英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件,、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率,，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍,，樹立了行業(yè)應(yīng)用**,。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場,、太陽能發(fā)電廠和儲能系統(tǒng)等；同時適用于工業(yè)和汽車級應(yīng)用,。優(yōu)勢：?高性價比?全程采用X射線100%監(jiān)測生產(chǎn)，保障產(chǎn)品的高性能和使用壽命?使用銅基板,，便于快捷安裝?完整的模塊封裝技術(shù)組合,，一站式購齊如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。新疆模塊智能系統(tǒng)

    IGBT模塊驅(qū)動及保護(hù)技術(shù)1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點,，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優(yōu)點,。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點,，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率應(yīng)用范圍中,，其中中,、大功率應(yīng)用占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓,，只有μA級的電流流過,，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF）,，在驅(qū)動脈沖的上升和下降沿需要提供數(shù)A級的充放電電流,，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)動電路也必須輸出一定的峰值電流,。IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件，存在著過流時可能發(fā)生閉鎖現(xiàn)象而造成損壞的問題,。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓,，需要采用軟關(guān)斷技術(shù),，因此掌握好IGBT的驅(qū)動和保護(hù)特性對于設(shè)計人員來說是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般只能達(dá)到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一,。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過**大額定柵極電壓,。常規(guī)模塊品牌隨外加電壓的增加正向電流迅速增加,，如BC段特性曲線陡直,，伏安關(guān)系近似線性，處于充分導(dǎo)通狀態(tài),。

    因此在驅(qū)動電路的輸出端給柵極加電壓保護(hù),，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管，如圖4所示,。圖4柵極保護(hù)電路柵極串聯(lián)電阻Rg對IGBT開通過程影響較大,。Rg小有利于加快關(guān)斷速度,，減小關(guān)斷損耗，但過小會造成di/dt過大,，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰,。根據(jù)本設(shè)計的具體要求，Rg選取Ω,。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合,，會產(chǎn)生振蕩電壓,，所以柵極引線應(yīng)采用雙絞線傳送驅(qū)動信號，并盡可能短,，比較好不超過m,，以減小連線電感,。四路驅(qū)動電路光耦與PWM兩路輸出信號的接線如圖5所示,。圖5四路驅(qū)動電路光耦與PWM的兩路輸出信號的接線實驗波形如圖6所示。圖6a是柵極驅(qū)動四路輸出波形,。同時測四路驅(qū)動波形時,，要在未接通主電路條件下檢測,。因為使用多蹤示波器檢測時,，只允許一只探頭的接地端接參考電位，防止發(fā)生短路燒壞示波器,。只有檢測相互間電路隔離的電路信號時,，才可以同時使用接地端選擇公共參考電位。圖6b是IGBT上集-射極電壓Uce波形,。由于全橋式逆變電路中IGBT相互間的電路信號是非隔離的，不能用普通探頭進(jìn)行多蹤示波,，該電壓波形是用高壓隔離探頭測得，示波器讀數(shù)為實際數(shù)值的1/50,。由波形可知，lGBT工作正常,。在橋式逆變電路中影響Uce波形的,。

    加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET,，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越***的應(yīng)用,，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位,。IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,，則MOSFET導(dǎo)通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通,；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,。EconoBRIDGE 整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2 和 Econo4 封裝中,。

    即檢測輸入端或直流端的總電流，當(dāng)此電流超過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn),，***所有IGBT輸入驅(qū)動脈沖,，使輸出電流降為零。這種過載過流保護(hù),，一旦動作后,要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作,。IGBT能夠承受很短時間的短路電流，能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導(dǎo)通壓降有關(guān),，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長,。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達(dá)15μS,，4～5V時可達(dá)到30μS以上,。存在以上的關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低,，短路電流同時增大,，短路時的功耗隨著電流的平方增大，造成承受短路時間迅速減小,。通常采取的保護(hù)措施有軟關(guān)斷和降柵壓兩種,。軟關(guān)斷是指在過流和短路時,，直接關(guān)斷IGBT,。但是，軟關(guān)斷抗干擾能力差,，一旦檢測到過流信號就關(guān)斷,，很容易發(fā)生誤動作。為增加保護(hù)電路的抗干擾能力,，可在故障信號和保護(hù)動作之間加一延時,，不過故障電流會在這個延時時間內(nèi)急劇上升，**增加了故障損耗,，同時還會導(dǎo)致器件的di/dt過大,。所以往往是保護(hù)電路啟動了，器件依然損壞了,。降柵壓旨在檢測到器件過流時,，馬上降低柵壓,，但器件仍維持導(dǎo)通。降柵壓后,，設(shè)有固定延時,，故障電流在這一段時間內(nèi)被限制在一個較小的值。當(dāng)外加正向電壓超過死區(qū)電壓時,，PN結(jié)內(nèi)電場幾乎被抵消,，二極管呈現(xiàn)的電阻很小。江蘇哪些是模塊推薦貨源

大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率,。新疆模塊智能系統(tǒng)

公司主要經(jīng)營IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等圍繞電子產(chǎn)品等器件,。電子元器件是元件和器件的總稱，是電子元件和小型的機器,、儀器的組成部分,，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用,；常指電器,、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件,，是電容,、晶體管、游絲,、發(fā)條等電子器件的總稱,。從細(xì)分領(lǐng)域來看，隨著4G,、移動支付,、信息安全、汽車電子,、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展,，集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展期;另外，LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在不斷擴(kuò)大,，半導(dǎo)體領(lǐng)域日益成熟,，面板價格止跌、需求關(guān)系略有改善等都為行業(yè)發(fā)展帶來了廣闊的發(fā)展空間,。伴隨我國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大,，珠江三角洲、長江三角洲,、環(huán)渤海灣地區(qū),、部分中西部地區(qū)四大電子信息產(chǎn)業(yè)基地初步形成,。這些地區(qū)的電子信息企業(yè)集中，產(chǎn)業(yè)鏈較完整,，具有相當(dāng)?shù)囊?guī)模和配套能力,。電子元器件行業(yè)是國家長期重點支持發(fā)展的重點產(chǎn)業(yè)，各地方政策也是積極招商引資,，在土地和稅收上給予行業(yè)內(nèi)企業(yè)優(yōu)惠,，支持企業(yè)擴(kuò)建廠房，升級產(chǎn)能,，通過同時引進(jìn)行業(yè)內(nèi)上下游企業(yè),，形成產(chǎn)業(yè)集群，提升行業(yè)運行效率和產(chǎn)業(yè)規(guī)模,，使得行業(yè)產(chǎn)能集中度不斷提高,，促進(jìn)行業(yè)頭部企業(yè)往高精技術(shù)、產(chǎn)品研發(fā)的進(jìn)程,。新疆模塊智能系統(tǒng)

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