使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路，不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低。目前,，GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷,。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng),。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,。江蘇定制晶閘管

    因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響,。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí),，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響。[1]2,、關(guān)斷電荷和開通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對動(dòng)態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行，延遲時(shí)間不同,，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同,，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡,。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少，則易關(guān)斷,，關(guān)斷時(shí)間也短,，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓,。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)的根本目的的是保證動(dòng),、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護(hù),、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均壓,、觸發(fā)一致性、反向恢復(fù)過電壓的抑制,、開通關(guān)斷緩沖等一系列問題,。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數(shù),，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值,，產(chǎn)品合格證上標(biāo)有元件的實(shí)測數(shù)據(jù)。,。江蘇定制晶閘管其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。

    做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有關(guān)斷時(shí)間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）,、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）,、抗干擾能力較好等特點(diǎn)?？焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快,。目前，已有了電流幾百安培,、耐壓1千余伏,，關(guān)斷時(shí)間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時(shí)還做出了比較高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件,。其產(chǎn)品廣應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源,、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。3．逆導(dǎo)晶閘管以往的為了便于調(diào)速采用直流供電,，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來控制車輛的速度,。但它有不能平滑起動(dòng)和加速。自有了,，了逆導(dǎo)晶閘管不了上述缺點(diǎn),，而且還逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成，特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的陽極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,，可對電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的大電流、高電壓進(jìn)行快速釋放,。城市電車和地鐵機(jī)車采用逆導(dǎo)晶閘管控制和調(diào)節(jié)車速,，能夠克服開關(guān)體積大、壽命短,，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn),，從而降低了功耗，提高了機(jī)車可靠性,。

    在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),，由于外電路電感的作用，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零,，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t,。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后,，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr,。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通,。所以在實(shí)際應(yīng)用中，需對晶閘管施加足夠長時(shí)間的反壓,，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時(shí)間t,、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓,。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù),。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極,，陰極和控制極,；晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制,、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何,，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用,。門極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。江蘇定制晶閘管

晶閘管的作用也越來越全,。江蘇定制晶閘管

    除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。2、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換,。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1,、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2,、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同,，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4,、邊緣損壞,。江蘇定制晶閘管

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