也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,，即將分別將G1和G3,、G2和G4,、E1和E3、E2和E4,、E1C2和E3短接,。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示,。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊,，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊,。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS,、三相逆變器，不同的應(yīng)用對(duì)IGBT的要求有所不同,，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊,，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。,，CBI模塊,，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule,，整流-剎車-逆變）模塊,，日系廠商則習(xí)慣稱其為PIM模塊。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會(huì)分別給出模塊中個(gè)功能單元的參數(shù)，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術(shù)規(guī)格,。表1MUBW15-12T7的主要技術(shù)規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中,，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術(shù)規(guī)格。1965年,，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)。家居模塊施工

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ,；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）l輸出電流10A,；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<；l紋波電壓<1%,；l工作溫度室溫～40℃,；l保護(hù)有過壓、過流,、短路保護(hù)功能,。2）直流電容器分為支撐電容、儲(chǔ)能電容,，分別用于補(bǔ)償充電和實(shí)驗(yàn)時(shí)的大電流放電,，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流,、反偏安全工作區(qū)的測(cè)試需求,。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH,、50μH100μH200μH500μH1000μH,、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開關(guān),，可分別接通不同電感值,，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配,。4）安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH,、10mH、50mH,、100mHl電流通過選擇不同檔位電感,，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開關(guān)，可分別接通不同電感值,，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通,；自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。5）補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt,。l電感量100μHl電流能力6000A,。私人模塊誠(chéng)信合作IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,，MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。

    **摘要本實(shí)用新型涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊,，包括底板,、二極管芯片、主電極及外殼,，二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上,，二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接，連接橋板是具有兩個(gè)以上折彎的條板,，連接橋板的另一側(cè)通過絕緣體固定在底板上,，頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上；主電極為兩個(gè)以上的折邊的條板形,，主電極的內(nèi)側(cè)與連接橋板固定連接,，主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部，且主電極上設(shè)有的過孔與殼體上的定位凹槽對(duì)應(yīng),，上下過渡層,、二極管芯片、連接橋板,、絕緣體以及主電極一側(cè)的連接區(qū)灌注軟彈性膠密封,。本實(shí)用新型在安裝以及運(yùn)行過程中能降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，能提高二極管工作可靠性,。文檔編號(hào)H01L25/11GKSQ0公開日2008年5月21日申請(qǐng)日期2007年7月26日優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日發(fā)明者劉利峰,王曉寶,。

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征,。簡(jiǎn)單講,，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等,。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能,、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)?*器件,，是電力電子裝置的“CPU”,。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量,，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),。IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件,。其外部有三個(gè)電極,，分別為G-柵極,，C-集電極,，E-發(fā)射極。在IGBT使用過程中,，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí),，MOSFET內(nèi)溝道消失,，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí),，J3的PN結(jié)處于反偏,，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時(shí),。光控晶閘具有良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過電壓承受能力,。

    測(cè)試溫度范圍Tj=25°及125°。IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2,。以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí),、電流等級(jí)、溫度,、機(jī)械壓力,、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。1）動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2,、圖3所示,。1）圖2IGBT開通過程及其參數(shù)定義動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示,。圖2IGBT開通過程及其參數(shù)定義圖3IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義表格2可測(cè)量的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)名稱符號(hào)開通延遲時(shí)間td(on)關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)上升時(shí)間tr下降時(shí)間tf開通時(shí)間ton關(guān)斷時(shí)間toff開通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff柵極電荷Qg短路電流ISC//可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)名稱符號(hào)反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr反向恢復(fù)時(shí)間trr反向恢復(fù)損耗Erec*2）動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)指標(biāo)表格4IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)指標(biāo)主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150～1500V150～500V±3%±1V,；500～1000V±2%±2V；1000～1500V±1%±5V,；150～1500VIc集射極電流1～1200A1～200A±3%±1A,；200～1200A±3%±2A。IGBT其外部有三個(gè)電極,，分別為G-柵極,，C-集電極，E-發(fā)射極,。湖南模塊

當(dāng) 晶閘管模塊 開啟時(shí),，只要有一定的陽極電壓,，無論門極電壓如何，晶閘管保持開啟,，在晶閘管開啟后失去功能,。家居模塊施工

    所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例,?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍,。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率,。如圖1所示,，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊，包括安裝板1,、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2,，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上,。本實(shí)施例,，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí)，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,，再松開所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間,，并且減少了總裝的零件數(shù)量，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,，還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn),。如圖1和圖2所示，可選的,，所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32,，所述連接部31一端與所述壓緊部32相連，另一端與所述安裝板1相連,，所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè),，將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,，在使用所述壓緊件時(shí),。家居模塊施工

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司依托可靠的品質(zhì)，旗下品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞。旗下英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位,，品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng),，有望成為行業(yè)中的佼佼者。我們?cè)诎l(fā)展業(yè)務(wù)的同時(shí),，進(jìn)一步推動(dòng)了品牌價(jià)值完善,。隨著業(yè)務(wù)能力的增長(zhǎng)，以及品牌價(jià)值的提升,，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力,。公司坐落于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū),。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì),、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn),。