使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路,，不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲,?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低,。目前，GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,。江蘇定制晶閘管

    因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響,。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時,，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫也會使均壓性能受到影響。[1]2,、關(guān)斷電荷和開通時間等動態(tài)特性對動態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運行，延遲時間不同,，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會導(dǎo)致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同,，會引起動態(tài)電壓的不均衡,。同時關(guān)斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關(guān)斷的現(xiàn)象。關(guān)斷電荷少,，則易關(guān)斷,，關(guān)斷時間也短，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動態(tài)電壓,。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)的根本目的的是保證動,、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護(hù),、動態(tài)和靜態(tài)均壓,、觸發(fā)一致性、反向恢復(fù)過電壓的抑制、開通關(guān)斷緩沖等一系列問題,。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件,，必須要了解它的主要參數(shù)，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值,，產(chǎn)品合格證上標(biāo)有元件的實測數(shù)據(jù),。。江蘇定制晶閘管其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。

    做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有關(guān)斷時間（toff）短,、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）,、抗干擾能力較好等特點,。快速晶閘管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快,。目前,，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,，關(guān)斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管,，同時還做出了比較高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品廣應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域,。3．逆導(dǎo)晶閘管以往的為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來控制車輛的速度,。但它有不能平滑起動和加速。自有了,，了逆導(dǎo)晶閘管不了上述缺點,，而且還逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成，特點是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的陽極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,，可對電感負(fù)載關(guān)斷時產(chǎn)生的大電流、高電壓進(jìn)行快速釋放,。城市電車和地鐵機車采用逆導(dǎo)晶閘管控制和調(diào)節(jié)車速，能夠克服開關(guān)體積大、壽命短,，而且低速運行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點,，從而降低了功耗，提高了機車可靠性,。

    在恢復(fù)電流快速衰減時,，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零,，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時間t,。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后,，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時間tgr,。在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通,。所以在實際應(yīng)用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時間t,、關(guān)斷時間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時,，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓,。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極,，陰極和控制極,；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓,，不論門極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后,，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管承受正向陽極電壓時,，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。江蘇定制晶閘管

晶閘管的作用也越來越全,。江蘇定制晶閘管

    除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。2,、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,，應(yīng)立即更換。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1,、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個光潔的小孔,，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2,、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞,。江蘇定制晶閘管

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201，擁有一支專業(yè)的技術(shù)團隊,。專業(yè)的團隊大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗,，熟悉行業(yè)專業(yè)知識技能，致力于發(fā)展英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼的品牌,。公司以用心服務(wù)為重點價值,，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將一般項目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售,；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售,；電子測量儀器銷售；機械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動和電動工具銷售,；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售,；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售,；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售,；模具銷售；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售,；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售,；辦公用品銷售,；日用百貨銷售,；機械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售,；密封件銷售；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售,；塑料制品銷售；文具用品批發(fā),；文具用品零售,；金屬材料銷售；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售,；集成電路設(shè)計；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底,。誠實、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,，也是我們做人的基本準(zhǔn)則,。公司致力于打造***的IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器。