氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷,。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物,，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系,?；瘜W(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%,，比重3.261g/cm3,，白色或灰白色，單晶無(wú)色透明,，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料,。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10-6/℃,。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好,，能耐2200℃的極熱,。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性,，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性,。性能指標(biāo)：各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗,、體電阻率,、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；機(jī)械性能好,，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷,，可以常壓燒結(jié)；光傳輸特性好,；無(wú)毒,。氮化鋁具有高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù),、與硅匹配好等特性,，不但用作結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)助劑或增強(qiáng)相。高導(dǎo)熱氮化鋁多少錢(qián)

氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法,，此外還有自蔓延合成法,、高能球磨法、原位自反應(yīng)合成法,、等離子化學(xué)合成法及化學(xué)氣相沉淀法等,。直接氮化法：直接氮化法就是在高溫的氮?dú)鈿夥罩校X粉直接與氮?dú)饣仙傻X粉體,，其化學(xué)反應(yīng)式為2Al(s)+N2(g)→2AlN(s),，反應(yīng)溫度在800℃-1200℃。其優(yōu)點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,，成本較低,，適合工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。其缺點(diǎn)是鋁粉表面有氮化物產(chǎn)生,，導(dǎo)致氮?dú)獠荒軡B透,，轉(zhuǎn)化率低；反應(yīng)速度快,，反應(yīng)過(guò)程難以控制,；反應(yīng)釋放出的熱量會(huì)導(dǎo)致粉體產(chǎn)生自燒結(jié)而形成團(tuán)聚，從而使得粉體顆粒粗化,，后期需要球磨粉碎,，會(huì)摻入雜質(zhì),。嘉興耐溫氮化硼商家氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,，對(duì)酸穩(wěn)定,，但在堿性溶液中易被侵蝕。

提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：選擇合適的燒結(jié)工藝,，微波燒結(jié)：微波燒結(jié)是利用微波與介質(zhì)的相互作用產(chǎn)生介電損耗使坯體整體加熱的燒結(jié)方法,。同時(shí)，微波可以使粉末顆?；钚蕴岣?，有利于物質(zhì)的傳遞。微波燒結(jié)已成為一門(mén)新型的陶瓷燒結(jié)技術(shù),，它利用整體性自身加熱,，使材料加熱的效率提高，升溫速度加快,，保溫時(shí)間縮短,，這有利于提高致密化速度并可以有效抑制晶粒生長(zhǎng)，獲得獨(dú)特的性能和結(jié)構(gòu),。放電等離子燒結(jié)：放電等離子燒結(jié)系統(tǒng)利用脈沖能,、放電脈沖壓力和焦耳熱產(chǎn)生的瞬間高溫場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)燒結(jié)過(guò)程。SPS升溫速度快,、燒結(jié)時(shí)間短,、能在較低溫度下燒結(jié)，通過(guò)控制燒結(jié)組分與工藝能實(shí)現(xiàn)溫度梯度場(chǎng),，可用于燒結(jié)梯度材料及大型工件等復(fù)雜材料,。放電等離子燒結(jié)內(nèi)每個(gè)顆粒均勻的自身發(fā)熱使顆粒表現(xiàn)活化，因而具有很高的熱導(dǎo)率,，可在短時(shí)間內(nèi)使燒結(jié)體致密化,。

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：化學(xué)鍍金屬化法是在沒(méi)有外電流通過(guò)的情況下，利用還原劑將溶液中的金屬離子還原在呈催化活性的物體表面上,，在物體表面形成金屬鍍層,。化學(xué)鍍法金屬化的結(jié)合強(qiáng)度很大程度上依賴(lài)于基體表面的粗糙度,，在一定范圍內(nèi),，基體表面的粗糙度越大，結(jié)合強(qiáng)度越高,；另一方面,，化學(xué)鍍金屬化法的附著性不佳，且金屬圖形的制備仍需圖形化工藝實(shí)現(xiàn),。激光金屬化法利用激光的熱效應(yīng)使AlN表面發(fā)生熱分解,，直接生成金屬導(dǎo)電層,。激光照射到AlN陶瓷表面后，陶瓷表面吸收激光的能量,，表面溫度上升。當(dāng)AlN表面溫度達(dá)到熱分解溫度時(shí),，AlN表面就會(huì)發(fā)生熱分解,，析出金屬鋁。具有成本低,、效率高,、設(shè)備維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，在生產(chǎn)實(shí)踐中得到了較廣的應(yīng)用,。但是,，激光金屬化也同樣面臨著許多問(wèn)題，如：金屬化層表面生成團(tuán)聚物并呈多孔性,，金屬化層的附著性差和金屬厚度不均等,。氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高,，膨脹系數(shù)低,，強(qiáng)度高，耐高溫,，耐化學(xué)腐蝕,，電阻率高，介電損耗小,。

氮化鋁于1877年合成,。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(聚晶體物料為 70-210 W?m?1?K?1,，而單晶體更可高達(dá) 275 W?m?1?K?1 ),，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應(yīng)用于微電子學(xué),。與氧化鈹不同的是氮化鋁無(wú)毒,。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及氧化鈹用于大量電子儀器,。氮化鋁可通過(guò)氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁來(lái)制備,。氮化鋁是一種以共價(jià)鍵相連的物質(zhì)，它有六角晶體結(jié)構(gòu),，與硫化鋅,、纖維鋅礦同形。此結(jié)構(gòu)的空間組為P63mc,。要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級(jí)的物料,。物質(zhì)在惰性的高溫環(huán)境中非常穩(wěn)定,。在空氣中，溫度高于700℃時(shí),，物質(zhì)表面會(huì)發(fā)生氧化作用,。在室溫下，物質(zhì)表面仍能探測(cè)到5-10納米厚的氧化物薄膜,。直至1370℃,，氧化物薄膜仍可保護(hù)物質(zhì)。但當(dāng)溫度高于1370℃時(shí),，便會(huì)發(fā)生大量氧化作用,。直至980℃，氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當(dāng)穩(wěn)定,。礦物酸通過(guò)侵襲粒狀物質(zhì)的界限使它慢慢溶解,，而強(qiáng)堿則通過(guò)侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。物質(zhì)在水中會(huì)慢慢水解,。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲,，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大,。臺(tái)州球形氮化鋁粉體商家

復(fù)合材料,，環(huán)氧樹(shù)脂/AlN復(fù)合材料作為封裝材料，需要良好的導(dǎo)熱散熱能力,，且這種要求愈發(fā)嚴(yán)苛,。高導(dǎo)熱氮化鋁多少錢(qián)

隨著電子和光電行業(yè)蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品的功能越發(fā),，同時(shí)體積也越來(lái)越小,，使集成電路(IC)和電子系統(tǒng)在半導(dǎo)體工業(yè)上也朝向高集成密度以及高功能化的方向發(fā)展。目前,，封裝基板材料主要采用氧化鋁陶瓷或高分子材料,，但隨著對(duì)電子零件的承載基板的要求越來(lái)越嚴(yán)格，它們的熱導(dǎo)率并不能滿足行業(yè)的需求,，而AlN因具有良好的物理和化學(xué)性能逐步成了封裝材料的首要選擇,。氮化鋁陶瓷室溫比較強(qiáng)度高，且不易受溫度變化影響,，同時(shí)熱導(dǎo)率高（比氧化鋁高5-8倍）且熱膨脹系數(shù)低,，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱,，是一種優(yōu)良的耐熱沖材料及熱交換材料,，作為熱交換材料，可望應(yīng)用于燃?xì)廨啓C(jī)的熱交換器上,。高導(dǎo)熱氮化鋁多少錢(qián)

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