也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,，即將分別將G1和G3、G2和G4,、E1和E3、E2和E4,、E1C2和E3短接,。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示,。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊,，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊,。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS,、三相逆變器，不同的應(yīng)用對(duì)IGBT的要求有所不同,，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊,，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。,，CBI模塊,，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule，整流-剎車(chē)-逆變）模塊,，日系廠商則習(xí)慣稱其為PIM模塊,。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會(huì)分別給出模塊中個(gè)功能單元的參數(shù),，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術(shù)規(guī)格。表1MUBW15-12T7的主要技術(shù)規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中,，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術(shù)規(guī)格,。預(yù)計(jì)2020年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將超200億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為15%,。安徽品質(zhì)富士IGBT供應(yīng)商

    圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。安徽品質(zhì)富士IGBT供應(yīng)商交流傳動(dòng)技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的,，交流傳動(dòng)系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件,，是牽引變流器的器件之一。

    IGBT功率模塊是指采用IC驅(qū)動(dòng),，利用的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路,、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM,、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM。IGBT功率模塊的驅(qū)動(dòng)電路元件較少,，在短路故障時(shí)只要結(jié)溫不超過(guò)安全工作范圍,，驅(qū)動(dòng)電路仍可以繼續(xù)安全工作。IGBT在大電流時(shí)具有退飽和特性,，可以在一定程度上保護(hù)器件過(guò)流,，其它的電力電子開(kāi)關(guān)器件則都不具備這種特性?？傊?，IGBT功率模塊具有驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)實(shí)現(xiàn)容易,、開(kāi)關(guān)頻率高以及不需要緩沖電路等特性,，非常適合應(yīng)用在中壓驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。常見(jiàn)的IGBT功率模塊的額定電壓等級(jí)有600V,、1200V,、1700V、2500V,、3300V和4500V,，額定電流則可以達(dá)到2400A,。雖然有更高電壓等級(jí)的IGBT器件,，但其電流等級(jí)卻大為下降。例如,，額定電壓為6500V的IGBT器件的額定電流為650A,。額定功率比較大的IGBT電壓電流參數(shù)為3600V/1700A和4500V/1200A。各中類(lèi)別型號(hào)的IGBT功率模塊已經(jīng)運(yùn)用到各中電子元件中,，IPM除用于變頻調(diào)速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,。

    措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過(guò)電壓,。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí),，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí),，初級(jí)拉閘,，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓,，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù),。3．直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓,，但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù),。4．過(guò)電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,，而是保護(hù)變壓器線圈,。5．電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,，很容易燒壞元件,。為了解決均流問(wèn)題，過(guò)去加均流電抗器,，噪聲很大,，效果也不好，一只一只進(jìn)行對(duì)比,，擰螺絲松緊,，很盲目，效果差,，噪音大,，耗能。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配,、編號(hào),，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配,，很間單。每一只元件上都刻有字,，以便下更換時(shí)參考,。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到。充電樁 智能充電樁中IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用,。

    一,、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。通俗來(lái)講:IGBT是一種大功率的電力電子器件,，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路,。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流,、高速,。二、IGBT模塊IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫(xiě),，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。內(nèi)部集成溫度傳感器,、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件,，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度,。安徽品質(zhì)富士IGBT供應(yīng)商

當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí),，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。安徽品質(zhì)富士IGBT供應(yīng)商

    反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線,。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài),。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi),，Id與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流限制,，其佳值一般取為15V左右,。動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性又稱開(kāi)關(guān)特性，IGBT的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度,，主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間,；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低,。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),，但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí),，通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示：：Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh式中Uj1——JI結(jié)的正向電壓,，其值為～1V；Udr——擴(kuò)展電阻Rdr上的壓降,；Roh——溝道電阻,。通態(tài)電流Ids可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos——流過(guò)MOSFET的電流。由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT通態(tài)壓降為2～3V。IGBT處于斷態(tài)時(shí),，只有很小的泄漏電流存在,。IGBT在開(kāi)通過(guò)程中,。 安徽品質(zhì)富士IGBT供應(yīng)商

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