英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件,、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率,，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍，樹立了行業(yè)應(yīng)用**,。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場,、太陽能發(fā)電廠和儲能系統(tǒng)等；同時適用于工業(yè)和汽車級應(yīng)用,。優(yōu)勢：?高性價比?全程采用X射線100%監(jiān)測生產(chǎn),，保障產(chǎn)品的高性能和使用壽命?使用銅基板，便于快捷安裝?完整的模塊封裝技術(shù)組合,，一站式購齊正向電流開始增加,，進入正向?qū)▍^(qū)，但此時電壓與電流不成比例如AB段,。陜西西門子模塊

    RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降,，還會造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,，從而克服了過沖電壓,。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源,，減小了吸收電路的功耗,。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時從電源電壓開始上升，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型,。從吸收過電壓的能力來說,，放電阻止型效果稍差，但能量消耗較小,。對緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L,；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無感吸收電容，它的引線應(yīng)盡量短,，**好直接接在IGBT的端子上,；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開通和快軟恢復(fù)二極管，以免產(chǎn)生開通過電壓,，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過電壓,。，得出了設(shè)計時應(yīng)注意的幾點事項：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,，能引起意外的電壓尖峰損害,，所以設(shè)計時應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響,；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很大的影響,，所以設(shè)計時要綜合考慮,；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值,，達到短路保護的目的,。福建模塊商城樹立了行業(yè)應(yīng)用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場,、太陽能發(fā)電廠,。

    但過小會導(dǎo)致di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰,。因此對串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計要求***綜合考慮,。柵極驅(qū)動電阻對驅(qū)動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩,，過大時脈沖的前后沿會發(fā)生延遲或變緩,。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率,，對于電流容量大的IGBT器件,，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此,，柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小,。：⑴光耦驅(qū)動電路，光耦驅(qū)動電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計時被***采用的一種電路,，由于線路簡單,，可靠性高，開關(guān)性能好,，被許多逆變器和變頻器廠家所采用,。由于驅(qū)動光耦的型號很多，所以選用的余地也很大,。驅(qū)動光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列,，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等,；⑵**集成塊驅(qū)動電路,，主要有IR的IR2111，IR2112,，IR2113等,，三菱的EXB系列，M57959,，M57962等,。IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩個功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT的柵極隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖,，實現(xiàn)電隔離可以采用脈沖變壓器,、微分變壓器和光電耦合器,。：一類是低倍數(shù)(～倍)的過載保護；一類是高倍數(shù)(8～10)的短路保護,。對于過載保護不必快速反應(yīng),，可采用集中式保護。

    但是各路之間在電路上必須相互隔離,，以防干擾或誤觸發(fā)四路驅(qū)動信號根據(jù)觸發(fā)相位分為兩組,，相位相反。圖3為一路柵極驅(qū)動電路,，整流橋B1、B2與電解電容C1,、C2組成整流濾波電路,，為驅(qū)動電路提供+25V和-15V直流驅(qū)動電壓。光耦6N137的作用是實現(xiàn)控制電路與主電路之間的隔離,，傳遞PWM信號,。電阻R1與穩(wěn)壓管VS1組成PWM取樣信號，電阻R2限制光耦輸入電流,。電阻R3,、R4與穩(wěn)壓管VS3、VS4分別組成,，分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅(qū)動電平,。Q3在光耦控制下，工作在開關(guān)狀態(tài),。MOSFET管Q1,、Q2組成推挽放大電路，將放大后的輸出信號輸入到IGBT門極,，提供門極的驅(qū)動信號,。當輸入控制信號，光耦U導(dǎo)通,，Q3截止,，Q2導(dǎo)通輸出+15V驅(qū)動電壓。當控制信號為零時,，光耦U截止,，Q3、Q1導(dǎo)通,，輸出-15V電壓,，在IGBT關(guān)斷時時給門極提供負的偏置，提高lGBT的抗干擾能力,。穩(wěn)壓管VS3～VS6分別對Q2,、Q1輸入驅(qū)動電壓限幅在-10V和+15V,，防止Q1、Q2進入深度飽和,，影響MOS管的響應(yīng)速度,。電阻R6、R7與電容C0為Q1,、Q2組成偏置網(wǎng)絡(luò),。其中的電容C0是為了在開通時，加速Q(mào)2管的漏極電流上升速度,，為柵極提供過沖電流,，加速柵極導(dǎo)通。圖3柵極驅(qū)動電路原理IGBT柵極耐壓一般在±20V左右,。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極,，N區(qū)的引出的電極稱為負極或陰極。

    igbt模塊IGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機,、變頻器,、開關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域,。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時,，雙向晶閘管被觸發(fā),，將負載電源接通,。甘肅模塊直銷價

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    三、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成,，不同的開關(guān)頻率,，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時間（ton,，toff）又是一對矛盾,，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時,，通態(tài)損耗是主要的,，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT,；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近,，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢,?！癒T3”由于開關(guān)速度更快，對吸收與布線要求更高,。若開關(guān)頻率在10KHz－15KHz之間,，請使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對于fk≤15KHz的應(yīng)用場合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”,，“DLC”或“DN2”,。當開關(guān)頻率fk≥15KHz時，開關(guān)損耗是主要的,，通態(tài)損耗占的比例比較小,。比較好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當然對于fk在15KHz－20KHz之間時,，“DN2”系列也是比較好的選擇,。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開關(guān)工作頻率可達40KHz,；若是軟開關(guān),，可工作在150KHz左右。IGBT在高頻下工作時,。陜西西門子模塊

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