從結(jié)構(gòu)上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型,、帶緩沖層的PT型,、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu),、Trench溝槽型結(jié)構(gòu),；3）硅片加工工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶,；其發(fā)展趨勢(shì)是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗(EoffEon),。同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(zhǎng)。IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類(lèi),。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝,。IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路,。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),。云南模塊代理品牌
三、1600V,、1700V系列EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊,，部分型號(hào)如下：一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1800R16KF4 BSM200GA170DLC BSM300GA170DLC BSM400GA170DLC FZ400R17KE3 FZ600R17KE3 二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊： BSM50GB170DN2 BSM75GB170DN2 BSM150GB170DN2 FF400R16KF4 BSM100GB170DLC BSM150GB170DLC BSM200GB170DLC 四、3300V系列EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊,，部分型號(hào)如下：一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：FZ800R33KF2C FZ1200R33KF2C FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：FF200R33KF2C FF400R33KF2C五,、6500V系列EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊，部分型號(hào)如下：一單元EUPEC IGBT模/塊infineon IGBT模塊：FZ200R65KF1 FZ400R65KF1 FZ600R65KF1EUPEC IGBT模塊/ infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊廣西變頻模塊IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型,、帶緩沖層的PT型,、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型。
所述晶閘管單元包括：壓塊,、門(mén)極壓接式組件,、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片,、瓷板,，所述壓塊設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件上，并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊,、第二門(mén)極壓接式組件,、第三導(dǎo)電片、鉬片,、銀片,、鋁片，所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門(mén)極壓接式組件上,，并通過(guò)所述第二門(mén)極壓接式組件對(duì)所述第三導(dǎo)電片,、鉬片、銀片,、鋁片施加壓合作用力,，所述第三導(dǎo)電片,、鉬片、銀片,、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母,，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過(guò)硅凝膠對(duì)位于其上的導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述銅底板通過(guò)硅凝膠對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片,、鉬片、銀片,、鋁片進(jìn)行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管,。
可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電范疇進(jìn)入了強(qiáng)電范疇,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。
本實(shí)用新型的實(shí)施例提供的igbt模塊，包括安裝板,、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣,，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí),，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,，再松開(kāi)所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定,。相比于目前通過(guò)螺釘固定所述igbt單管的方法，節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間,，并且減少了總裝的零件數(shù)量,，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率，還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn),。若柵-射極電壓UGE＜Uth,，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。廣西變頻模塊
60年代后期,，大功率逆變晶閘管問(wèn)世，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,。云南模塊代理品牌
可選的,，所述連接部包括連接板、以及設(shè)置在所述連接板一側(cè)的凸起,；所述安裝板的上側(cè)設(shè)置有擋板和卡槽,，所述擋板豎向設(shè)置且所述擋板上開(kāi)設(shè)有連接孔或凹槽，所述卡槽位于所述擋板靠近所述igbt單管的一側(cè),；所述連接板的下端插接在所述卡槽內(nèi),，所述連接板側(cè)部的凸起位于在所述連接孔或凹槽內(nèi)?？蛇x的,，所述壓緊部與所述連接板的上端相連，且所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸,?？蛇x的，所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端設(shè)置有工裝槽,?？蛇x的，所述igbt單管的數(shù)量為一個(gè)以上,，各所述igbt單管成排設(shè)置在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件的數(shù)量與所述igbt單管的排數(shù)相等,，每個(gè)所述壓緊件將其中一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件的連接板呈長(zhǎng)條狀,，所述壓緊件包括一個(gè)以上的所述壓緊部，各所述壓緊部沿所述連接板的長(zhǎng)度方向依次連接在所述連接板的上端,?？蛇x的，所述安裝板為水冷板,。云南模塊代理品牌
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