3,、地板要平整有光澤,，花樣多吉祥如意的圖案比較好,。4,、玄關(guān)的燈光是很重要的一項(xiàng)內(nèi)容,，它可以調(diào)節(jié)家人的健康及財(cái)運(yùn)，光線不能太過于明亮,，否則一進(jìn)門來會(huì)刺眼也影響神經(jīng),。不能太暗,，一會(huì)招陰靈，二則使運(yùn)氣衰敗,。燈比較好選擇方圓的,，不能用三角燈型。5,、玄關(guān)處比較好不要放植物。6,、如果在玄關(guān)處安放鏡子，不能對著大門,，會(huì)使從大門進(jìn)來吉?dú)?、?cái)氣反射出去,。玄關(guān)頂上切不可貼鏡片，會(huì)使人有頭重腳輕的感覺,。玄關(guān)中有四項(xiàng)基本原則，掌握好了這些原則,，玄關(guān)便能夠化煞、防泄,，是家庭一帆風(fēng)順哦,。玄關(guān)原則之一是玄關(guān)的設(shè)計(jì)要透明8家庭用的照明開關(guān)是常開觸點(diǎn)對嗎有什么區(qū)別四開單控開關(guān)和四開雙控開關(guān)的功能區(qū)別:雙控開關(guān)是指,兩個(gè)開關(guān)控制一個(gè)燈,。單控開關(guān)是指,一個(gè)開關(guān)控制一個(gè)燈。四開開關(guān)也就是四位開關(guān),就是有四個(gè)開關(guān)按鈕,。單控開關(guān)在家庭電路中是常見的,也就是一個(gè)開關(guān)控制一件或多件電器,根據(jù)所聯(lián)電器的數(shù)量又可以分為單控單聯(lián),、單控雙聯(lián)、單控三聯(lián),、單控四聯(lián)等多種形式,。如:廚房使用單控單聯(lián)的開關(guān),一個(gè)開關(guān)控制一組照明燈光在客廳可能會(huì)安裝三個(gè)射燈,那么可以用一個(gè)單控三聯(lián)的開關(guān)來控制。雙控開關(guān)就是一個(gè)開關(guān)同時(shí)帶常開,、常閉兩個(gè)觸點(diǎn)(即為一對),。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。北京加工可控硅現(xiàn)貨

    即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測兩個(gè)極,，若正、反測指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極，剩下即為A極,。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極,。2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G,、A極,，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置,，則表明可控硅良好,。對于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極,，黑筆同時(shí)接G、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào),，重復(fù)上述步驟測一次。福建進(jìn)口可控硅值得推薦按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。

    圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。

    在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,?？煽毓柙頍o觸點(diǎn)開關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān),。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其明顯特點(diǎn)是無噪音,壽命長?？煽毓柙懋a(chǎn)品特性編輯可控硅陽極A1與第二陽極A2間,，無論所加電壓極性是正向還是反向,。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。

    TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時(shí),，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,，這個(gè)電勢與電源串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍,。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程，會(huì)產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容,，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓,?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多,。福建進(jìn)口可控硅值得推薦

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。北京加工可控硅現(xiàn)貨

    可控硅觸發(fā)器/板是驅(qū)動(dòng)晶閘管的移相型電力控制器,，其部件采用高性能、高可靠性的單片機(jī),。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性,，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?，F(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成,。接線簡單,，操作方便,，可接受信：，手動(dòng)電位器10K,，自帶限幅可調(diào)電位器,，軟起時(shí)間可設(shè)定,，功能多樣化,。一般分為單相可控硅觸發(fā)板，三相可控硅觸發(fā)板,。雙向可控硅觸發(fā)板等,，輔助功能有：常用的開環(huán)觸發(fā)板比較多,，有閉環(huán)的,，含恒流,，恒壓，限壓,，限流,，軟起動(dòng),，限幅等,。觸發(fā)類型上分：光電隔離型觸發(fā)板，脈沖變壓型觸發(fā)板,，變壓器隔離型觸發(fā)板,，還有模擬觸發(fā)電路型等,。它可的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載,、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等,。*以鎳鉻,、鐵鉻鋁,、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制,。*鹽浴爐,、工頻感應(yīng)爐,、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制,。*整流變壓器,、調(diào)功機(jī)（純電感線圈）、電爐變壓器一次側(cè),、升磁/退磁調(diào)節(jié)、直流電機(jī)控制,。*電壓、電流,、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級平滑調(diào)節(jié)。北京加工可控硅現(xiàn)貨

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司依托可靠的品質(zhì),，旗下品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞,。江蘇芯鉆時(shí)代經(jīng)營業(yè)績遍布國內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū)，業(yè)務(wù)布局涵蓋IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器等板塊,。我們在發(fā)展業(yè)務(wù)的同時(shí),，進(jìn)一步推動(dòng)了品牌價(jià)值完善。隨著業(yè)務(wù)能力的增長,，以及品牌價(jià)值的提升,，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力,。公司坐落于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，業(yè)務(wù)覆蓋于全國多個(gè)省市和地區(qū),。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn),。