二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級,，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時,，半導(dǎo)體受熱激發(fā),，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加,。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時,，反向電流會突然增大,，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓,。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞,，在撤除外加電壓后,，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了,。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高,。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,，因勢壘區(qū)寬度很小,，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),，使價電子脫離共價鍵束縛,，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大,，這種擊穿稱為齊納擊穿,。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬,，不容易產(chǎn)生齊納擊穿,。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時,，外加電場使電子漂移速度加快,，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵,，產(chǎn)生新的電子-空穴對,。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。它們的結(jié)構(gòu)為點接觸型,。其結(jié)電容較小,，工作頻率較高,，一般都采用鍺材料制成,。上海本地Sirectifier矽萊克二極管模塊

一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個PN結(jié),，有正極和負極兩個端子,。二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極流入,，負極流出,。中文名整流二極管外文名rectifierdiode類別半導(dǎo)體器件特性單方向?qū)щ婋娏髁飨蛘龢O流入，負極流出包含PN結(jié),，有正極和負極兩個端子損壞原因運行條件惡劣,、運行管理欠佳等目錄1概述2選用3特性4常用參數(shù)5損壞原因6代換7檢查方法8常用型號9高頻整流二極管的特性與參數(shù)整流二極管概述編輯整流二極管(rectifierdiode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,，電流只能從二極管的正極流入，負極流出,。通常它包含一個PN結(jié),，有正極和負極兩個端子。其結(jié)構(gòu)如圖所示,。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時,，位壘降低,，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子，能通過大電流,，具有低的電壓降（典型值為）,稱為正向?qū)顟B(tài),。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓,，流過很小的反向電流（稱反向漏電流）,，稱為反向阻斷狀態(tài)。整流二極管具有明顯的單向?qū)щ娦?。安徽Sirectifier矽萊克二極管模塊代理商二極管是用半導(dǎo)體材料(硅,、硒、鍺等)制成的一種電子器件,。

則指給定反向漏電流條件下的電壓值,。（5）高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴散電容決定,，若工作頻率超過fm,，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz,。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流,，如開關(guān)電源中。（6）反向恢復(fù)時間trr：指在規(guī)定的負載,、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時間,。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結(jié)電容的容量之和,。值得注意的是,，由于制造工藝的限制,，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍,，若測試條件改變,，則相應(yīng)的參數(shù)也會發(fā)生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA,，而在100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA,。整流二極管損壞原因編輯（1）防雷、過電壓保護措施不力,。整流裝置未設(shè)置防雷,、過電壓保護裝置，即使設(shè)置了防雷,、過電壓保護裝置,，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管,。（2）運行條件惡劣,。間接傳動的發(fā)電機組，因轉(zhuǎn)速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求,，使發(fā)電機長期處于高轉(zhuǎn)速下運行,，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作。

二極管,，（英語：Diode）,，電子元件當(dāng)中，一種具有兩個電極的裝置,，只允許電流由單一方向流過,，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器,。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能,。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）,。因此,，二極管可以想成電子版的逆止閥。早期的真空電子二極管,；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件,。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向,，具備單向電流的傳導(dǎo)性,。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面,。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,，構(gòu)成自建電場。當(dāng)外加電壓等于零時,，由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),，這也是常態(tài)下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”）?，F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺,。阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流,。

許多初學(xué)者對二極管很“熟悉”,，提起二極管的特性可以脫口而出它的單向?qū)щ娞匦裕f到它在電路中的應(yīng)用反應(yīng)是整流,，對二極管的其他特性和應(yīng)用了解不多,，認(rèn)識上也認(rèn)為掌握了二極管的單向?qū)щ娞匦裕湍芊治龆O管參與的各種電路,，實際上這樣的想法是錯誤的,，而且在某種程度上是害了自己，因為這種定向思維影響了對各種二極管電路工作原理的分析,，許多二極管電路無法用單向?qū)щ娞匦詠斫忉屍涔ぷ髟?。二極管除單向?qū)щ娞匦酝猓€有許多特性,，很多的電路中并不是利用單向?qū)щ娞匦跃湍芊治龆O管所構(gòu)成電路的工作原理,，而需要掌握二極管更多的特性才能正確分析這些電路，例如二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路,，二極管構(gòu)成的溫度補償電路等,。二極管簡易直流穩(wěn)壓電路及故障處理二極管簡易穩(wěn)壓電路主要用于一些局部的直流電壓供給電路中，由于電路簡單,，成本低,，所以應(yīng)用比較廣。二極管簡易穩(wěn)壓電路中主要利用二極管的管壓降基本不變特性,。二極管的管壓降特性：二極管導(dǎo)通后其管壓降基本不變,，對硅二極管而言這一管壓降是，對鍺二極管而言是,。如圖9-40所示是由普通3只二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路,。電路中的VD1、VD2和VD3是普通二極管,，它們串聯(lián)起來后構(gòu)成一個簡易直流電壓穩(wěn)壓電路,。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開,。廣東品質(zhì)Sirectifier矽萊克二極管模塊

常用來觸發(fā)雙向可控硅,，在電路中作過壓保護等用途。上海本地Sirectifier矽萊克二極管模塊

快速恢復(fù)整流二極管和超快恢復(fù)整流二極管在開關(guān)電源中作為整流器件使用時是否需要散熱器,，要根據(jù)電路的大功率來決定,。一般情況下，這些二極管在制造時允許的結(jié)溫在175℃,，生產(chǎn)廠家對該指標(biāo)都有技術(shù)說明,，以提供給設(shè)計者去計算大的輸出工作電流、電壓及外殼溫度等,。肖特基整流二極管即使在大的正向電流作用下,，其正向壓降也很低，有,，而且,，隨著結(jié)溫的增加，其正向壓降更低,，因此,，使得肖特基整流二極管特別適用于5V左右的低電壓輸出電路中。肖特基整流二極管的反向恢復(fù)時間是可以忽略不計的,，因為此器件是多數(shù)載流子半導(dǎo)體器件,，在器件的開關(guān)過程中，沒有少數(shù)載流子存貯電荷的問題,。肖特基整流二極管有兩大缺點：其一,，反向截止電壓的承受能力較低，產(chǎn)品大約為100V;其二,，反向漏電流較大,，使得該器件比其他類型的整流器件更容易受熱擊穿。當(dāng)然,，這些缺點也可以通過增加瞬時過電壓保護電路及適當(dāng)控制結(jié)溫來克服,。表示出了典型的高速整流二極管的特性與參數(shù)。上海本地Sirectifier矽萊克二極管模塊