三、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。四、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。五,、按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。六、過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅,。七、非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,，常見的是移相觸發(fā),，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比,?？煽毓枋褂靡?guī)則1,、為了導通閘流管（或雙向可控硅）,，必須有門極電流≧IGT,，直至負載電流達到≧IL，這條件必須滿足,，并按可能遇到的低溫度考慮,。2、要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值。山東貿(mào)易可控硅銷售廠家

    可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,，還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷,；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽w器件一樣,，有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制,、機電應用,、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多,?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G）,，管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁脮r,，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。北京定制可控硅供應商控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。

    可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了,?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。大家知道，晶閘管G,、K之間是一個PN結(jié)（a）,，相當于一個二極管，G為正極,、K為負極,，所以，按照測試二極管的方法,，找出三個極中的兩個極,，測它的正、反向電阻,，電阻小時,，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。可控硅測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）[1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,。

    陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓璧姆诸愐?、按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。二,、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。

    現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定,，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,，所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù)）在國外發(fā)達國家,，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi),，北京,、上海、廣州等大城市,，已對諧波含量超標的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用,。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染,。近年來,，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,。應用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明,、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實質(zhì)上就是一個交流調(diào)壓器,，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實現(xiàn)的,，如下圖所示,。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形，經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,，由于其幅度小于u1,，使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中,，雖然改變了正弦交流電的幅值,，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器,、電阻器相比,，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機理，它是采用相位控制方法來實現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對于普通反向阻斷型可控硅,。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。北京定制可控硅供應商

可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。山東貿(mào)易可控硅銷售廠家

    圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏,、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進行電導調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。山東貿(mào)易可控硅銷售廠家

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型公司,。公司業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等,，價格合理，品質(zhì)有保證,。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念,，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導,，以自主產(chǎn)品為重點,，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌,。江蘇芯鉆時代立足于全國市場,，依托強大的研發(fā)實力，融合前沿的技術(shù)理念,，及時響應客戶的需求,。