首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開,。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì)),。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明,。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場,。在器件中,，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位,。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來,，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了,，所以載流子濃度的變化非常小,，對器件整體的特性影響也非常小。當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發(fā)生的情況,。穿過GATEDIELECTRIC的電場加強了,，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,，空穴被排斥出表面,。隨著GATE電壓的升高，會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況,。由于過剩的電子,，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel,。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累,。MOS管一般又叫場效應(yīng)管,，與二極管和三極管不同，二極管只能通過正向電流,，反向截止,，不能控制,。江蘇常見MOS管代理商

    CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài)。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié),、集電結(jié)都是反偏置)時,其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài),。三極管開關(guān)電路的特點是開關(guān)速度極快,遠遠比機械開關(guān)快;沒有機械接點,不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時開關(guān)的電壓降比機械開關(guān)大,關(guān)斷時開關(guān)的漏電流比機械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強電流的控制,。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時,，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零,，集電極電流和發(fā)射極電流都為零,，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài),。開關(guān)三極管處于截止?fàn)顟B(tài)的特征是發(fā)射結(jié),，集電結(jié)均處于反向偏置。此時三極管能夠承受額電壓越高,，其被擊穿的可能性越小,，工作越可靠，所以在一些特殊電路中必須選用高反壓開關(guān)三極管,，例如彩色電視機的行輸出電路,，一般高反壓三極管的耐壓都在1500伏以上。2020-08-30有關(guān)三極管的開關(guān)作用三極管都有開關(guān)作用,。普通三極管當(dāng)B極沒有電流時會截止的,，但是可控硅（也是一種三極管）卻是只管導(dǎo)通不能控制截止，就是說B極給電流導(dǎo)通之后不能控制EC截止,。上海進口MOS管工廠直銷mos管具有單向?qū)щ娦浴?/p>

    與電壓的情況相似,，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時,。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài),，此時電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的大電流,，只需直接選擇能承受這個大電流的器件便可,。選好額定電流后，還必須計算導(dǎo)通損耗,。在實際情況下,，MOS管并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗,，這稱之為導(dǎo)通損耗,。MOS管在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻,，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而明顯變化,。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化,。對MOS管施加的電壓VGS越高,，RDS（ON）就會越小,；反之RDS（ON）就會越高,。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS（ON）電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。3.選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求,。須考慮兩種不同的情況，即壞情況和真實情況,。建議采用針對壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,，能確保系統(tǒng)不會失效,。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)。

    ,，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管,。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說,，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬,，形成柵極,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的,。(多子)參與導(dǎo)電,，是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同,，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),，又稱為VMOSFET,，提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力,。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻,，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道,。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管,。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時,，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。,、輸出特性對于共源極接法的電路,，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0,。當(dāng)VGSMOS管作為開關(guān)元件,，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。N-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差超過閾值時,，D極和S極導(dǎo)通,。

    MOS電容的詳細介紹首先考察一個更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極,，一個是金屬,，另一個是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開,。金屬極就是GATE,，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為柵介質(zhì)（gatedielectric）,。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V,。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場,。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位,，P型硅負電位,。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面,。這個電場太弱了,，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小,。當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發(fā)生的情況,。穿過GATEDIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,，空穴被排斥出表面,。隨著GATE電壓的升高，會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況,。由于過剩的電子,，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel,。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累,，channel變成了強反轉(zhuǎn),。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件,，可以用作電子開關(guān),、可控整流等，是一種電壓驅(qū)動型的器件,。天津本地MOS管代理商

mos管的驅(qū)動功率很?。?~4w）。江蘇常見MOS管代理商

    而用開啟電壓VT表征管子的特性,。N溝道耗盡型MOS管的基本結(jié)構(gòu)（1）結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似,。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。（3）原因：制造N溝道耗盡型MOS管時,，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子),，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時,，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD,。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,，溝道加寬,，溝道電阻變小，iD增大,。反之vGS為負時,，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大,，iD減小,。當(dāng)vGS負向增加到某一數(shù)值時，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零,，管子截止，故稱為耗盡型,。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值,，但是，前者只能在vGS0,，VP（4）電流方程：在飽和區(qū)內(nèi),，耗盡型MOS管的電流方程與結(jié)型場效應(yīng)管的電流方程相同，即：各種場效應(yīng)管特性比較P溝MOS晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng),。江蘇常見MOS管代理商

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