耐高壓的MOS管與耐低壓的MOS管區(qū)別：耐高壓的MOS管其反應(yīng)速度比耐低壓的MOS管要慢,。mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化,。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管,，叫做場效應(yīng)管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比,。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓Mos管,。mos管的輸入端加有控制電極以使mos管的導(dǎo)通狀態(tài)受控制而穩(wěn)定下來。上海加工MOS管

    低壓MOS管四大重要參數(shù)：1,、電壓規(guī)格(VDSS)2,、電流規(guī)格(In)3、mos飽和導(dǎo)通電阻(RDS（ON）)4,、封裝形式低壓MOS管四大選型要點(diǎn)1,、用N溝道orP溝道選擇好MOS管器件的首要一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,，當(dāng)一個(gè)MOS管接地,，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān),。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,，這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮,。2,、確定MOS管的額定電流該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的很大電流。與電壓的情況相似,，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流,，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的很大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)很大電流的器件便可,。3,、選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求須考慮兩種不同的情況，即壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對壞情況的計(jì)算結(jié)果,，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會失效,。上海加工MOS管工作溫度范圍很寬,，從-55°C至+150°C左右。

    此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋,，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖b），從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖給出了P溝道的MOS管,。MOS管工作原理圖工作過程,，其工作原理類似這里不再重復(fù)。下面簡述一下用C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS管）組成的應(yīng)用電路的工作過程（見圖）,。電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用,。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS管導(dǎo)通,，輸出端與電源正極接通,。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源地接通,。在該電路中,，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反,。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出,。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V,，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí),，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不會因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。

    對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管,，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。為解釋MOS管工作原理圖，我們先了解一下含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過程,。如圖所示,，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí),，二極管導(dǎo)通,，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流,。同理,，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí),，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動(dòng),，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止,。對于MOS管（見圖）,，在柵極沒有電壓時(shí),，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時(shí)MOS管與截止?fàn)顟B(tài)（圖a）,。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS管。MOS管柵極上時(shí),，由于電場的作用,。mos管具有單向?qū)щ娦浴?/p>

    如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的忌諱的錯(cuò)誤；（本次產(chǎn)品測試問題點(diǎn)雖然不是出在電路設(shè)計(jì)上,，但BOM做錯(cuò)比設(shè)計(jì)錯(cuò)誤往往更難分析）2,、頻率太高，主要是有時(shí)過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了,；3,、沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流,，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片,；4,、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大?？偨Y(jié)二：MOS管工作狀態(tài)分析MOS管工作狀態(tài)有四種,，開通過程,、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程,，截止?fàn)顟B(tài),；MOS管主要損耗：開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗,，截止損耗,，還有雪崩能量損耗，開關(guān)損耗往往大于后者,；MOS管主要損壞原因：過流（持續(xù)大電流或瞬間超大電流）,，過壓（D-S，G-S被擊穿）,，靜電（個(gè)人認(rèn)為可屬于過壓）,；總結(jié)三：MOS管工作過程分析MOS管工作過程非常復(fù)雜，里面變量很多,，總之開關(guān)慢不容易導(dǎo)致米勒震蕩（介紹米勒電容,，米勒效應(yīng)等，很詳細(xì)）,，但開關(guān)損耗會加大,。MOS管是壓控器件，作為開關(guān)時(shí),，NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通,，PMOS只要滿足Vgs。上海加工MOS管

開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中,，也就是MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗,。上海加工MOS管

    柵極電壓還沒有到達(dá)VGS（th），導(dǎo)電溝道沒有形成,，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài),。2.[t1-t2]區(qū)間,GS間電壓到達(dá)Vgs（th），DS間導(dǎo)電溝道開始形成,，MOSFET開啟,，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數(shù)增長到Va,。3.[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng),，Cgd電容增加,柵極電流持續(xù)流過，由于Cgd電容急劇增大,，抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài),，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。4.[t3-t4]區(qū)間,至t3時(shí)刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓,Millier效應(yīng)影響變小，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時(shí)刻為止.此時(shí)Cgs電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)小,，MOSFET完全開啟,。上海加工MOS管

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是我國IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器專業(yè)化較早的有限責(zé)任公司（自然）之一，江蘇芯鉆時(shí)代是我國電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者,。公司主要提供一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢,、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣,；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售,；機(jī)械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售,；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售,；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售,；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售；模具銷售,；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售,；電工器材銷售,；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售,；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售,；日用百貨銷售,；機(jī)械設(shè)備銷售,；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售,；密封件銷售,；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售,；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā)；文具用品零售,；金屬材料銷售,；金屬制品銷售；金屬工具銷售,；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì),；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)）等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù)，產(chǎn)品滿意,，服務(wù)可高,，能夠滿足多方位人群或公司的需要。將憑借高精尖的系列產(chǎn)品與解決方案,，加速推進(jìn)全國電子元器件產(chǎn)品競爭力的發(fā)展,。