本實(shí)用新型屬于智能功率模塊保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域,，涉及一種ipm模塊短路檢測(cè)電路。背景技術(shù)：ipm(intelligentpowermodule),，即智能功率模塊,，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且其內(nèi)部還集成有過電壓,，過電流和過熱等故障檢測(cè)電路,，并可將檢測(cè)信號(hào)送到cpu。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成,。即使發(fā)生負(fù)載事故或使用不當(dāng),，也可以保證ipm自身不受損壞。近年來,，ipm模塊已經(jīng)在汽車電子,、機(jī)車牽引和新能源等各個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。隨著ipm模塊在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用,，對(duì)ipm模塊的及其應(yīng)用的要求也進(jìn)一步提高,，由于大功率ipm模塊通常工作在高壓大電流的條件下，在系統(tǒng)運(yùn)行的過程中,，ipm模塊會(huì)出現(xiàn)短路損壞的問題,，嚴(yán)重影響其應(yīng)用。因此,，ipm模塊的短路檢測(cè)是其中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),。由于ipm模塊的開關(guān)速度越來越快，ipm模塊發(fā)生短路時(shí)的電流是額定電流的4-6倍,，如果不能快速的檢測(cè)到短路故障,保護(hù)電路不能***時(shí)間進(jìn)行器件保護(hù),，這將不可避免的導(dǎo)致ipm模塊發(fā)生損壞，所以對(duì)ipm模塊進(jìn)行短路監(jiān)測(cè)的精度要求肯定越來越高，而傳統(tǒng)的ipm模塊退飽和檢測(cè)法的劣勢(shì)將會(huì)越來越明顯,，由于設(shè)置的基準(zhǔn)電壓不準(zhǔn)確更有可能導(dǎo)致退飽和短路檢測(cè)方法下的誤動(dòng)作,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,。重慶模塊工業(yè)化

    從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,，門極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為,，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后,，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源,，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路,。天津品質(zhì)模塊進(jìn)貨價(jià)當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,，一般所說的IGBT也指IGBT模塊。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0智能功率模塊編輯鎖定討論上傳視頻智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,，是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗,、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn),。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制,、檢測(cè)和保護(hù)電路,，使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化,、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越***的應(yīng)用,。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機(jī)制3電路設(shè)計(jì)智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速,、低功率的IGBT芯片和推薦的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，如圖1所示,。其中,，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn),。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT),、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT),。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣,。

    IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”,。它有什么作用呢？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候,，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的,。我在說明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載,。電阻做負(fù)載,，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題,。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的,，接在電機(jī)的定子上面,，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”,。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變,。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面,，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”,。有了這個(gè)續(xù)流二極管,，電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢,？如下圖,，負(fù)載上換成了一個(gè)電感L。當(dāng)1/4開通時(shí),，電感上會(huì)有電流流過,。然后PWM波控制1/4關(guān)斷，這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個(gè)電路中就沒有電流流過,。由于電感L接在電路中,，電感的特性，電流不能突然中斷,，所以電感中此時(shí)還有電流流過,，同時(shí)因?yàn)殡娐飞想娏髦袛嗔耍瑢?dǎo)致它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì),，這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將通過3的續(xù)流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。

    本發(fā)明涉及電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件,，如晶閘管,、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管,、可控硅,、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此，針對(duì)上述問題,，有必要提出進(jìn)一步的解決方案,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼,、蓋板,、銅底板、形成于所述蓋板上的***接頭,、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述***晶閘管單元包括：***壓塊,、***門極壓接式組件,、***導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片,、瓷板,，所述***壓塊設(shè)置于所述***門極壓接式組件上，并通過所述***門極壓接式組件對(duì)所述***導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板施加壓合作用力，所述***導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊,、第二門極壓接式組件,、第三導(dǎo)電片、鉬片,、銀片,、鋁片，所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門極壓接式組件上,。IGBT模塊的應(yīng)用非常***,，它可以用于汽車、船舶,、飛機(jī),、電梯,、電力系統(tǒng)、電力調(diào)節(jié)器,。陜西模塊供應(yīng)商家

從應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模占比來看,，中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用以新能源汽車、工業(yè)控制及消費(fèi)電子為主,，占比分別是30%,。重慶模塊工業(yè)化

    所述第三接頭6包括：第三螺栓和第三螺母，所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈,。此外,，所述***晶閘管單元中，所述***壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管,。其中,，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地,，所述第二晶閘管單元中,，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中,，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈,。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座,。綜上所述,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置***接頭、第二接頭和第三接頭,、封裝于外殼內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,。因此,，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi),。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外,，應(yīng)當(dāng)理解,，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述,。重慶模塊工業(yè)化