當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時,，可控硅方可關斷,。當然，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通,，但已屬于非正常工作情況了。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,。安徽進口英飛凌可控硅供應

    AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--斷態(tài)重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率可控硅延伸閱讀編輯1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲,。2,、關于轉(zhuǎn)換電壓變化率當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移,。當負載電流過零時,，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系,，電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅。福建加工英飛凌可控硅這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流,。

    可控硅基礎知識環(huán)昕微可控硅基礎知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴,。在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子,，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子,，由熱激發(fā)形成,。空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負離子,。三價雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì),。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子,。在N型半導體中自由電子是多數(shù)載流子,，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成,。提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,，因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。在P型半導體和N型半導體結合后,，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少,，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別,。這樣,，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。于是,，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴散,，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴散。它們擴散的結果就使P區(qū)一邊失去空穴,，留下了帶負電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子,，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導體中的離子不能任意移動,，因此不參與導電,。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū),，就是所謂的PN結,。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。

    可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱,?？煽毓栌袉蜗颉㈦p向,、可關斷和光控幾種類型,。它具有體積小、重量輕,、效率高,、壽命長、控制方便等優(yōu)點,，被用于可控整流,、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合,。單向可控硅是一種可控整流電子元件,，能在外部控制信號作用下由關斷變?yōu)閷ǎ坏?，外部信號就無法使其關斷,，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比,，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制,；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用,?？煽毓鑼l件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個條件必須同時具備,，可控硅才會處于導通狀態(tài)。另外,，可控硅一旦導通后,，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通,?？煽毓桕P斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下,。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。

    故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài),。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結,，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。從圖3,，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用,。在晶閘管導通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,，由于a1和a1迅速下降,，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態(tài),?？煽毓柙碇饕猛揪庉嬁煽毓柙碚髌胀煽毓杌镜挠猛揪褪强煽卣鳌４蠹沂煜さ亩O管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅,，就可以構成可控整流電路。我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。它有三個PN結（J1,、J2、J3）,，從J1結構的P1層引出陽極A,。安徽進口英飛凌可控硅供應

可控硅元件的結構 不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構,。安徽進口英飛凌可控硅供應

    此時萬用表指針應不動,。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,，陰極接紅表筆時,，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。單向可控硅單向和雙向可控硅的區(qū)分編輯單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測兩個極,，若正、反測指針均不動（R×1擋）,，可能是A、K或G,、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極。安徽進口英飛凌可控硅供應