所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍,。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示,，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊,，包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2,，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3,，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí),，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,，再松開所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定,。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間，并且減少了總裝的零件數(shù)量,，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,，還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn)。如圖1和圖2所示,，可選的,，所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32，所述連接部31一端與所述壓緊部32相連,，另一端與所述安裝板1相連,，所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè)，將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上,。本實(shí)施例,，在使用所述壓緊件時(shí)。在軌道交通,、智能電網(wǎng),、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,。私人模塊金屬

    與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。igbt的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓。igbt驅(qū)動(dòng)電路圖：igbt驅(qū)動(dòng)電路圖一igbt驅(qū)動(dòng)電路圖二igbt驅(qū)動(dòng)電路圖三igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到***的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外,，IGBT驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要,。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致IGBT和驅(qū)動(dòng)器損壞,。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考,。IGBT的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT門極電容分布示意圖,。西藏模塊施工單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右,，IGBT模塊的比較大額定電流可以達(dá)到3600A。

    導(dǎo)通延遲時(shí)間）,，td（off）（截止延遲時(shí)間）,，tr（上升時(shí)間）和開關(guān)損耗，在高頻應(yīng)用（超過5kHz）時(shí),，這種損耗應(yīng)盡量避免,。另外。驅(qū)動(dòng)器本身的損耗也必須考慮,。如果驅(qū)動(dòng)器本身損耗過大,，會(huì)引起驅(qū)動(dòng)器過熱，致使其損壞,。**后,，當(dāng)M57962L被用在驅(qū)動(dòng)大容量的IGBT時(shí)，它的慢關(guān)斷將會(huì)增大損耗,。引起這種現(xiàn)象的原因是通過IGBT的Gres（反向傳輸電容）流到M57962L柵極的電流不能被驅(qū)動(dòng)器吸收,。它的阻抗不是足夠低，這種慢關(guān)斷時(shí)間將變得更慢和要求更大的緩沖電容器應(yīng)用M57962L設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路如下圖,。電路說明：電源去耦電容C2～C7采用鋁電解電容器,，容量為100uF／50V，R1阻值取1kΩ,，R2阻值取Ω,，R3取kΩ，電源采用正負(fù)l5V電源模塊分別接到M57962L的4腳與6腳,，邏輯控制信號(hào)IN經(jīng)l3腳輸入驅(qū)動(dòng)器M57962L,。雙向穩(wěn)壓管Z1選擇為V，Z2為18V,，Z3為30V,，防止IGBT的柵極、發(fā)射極擊穿而損壞驅(qū)動(dòng)電路,，二極管采用快恢復(fù)的FR107管,。IGBT模塊接線注意事項(xiàng)：1）柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，IGBT在包裝時(shí)將G極和E極之問有導(dǎo)電泡沫塑料,，將它短接,。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸G極，直到G極管腳進(jìn)行長久性連接后,，方可將G極和E極之間的短接線拆除,。2）在大功率的逆變器中。

    1范圍本技術(shù)規(guī)范提出的是比較低限度的要求,，并未對(duì)所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定,，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的質(zhì)量產(chǎn)品,。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí),，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)該功率半導(dǎo)體模塊測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì),、制造,、檢查、試驗(yàn)等遵循如下國內(nèi)國際標(biāo)準(zhǔn),，但不限于以下標(biāo)準(zhǔn),。GB13869-2008用電安全導(dǎo)則GB19517-2004國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范GB/T運(yùn)動(dòng)設(shè)備及系統(tǒng)GB4208-2008外殼防護(hù)等級(jí)（IP代碼）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T15139-1994電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件GB/T2423電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)GB/T3797-2005電氣控制設(shè)備GB/T印制板的設(shè)計(jì)和使用GB/T9969-2008工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則GB/T6988-2008電氣技術(shù)用文件的編制GB/T半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器GB/T絕緣配合第1部分：定義,、原則和規(guī)則IEC60747-2/GB/T4023-1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管IEC60747-9:2007/GB/T29332-2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）3技術(shù)要求功能與測(cè)試對(duì)象*1）功能GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,。*2）測(cè)試對(duì)象被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器,、UPS不間斷電源等設(shè)備上,。

    1～1200AVge柵極電壓-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg柵極電荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on),、td(off)開通/關(guān)斷延遲10～1000ns10~200±2%±2ns,；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降時(shí)間10～1000ns10~200±2%±2ns,；200~1000±2%±5ns,；Eon,、Eoff開通/關(guān)斷能量1～5000mJ1～50mJ±2%±,；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ,；1000～5000mJ±1%±5mJ,；表格5二極管反向恢復(fù)測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vcc二極管電壓50～1500V200～500V±3%±1V；500～1500V±2%±2V,；200～1500VIRM反向恢復(fù)電流50～1200A50～200A±3%±1A,；50～1200AQrr反向關(guān)斷電荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC,；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC,；5000～20000μC±2%±10μC,；1～20000μCtrr反向恢復(fù)時(shí)間20～2000ns20~100±3%±1ns；100~500±3%±2ns,；500~2000±2%±5ns,；20～2000nsErec反向關(guān)斷能量損失1～5000mJ1～50mJ±3%±；50～200mJ±3%±1mJ,；200～1000mJ±2%±2mJ,；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150～1500V150～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V,。IGBT是一個(gè)超級(jí)電子開關(guān),，它能耐受超高電壓。天津模塊批發(fā)價(jià)格

N基極稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。私人模塊金屬

體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展。

普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測(cè),。大家知道,，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,，相當(dāng)于一個(gè)二極管,，G為正極、K為負(fù)極,，所以,，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正,、反向電阻,，電阻小時(shí)，萬用表黑表筆接的是控制極G,，紅表筆接的是陰極K,，剩下的一個(gè)就是陽極A了。測(cè)試晶閘管的好壞,，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3),。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB,，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的?？煽毓枘K造價(jià)信息 私人模塊金屬

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