多個(gè)直流母線電容一側(cè)設(shè)置在鈑金固定板上,。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負(fù)疊層銅排14,，正疊層銅排和負(fù)疊層銅排之間設(shè)置有第二絕緣層15,。所述的直流母線電容組件另一側(cè)面與疊層母排的正疊層銅排并聯(lián)連接，直流母線電容組件通過疊層母排設(shè)置在一絕緣層的兩側(cè),。直流母線電容組件通過箱體風(fēng)道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動(dòng)板16和多個(gè)IGBT元件17,，多個(gè)IGBT元件通過IGBT驅(qū)動(dòng)板設(shè)置在液冷換熱器的兩側(cè)。所述的鈑金隔板底面形成有兩個(gè)連接口18,，液冷換熱器設(shè)置在兩個(gè)連接口之間的鈑金隔板上,，液冷換熱器兩側(cè)緊鄰設(shè)置的IGBT功率組件分別與兩個(gè)連接口相對(duì)應(yīng)，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱,。液冷換熱器上方為一絕緣層,，且直流母線電容組件通過鈑金固定板設(shè)置在鈑金隔板兩側(cè)，直流母線電容組件與IGBT功率組件的位置上下相對(duì)應(yīng),，疊層母排分別與直流母線電容組件和IGBT功率組件的輸入端并聯(lián)連接,。所述的鈑金隔板下方設(shè)置有箱體底座10，箱體底座上設(shè)置的交流輸出銅排與IGBT功率組件的輸出端并聯(lián)連接,。如圖5所示,，所述的交流輸出銅排包括設(shè)置在一端的多個(gè)匯流爪19、與匯流爪連接的銅排20以及垂直設(shè)置在另一端的絕緣固定塊21,，交流輸出銅排的一端穿過鈑金隔板上的連接口,。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO),。湖北哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊

    包括：裝設(shè)于支架本體的安裝位上的功率模塊,，穿設(shè)于所述連接柱的pcb板，所述功率模塊的背部還設(shè)有導(dǎo)熱墊,，所述導(dǎo)熱墊的背部設(shè)有散熱體,。其中，所述功率模塊上設(shè)有定位孔,，所述定位孔與所述容納槽底部的定位柱插裝,。其中，所述散熱體上設(shè)有多個(gè)螺紋孔柱,，所述導(dǎo)熱墊上設(shè)有與所述螺紋孔柱對(duì)應(yīng)的安裝孔,，組裝時(shí),，螺紋孔柱與支架本體上的連接柱對(duì)應(yīng)。其中,，所述pcb板上設(shè)有與連接柱對(duì)應(yīng)的穿孔,，組裝時(shí),，pcb板通過所述穿孔穿設(shè)于支架本體的連接柱上,，所述連接柱內(nèi)穿設(shè)有螺釘，所述螺釘?shù)牧硪欢寺萁佑谏狍w上的螺紋孔柱,，以致將pcb板,、支架本體，功率模塊,、導(dǎo)熱墊和散熱體固定連接,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的一種功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu),，將多個(gè)該功率模塊集成到一起,，進(jìn)行統(tǒng)一安裝和定位，實(shí)現(xiàn)模塊裝配的集成化,，節(jié)省生產(chǎn)成本,、提高了生產(chǎn)效率。上述說明是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述,，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型技術(shù)手段,，可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的,、特征及優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,，以下特舉較佳實(shí)施例，詳細(xì)說明如下,。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的功率模塊機(jī)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)示意圖,。圖2為本實(shí)用新型的功率模塊機(jī)構(gòu)的圖。河南哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊供應(yīng)要使系統(tǒng)真正安全,、可靠運(yùn)行,，需要輔助的保護(hù)電路。

    將相鄰引腳隔離,。進(jìn)一步的,，所述連接柱33由容納槽321的底部向外伸出，連接柱33上還設(shè)有通孔331,。如圖3所示,，所述支架本體31上還設(shè)有若干加強(qiáng)筋310。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2,，本實(shí)施例的應(yīng)用于汽車控制的功率模塊機(jī)構(gòu),，包括：裝設(shè)于支架本體31的安裝位上的功率模塊4,，穿設(shè)于所述連接柱33的pcb板2，所述功率模塊4的背部還設(shè)有導(dǎo)熱墊5,，所述導(dǎo)熱墊5的背部設(shè)有散熱體6,。其中，所述功率模塊4上設(shè)有定位孔41,，所述定位孔41與所述容納槽321底部的定位柱322插裝,。定位柱322與功率模塊4上的定位孔41之間過盈配合。功率模塊4的引腳42沿著引腳槽323后向上彎折,，以便與pcb板2電連接,。進(jìn)一步的，所述散熱體6上設(shè)有多個(gè)螺紋孔柱61,，所述導(dǎo)熱墊5上設(shè)有與所述螺紋孔柱61對(duì)應(yīng)的安裝孔51,，組裝時(shí)，螺紋孔柱61與支架本體31上的連接柱33對(duì)應(yīng),。其中,，所述pcb板2上設(shè)有與連接柱33對(duì)應(yīng)的穿孔21，組裝時(shí),，pcb板2通過所述穿孔21穿設(shè)于支架本體31的連接柱33上,，所述連接柱33內(nèi)穿設(shè)有螺釘1，所述螺釘1的另一端螺接于散熱體6上的螺紋孔柱61,，以致將pcb板2,、支架本體3，功率模塊4,、導(dǎo)熱墊5和散熱體6固定連接,。其組裝過程如下：先將功率模塊支架3和多個(gè)功率模塊4集成裝配到一起；在散熱體6上安裝導(dǎo)熱墊5,。

    由于鉛會(huì)破壞人類神經(jīng)系統(tǒng)以及妨礙胎兒發(fā)育,，故目前世界各國(guó)正努力尋找無鉛接合材料。然而,，無鉛焊錫主要成份為錫銀銅合金,，該合金在高溫環(huán)境下易形成介金屬化合物(cu6sn5與cu3sn)，一旦此介金屬化合物形成后,，接點(diǎn)在高溫下(＞150℃)的機(jī)械強(qiáng)度則降為原來的三分之一,，且在長(zhǎng)時(shí)間的熱循環(huán)下容易形成孔洞，使得接合強(qiáng)度更為脆弱,。再者,，當(dāng)孔洞形成后，增加高功率模塊內(nèi)部散熱鰭片與功率集成電路(integratedcircuit,ic)組件的接口熱阻,，導(dǎo)致散熱不易,，終使得高功率模塊熱失效,。故，一般無法符合使用者于實(shí)際使用時(shí)所需,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于,，克服已知技術(shù)所遭遇的上述問題，并提供一種使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％),，且99％以上為純銀,，故長(zhǎng)時(shí)間使用下將無有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)的產(chǎn)生，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定,，不會(huì)產(chǎn)生任何介金屬化合物,，從而不會(huì)有因制程(環(huán)境)溫度而脆化的問題的高功率模塊的制備方法。本發(fā)明的次要目的在于,，提供一種使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料,，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無鉛焊錫)的兩倍以上,，將可取代錫銀銅合金及鉛錫與銀鉛錫合金。驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口,，良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率,、可靠性有重要意義。

    公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進(jìn)行隔開,；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共集電極單元,；接地區(qū)域設(shè)置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處；電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測(cè)電阻連接,，以使檢測(cè)電阻上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本申請(qǐng)避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，提高了檢測(cè)電流的精度,。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊，與上述實(shí)施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術(shù)特征,，所以也能解決相同的技術(shù)問題,，達(dá)到相同的技術(shù)效果。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到,，為描述的方便和簡(jiǎn)潔,，上述描述的半導(dǎo)體功率模塊的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的igbt芯片對(duì)應(yīng)過程,，在此不再贅述,。另外，在本發(fā)明實(shí)施例的描述中,，除非另有明確的規(guī)定和限定,，術(shù)語“安裝”,、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,，例如,，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接,，或一體地連接,；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接,；可以是直接相連,，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通,。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。在本發(fā)明的描述中,，需要說明的是,。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣,。湖北優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IPM模塊供應(yīng)商

過流,、短路、過熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況,，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作,。湖北哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊

    本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊，如圖15所示,，半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51,，還包括驅(qū)動(dòng)集成塊52和檢測(cè)電阻40。具體地,，如圖16所示,，igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上，驅(qū)動(dòng)集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接,，以便于驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20工作,；si端口通過模塊引線端子521與檢測(cè)電阻40連接，用于獲取檢測(cè)電阻40上的電壓,；以及,，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測(cè)區(qū)域的一發(fā)射極單元101引出的導(dǎo)線522連接，檢測(cè)電阻40的另一端還分別與電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接,，從而通過si端口獲取檢測(cè)電阻40上的測(cè)量電壓,，并根據(jù)該測(cè)量電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊,，設(shè)置有igbt芯片,，其中,，igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域,；其中,，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且,，一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置,；一表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元，以及,，工作區(qū)域的一發(fā)射極單元,、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中,，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接,。湖北哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊