盡管我國(guó)擁有比較大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距,，特別是IGBT等器件差距更加明顯。技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中,，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度,。跟國(guó)內(nèi)廠商相比，英飛凌,、三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商占有的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì),。形成這種局面的原因主要是：1、國(guó)際廠商起步早,，研發(fā)投入大,，形成了較高的壁壘。2,、國(guó)外制造業(yè)水平比國(guó)內(nèi)要高很多,，一定程度上支撐了國(guó)際廠商的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢(shì)的局面,，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破,，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀?？偟膩?lái)說(shuō),，在技術(shù)差距方面有：高鐵、智能電網(wǎng),、新能源與高壓變頻器等領(lǐng)域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上,，技術(shù)壁壘較強(qiáng)；IGBT芯片設(shè)計(jì)制造,、模塊封裝,、失效分析、測(cè)試等IGBT產(chǎn)業(yè)**技術(shù)仍掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中,。近幾年中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到迅速發(fā)展,，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈，IGBT國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程加快,，有望擺脫進(jìn)口依賴,。受益于新能源汽車、軌道交通,、智能電網(wǎng)等各種利好措施,，I希望國(guó)產(chǎn)IGBT企業(yè)能從中崛起。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,。內(nèi)蒙古模塊

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò)，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞,。內(nèi)蒙古模塊IGBT模塊輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等?？煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,。

晶閘管模塊自問(wèn)世以來(lái),，隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展，使其在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用,，具有體積小,、安裝調(diào)試簡(jiǎn)單、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),。但是在使用的時(shí)候也應(yīng)該對(duì)晶閘管模塊采取相應(yīng)的保護(hù)措施,。1.過(guò)流保護(hù);產(chǎn)生過(guò)流的原因有過(guò)負(fù)載.整瘋裝實(shí)直流側(cè)短路等，過(guò)流保護(hù)一般采用快速熔斷器,?？烊劢釉谀K的交流輸人端，其額定電流應(yīng)根據(jù)負(fù)裁的額定功率計(jì)算出模塊交流輸人端每相的有效電流來(lái)選擇,。在交流側(cè)經(jīng)電道互感器接人過(guò)電流繼電器或直演側(cè)接人過(guò)電瘋維電器,，發(fā)生過(guò)電筑時(shí)動(dòng)作，斷開交流輸人端的自動(dòng)開關(guān)從而斷開主電路,。2.過(guò)壓保護(hù):采用壓敏電阻和阻容愛(ài)收兩種方式保護(hù),。單相電路用一個(gè)壓敏電阻并聯(lián)在交流輸人端;三相電路用個(gè)壓敏電阻接成星形或三角形并聯(lián)在交流輸人端,，它能有效地抑創(chuàng)發(fā)生雷擊或產(chǎn)生能量較大且持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓或從電網(wǎng)侵人很高的浪酒電壓。逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件,。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1 基極的電流已不只是初始的Ib1 ,，而是經(jīng)過(guò)BG1 、BG2 放大后的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1 ,，足以保持BG1 的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea 或降低Ea ,，使BG1 ,、BG2 中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea 極性反接，BG1 ,、BG2 由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái)，Ea 接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了。   可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。在IGBT使用中可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓的大小從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。通用模塊值得推薦

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,。內(nèi)蒙古模塊

背景技術(shù)：目前，國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,；封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器,、ups不間斷電源等設(shè)備上,；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上越來(lái)越多見(jiàn),。然而,，這種igbt模塊的成本較高，嚴(yán)重制約了國(guó)內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展,。為了解決國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊成本較高的問(wèn)題,，目前國(guó)內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國(guó)外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊相比,，成本要低15％～20％,，進(jìn)而能夠促進(jìn)國(guó)內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展；但是,，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上,，這就降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。內(nèi)蒙古模塊

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),，各種專業(yè)設(shè)備齊全。在江蘇芯鉆時(shí)代近多年發(fā)展歷史,，公司旗下現(xiàn)有品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼等,。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價(jià)值，希望通過(guò)我們的專業(yè)水平和不懈努力,，將一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢,、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣,；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售；電子測(cè)量?jī)x器銷售,；機(jī)械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售,；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售,；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售,；模具銷售；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售,；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售,；辦公用品銷售,；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售,；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售；密封件銷售,；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā),；文具用品零售；金屬材料銷售,；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì),；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。誠(chéng)實(shí),、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求,，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器。