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江蘇加工西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-10

    一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,,而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,??僧?huà)出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),,BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,經(jīng)放大,,BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大,直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),,觸發(fā)信號(hào)加到控制極,,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),,這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,,足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),,只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),,可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,,如果E極性反接,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。江蘇加工西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,,一般由兩晶閘管反向連接而成,。它的功能不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷,;實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,,有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),,使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。目前可控硅在自動(dòng)控制,、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用,??煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,。螺旋式應(yīng)用較多,。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極(A),、陰極(C)和控制極(G),,管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié),與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),??煽毓钁?yīng)用時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。遼寧本地西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠家可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

 早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類(lèi)2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類(lèi)編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi),;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ),、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。可控硅模塊優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線(xiàn)簡(jiǎn)單,、互換性好、便于維修和安裝,;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),,因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。

    鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),,而且方向相反,,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,,反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,,可以有比較大的電流通過(guò),因此,,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),,萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,,或控制極與陰極斷路,,說(shuō)明元件已損壞??煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱(chēng),,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,,可控硅的功用不僅是整流,,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,,等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它具有體積小、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,大功率驅(qū)動(dòng)器件,,實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備,。

    BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),,即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái),,E接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,,可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),,而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),,可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了,??煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),,所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,,此條件見(jiàn)表1應(yīng)用舉例:可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路,,概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,,相位觸發(fā)電路等等,。1、直流觸發(fā)電路:如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過(guò)壓保護(hù)電路,,當(dāng)E+電壓過(guò)高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高,,當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,,使保險(xiǎn)絲RJ熔斷,,從而起到過(guò)壓保護(hù)的作用,。2、相位觸發(fā)電路:相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種,,如圖3,,這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號(hào)的相位。當(dāng)R值較少時(shí),,RC時(shí)間常數(shù)較少,,觸發(fā)信號(hào)的相移A1較少,因此負(fù)載獲得較大的電功率,;當(dāng)R值較大時(shí),,RC時(shí)間常數(shù)較大,觸發(fā)信號(hào)的相移A2較大,??煽毓鑼?dǎo)通后,當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。江蘇加工西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠

可控硅模塊的發(fā)展歷史比較悠久,,發(fā)展到現(xiàn)代它的特點(diǎn)有很多,,可應(yīng)用的范圍也非常廣,。江蘇加工西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠

    可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱(chēng),谷稱(chēng)可控硅模塊,,它是1種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體元器件,,在線(xiàn)路中用字母符號(hào)為“V”、“VT”表達(dá)(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)),??煽毓枘K具備硅整流器件的特性,能在高電壓,、大電流條件下運(yùn)行,,且其運(yùn)行過(guò)程可以控制、被普遍使用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子線(xiàn)路中,??煽毓枘K有很多種分類(lèi)方法。(一)按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)可控硅模塊按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅模塊,、門(mén)極關(guān)斷可控硅模塊(GTO),、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種,。(二)按引腳和極性分類(lèi)可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊,、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。(三)按封裝形式分類(lèi)可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊,、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類(lèi)型,。當(dāng)中,金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形,、平板形,、圓殼形等很多種;塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種,。(四)按電流容量分類(lèi)可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅,、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常,,大功率可控硅多選用金屬殼封裝,。 江蘇加工西門(mén)康可控硅模塊銷(xiāo)售廠

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