在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,，從而實現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制,。1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失,，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時,，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài),。3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時,，分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成,，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成,，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減少N基區(qū)電阻RN的值,，使IGBT通態(tài)壓降降低。從用電端來看,，家用白電,、 微波爐、 LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求,。本地模塊檢測

圖1 光電耦合器驅(qū)動電路  推薦使用的光電耦合器有： HCPI,-4505,、HCPL-4506、TI.P759 (IGM),、TLP755 等,。一般情況下，光電耦合器要符合UI,。,、VDE 等安全認(rèn)證。同時比較好使光電耦合器和IGBT控制端子間的布線盡量短,。由于光電耦合器兩端間常加有大的du/出,，因此，光電耦合器兩端的布線不要太靠近以減小其間的耦合電容,。在使用15V的直流電源組件時,，電源輸出側(cè)的GND端子不要互聯(lián)，并盡量減少各電源與地間的雜散電容,，同時還應(yīng)當(dāng)確保足夠大的絕緣距離（大于2mm),。光電耦合器輸入用的10μF及0.1μF濾波電容主要用于保持控制 電壓平穩(wěn)和使線路阻抗穩(wěn)定?？刂菩盘栞斎攵伺cVcc端應(yīng)接20kΩ的上拉電阻,，在不使用制動單元時，也應(yīng)該在DB輸人端與Vcc端之間接20Ω的上拉電阻,，否則,，du/dt過大,，可能會引起誤動作。  上海模塊技術(shù)指導(dǎo)IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,。

技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此,，本實用新型實施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率,。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,，包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上?？蛇x的,，所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部，所述連接部一端與所述壓緊部相連,，另一端與所述安裝板相連,，所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè)，將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。

提到可控硅模塊,，人們都會想到它是一種類似于二極管的東西，但是詳細(xì)作用往往不是特別了解,，尤其是在電路中的作用更是知之甚少,，下面，正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識,，詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用,。可控硅在電路中的作用一般有兩種,，主要是可控整流和無觸點開關(guān),。可控整流：一般來說,，普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流,，像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路，如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊,，就能夠構(gòu)成可控整流電路,、逆變、電機調(diào)速,、電機勵磁,、無觸點開關(guān)機自動控制等多個方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中,，經(jīng)常將交流電的半個周期為180度,，稱為電角度，這樣在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度成為控制角α,；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流,。IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

■首先,，我們可以把從陰極向上數(shù)的一,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,。若柵-射極電壓UGE＞Uth ,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。本地模塊檢測

與普通晶閘管相比,，它具有關(guān)斷時間短,、正向壓降小、額定結(jié)溫高,、高溫特性好等,，主要用于逆變器和整流器中。本地模塊檢測

可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。   首先，我們可以把從陰極向上數(shù),、二,、三層看面是一只NPN 型號晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP 型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1 的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1 將產(chǎn)生基極電流Ib1 ,，經(jīng)放大，BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 ,。因為BG1 集電極與BG2 基極相連,，IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1 、BG2 完全導(dǎo)通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。   本地模塊檢測

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