而漏極一端電壓小,，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道薄,。但當(dāng)vDS較?。╲DS隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄,，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時,，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進(jìn)入飽和區(qū),，iD幾乎由vGS決定,。N溝道增強(qiáng)型MOS管的特性曲線、電流方程及參數(shù)（1）特性曲線和電流方程1）輸出特性曲線N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線如圖1(a)所示,。與結(jié)型場效應(yīng)管一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū),、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分,。2）轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1(b)所示,由于場效應(yīng)管作放大器件使用時是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū)),此時iD幾乎不隨vDS而變化,即不同的vDS所對應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎是重合的,所以可用vDS大于某一數(shù)值(vDS＞vGS-VT)后的一條轉(zhuǎn)移特性曲線代替飽和區(qū)的所有轉(zhuǎn)移特性曲線,。3）iD與vGS的近似關(guān)系與結(jié)型場效應(yīng)管相類似。在飽和區(qū)內(nèi),iD與vGS的近似關(guān)系式為式中IDO是vGS=2VT時的漏極電流iD,。（2）參數(shù)MOS管的主要參數(shù)與結(jié)型場效應(yīng)管基本相同,，只是增強(qiáng)型MOS管中不用夾斷電壓VP。mos管的輸入端加有控制電極以使mos管的導(dǎo)通狀態(tài)受控制而穩(wěn)定下來,。天津品質(zhì)MOS管代理商

    當(dāng)柵-源電壓VGS=0時,，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過）,，所以這時漏極電流ID=0。此時若在柵-源極間加上正向電壓,，圖1-2-(b)所示,，即VGS＞0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個柵極指向P型硅襯底的電場,，由于氧化物層是絕緣的,，柵極所加電壓VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個電容,，VGS等效是對這個電容充電,，并形成一個電場，隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引,，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為2V）時,，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓,，一般用VT表示,。控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強(qiáng)弱,，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的,，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應(yīng)管,。3,、MOS管的特性：上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生,。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,。遼寧定制MOS管工廠直銷按材料分類,，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型。

    控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強(qiáng)弱,，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的,，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應(yīng)管,。六：MOS的優(yōu)勢：1,、場效應(yīng)管的源極S、柵極G,、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b、集電極c,，它們的作用相似,，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖,。2,、場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID,，普通的晶體三極管是電流控制電流器件,，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培,。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少,。3、場效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的,，不產(chǎn)生電流,；而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多,。4,、場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,，因少數(shù)載流子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大，所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好,。5,、場效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用,，且特性變化不大,。

    如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計電路的忌諱的錯誤；（本次產(chǎn)品測試問題點雖然不是出在電路設(shè)計上,，但BOM做錯比設(shè)計錯誤往往更難分析）2,、頻率太高，主要是有時過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了,；3,、沒有做好足夠的散熱設(shè)計，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流,，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片；4,、MOS管的選型有誤,，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。總結(jié)二：MOS管工作狀態(tài)分析MOS管工作狀態(tài)有四種,，開通過程,、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程,，截止?fàn)顟B(tài),；MOS管主要損耗：開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗,，截止損耗,，還有雪崩能量損耗，開關(guān)損耗往往大于后者；MOS管主要損壞原因：過流（持續(xù)大電流或瞬間超大電流）,，過壓（D-S,，G-S被擊穿），靜電（個人認(rèn)為可屬于過壓）,；總結(jié)三：MOS管工作過程分析MOS管工作過程非常復(fù)雜,，里面變量很多，總之開關(guān)慢不容易導(dǎo)致米勒震蕩（介紹米勒電容,，米勒效應(yīng)等,，很詳細(xì)），但開關(guān)損耗會加大,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型,。

    channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn),。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時,，不會形成channel,。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了,。MOS電容:(A)未偏置(VBG=0V),，(B)反轉(zhuǎn)(VBG=3V)，(C)積累(VBG=-3V),。正是當(dāng)MOS電容的GATE相對于backgate是負(fù)電壓時的情況,。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子,。硅表層看上去更重的摻雜了,，這個器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,。Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域,。其中一個稱為source,，另一個稱為drain。假設(shè)source和backgate都接地,，drain接正電壓,。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel,。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,，所以只有很小的電流從drain流向backgate,。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel,。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,。由電子組成的電流從source通過channel流到drain?？偟膩碚f,，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流,。在對稱的MOS管中,，對source和drain的標(biāo)注有一點任意性。定義上,，載流子流出source。mos管的外形和三極管,，可控硅,，三端穩(wěn)壓器，IGBT類似,。上海貿(mào)易MOS管代理商

mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）,。天津品質(zhì)MOS管代理商

    原因是導(dǎo)通電阻小，且容易,。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,，大電壓等,，大電流等，也有很多人考慮這些因素,。這樣的電路也許是可以工作的,，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的,。1,、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型,，P溝道或N溝道共4種類型,，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種,。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,，不建議刨根問底。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,，比較常用的是NMOS,。原因是導(dǎo)通電阻小，*,。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。天津品質(zhì)MOS管代理商

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司辦公設(shè)施齊全，辦公環(huán)境優(yōu)越,，為員工打造良好的辦公環(huán)境,。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù)，以誠信,、敬業(yè),、進(jìn)取為宗旨，以建英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品為目標(biāo),，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè),。公司堅持以客戶為中心、一般項目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售,；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售,；電子測量儀器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動和電動工具銷售,；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售,；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售,；集成電路銷售,；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售,；模具銷售,；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售,；電工器材銷售；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售,；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售,；日用百貨銷售,；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售,；密封件銷售；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā),；文具用品零售；金屬材料銷售,；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售,；集成電路設(shè)計；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）市場為導(dǎo)向,，重信譽(yù)，保質(zhì)量,，想客戶之所想,，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要,。自公司成立以來,，一直秉承“以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營理念,，始終堅持以客戶的需求和滿意為重點,，為客戶提供良好的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器,，從而使公司不斷發(fā)展壯大。