整流橋模塊特點(diǎn)：

1,、鋁基導(dǎo)熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,，并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ),。因此,，它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性,。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃,，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大,，為此,，除需采用摻磷,、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,，這種存在s一定弧度的焊成品,，能在模塊裝置到散熱器上時(shí)，使它們之間有充分的接觸,，從而降低模塊的接觸熱阻,，保證模塊的出力。 IGBT模塊具有節(jié)能,、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。替換模塊構(gòu)件

一,、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多,?！隹煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見圖表-26?！鰪膱D表-26中可以看到,，可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。廣西微型模塊當(dāng)速晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，無論柵極電壓如何,，晶閘管都會(huì)關(guān)閉,。

無觸點(diǎn)開關(guān)：可控硅模塊的作用當(dāng)然也不僅是整流，它還可以作為無觸點(diǎn)開關(guān)來用,，以便于更好的快速接通或者切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。

可以看出,，可控硅模塊在電路中的作用還是很大的，可控硅模塊已然能夠代替一些傳統(tǒng)的控制元件,，為更好的使用一些電氣設(shè)備以及用電打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),。可控硅模塊具有體積小,、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、方便操作、安全可靠等優(yōu)點(diǎn),，對(duì)于電氣行業(yè)起著至關(guān)重要的作用,，它的分類也是比較多，不同類型具有不同的功能,，

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,。IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,，MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。

■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果Ea極性反接,，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過來,，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。從發(fā)電端來看，風(fēng)力發(fā)電,、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊,。替換模塊構(gòu)件

IGBT功率模塊實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。替換模塊構(gòu)件

盡管我國(guó)擁有比較大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等器件差距更加明顯,。技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中,，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度。跟國(guó)內(nèi)廠商相比,，英飛凌,、三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商占有的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。形成這種局面的原因主要是：1,、國(guó)際廠商起步早,，研發(fā)投入大，形成了較高的壁壘,。2,、國(guó)外制造業(yè)水平比國(guó)內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國(guó)際廠商的技術(shù)優(yōu)勢(shì),。中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢(shì)的局面,，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀,?？偟膩碚f，在技術(shù)差距方面有：高鐵,、智能電網(wǎng),、新能源與高壓變頻器等領(lǐng)域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上，技術(shù)壁壘較強(qiáng),；IGBT芯片設(shè)計(jì)制造、模塊封裝,、失效分析,、測(cè)試等IGBT產(chǎn)業(yè)**技術(shù)仍掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中。近幾年中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到迅速發(fā)展,，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈,，IGBT國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程加快,，有望擺脫進(jìn)口依賴。受益于新能源汽車,、軌道交通,、智能電網(wǎng)等各種利好措施，I希望國(guó)產(chǎn)IGBT企業(yè)能從中崛起,。替換模塊構(gòu)件

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