目前AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種,，即熱壓燒結(jié),、無壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)(SPS),、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié),。熱壓燒結(jié)是在加熱粉體的同時進行加壓，利用通電產(chǎn)生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來促進燒結(jié)過程的進行,。相對于無壓燒結(jié)來說,，熱壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度要低得多,，而且燒結(jié)體致密，氣孔率低,，但其加熱,、冷卻所需時間較長，且只能制備形狀不太復雜的樣品,。熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導率致密化AlN陶瓷的主要工藝,。由于AlN具有很強的共價性，故其在常壓燒結(jié)時需要的燒結(jié)溫度很高,。在常壓燒結(jié)條件下,，添加了Y2O3的AlN粉能產(chǎn)生液相燒結(jié)的溫度為1600℃以上，且燒結(jié)溫度要受AlN粒度,、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影響,。常壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度一般為1600～2000℃，保溫時間為2h,。高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)展前景的氮化鋁粉末合成方法,。臺州球形氮化鋁廠家

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：提高氮化鋁粉末的純度，理想的氮化鋁粉料應(yīng)含適量的氧,。除氧以外,，其他雜質(zhì)元素如Si、Mn和Fe等,，也能進入氮化鋁晶格,，造成缺陷，降低氮化鋁的熱導率,。雜質(zhì)進入晶格后,，使晶格發(fā)生局部畸變，由此產(chǎn)生應(yīng)力作用,，引起位錯,、層錯等缺陷，增大聲子散射,，故應(yīng)該提高氮化鋁的粉末的純度,。改進氮化鋁粉末合成方法，制備出粒徑在1μm以下,，含氧量1%的高純粉末,，是制備高導熱氮化鋁陶瓷的前提。此外,，對含燒結(jié)助劑的氮化鋁粉末,，引入適量的碳，在制備氮化鋁陶瓷的燒結(jié)過程中,，于致密化之前,，先對氮化鋁粉末表面的氧化物進行還原碳化,，也能使氮化鋁陶瓷的熱導率提高。陶瓷氮化鋁粉體供應(yīng)商利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,，可制作Al蒸發(fā)皿,、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件。

氮化鋁（AlN）具有高導熱,、絕緣,、低膨脹、無磁等優(yōu)異性能,，是半導體,、電真空等領(lǐng)域裝備的關(guān)鍵材料，特別是在航空航天,、軌道交通,、新能源汽車、高功率LED,、5G通訊,、電力傳輸、工業(yè)控制等領(lǐng)域功率器件中具有不可取代的作用,。目前用于制備復雜形狀AlN陶瓷零部件的精密制備技術(shù)主要有模壓成型,、注射成型、凝膠注模成型,，它們均為有模制造技術(shù),。此外，陶瓷3D打印成型也可實現(xiàn)AlN陶瓷零部件的精密制造,，但該方法用于氮化鋁陶瓷成型方面的研究較少,，實際應(yīng)用還有待于進一步的研究，故不在的討論范圍之內(nèi),。

影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素：影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量,、致密度、顯微結(jié)構(gòu),、粉體純度等,。氧含量及雜質(zhì)：對于氮化鋁陶瓷來說，由于它對氧的親和作用強烈,，氧雜質(zhì)易于在燒結(jié)過程中擴散進入AlN晶格,，與多種缺陷直接相關(guān),，是影響氮化鋁熱導率的很主要根源,。在聲子-缺陷的散射中，起主要作用的是雜質(zhì)氧和氧化鋁的存在,，由于氮化鋁易于水解和氧化,，表面形成一層氧化鋁膜,，氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產(chǎn)生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現(xiàn)非諧性,，影響聲子散射,，從而使氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。關(guān)于氮化鋁的導熱機理,，國內(nèi)外已做了大量的研究,，并已形成了較為完善的理論體系。

氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于發(fā)光材料,，氮化鋁（AlN）的直接帶隙禁帶很大寬度為6.2eV,，相對于間接帶隙半導體有著更高的光電轉(zhuǎn)換效率。AlN作為重要的藍光和紫外發(fā)光材料,，應(yīng)用于紫外/深紫外發(fā)光二極管,、紫外激光二極管以及紫外探測器等。此外,，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成連續(xù)的固溶體,，其三元或四元合金可以實現(xiàn)其帶隙從可見波段到深紫外波段的連續(xù)可調(diào)，使其成為重要的高性能發(fā)光材料,?？梢哉f，從性能的角度講,，氮化鋁與氮化硅是目前很適合用作電子封裝基片的材料,，但他們也有個共同的問題就是價格過高。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件,、超大規(guī)模集成電路基片等,。舟山片狀氮化硼銷售公司

氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性,。臺州球形氮化鋁廠家

氮化鋁粉體的制備工藝：高溫自蔓延合成法：高溫自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法,，它是將Al粉在高壓氮氣中點燃后，利用Al和N2反應(yīng)產(chǎn)生的熱量使反應(yīng)自動維持,，直到反應(yīng)完全,，其化學反應(yīng)式為：2Al(s)+N2(g)→2AlN(s)；其優(yōu)點是高溫自蔓延合成法的本質(zhì)與鋁粉直接氮化法相同,，但該法不需要在高溫下對Al粉進行氮化,，只需在開始時將其點燃，故能耗低,、生產(chǎn)效率高,、成本低。其缺點是要獲得氮化完全的粉體,，必需在較高的氮氣壓力下進行,，直接影響了該法的工業(yè)化生產(chǎn),。化學氣相沉淀法：它是在遠高于理論反應(yīng)溫度,，使反應(yīng)產(chǎn)物蒸氣形成很高的過飽和蒸氣壓,，導致其自動凝聚成晶核，而后聚集成顆粒,。臺州球形氮化鋁廠家