù)雜,，成本較高,，熱導(dǎo)率偏低,，主要適合應(yīng)用于強(qiáng)度要求較高但散熱要求不高的領(lǐng)域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常,，尤其是在電子封裝對(duì)熱導(dǎo)率的要求方面,，氮化鋁優(yōu)勢(shì)巨大。不足的是,，較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價(jià)格很高,，這是制約氮化鋁基板發(fā)展的主要問(wèn)題。但是隨著氮化鋁制備技術(shù)的不斷發(fā)展,，其成本必定會(huì)有所降低,，氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領(lǐng)域大面積應(yīng)用指日可待。高導(dǎo)熱氧化鋁廠家直銷

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