可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a）,，相當(dāng)于一個(gè)二極管,，G為正極,、K為負(fù)極，所以,，按照測(cè)試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。可控硅測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）[1],?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,。別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。天津本地Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商

    可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等?？煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,。天津本地Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。

    這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向單向可控硅的工作原理圖導(dǎo)通結(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置,，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施,。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制,、燈光控制,、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路。二者比較單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）,、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連,，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）,。單,、雙向可控硅的判別先任測(cè)兩個(gè)極，若正,、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A、K或G,、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）,。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G、A極,。

    驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí),，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換,，由于相位差電壓并不為零,。這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過允許值,，會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài),，因?yàn)檩d流子沒有充分的時(shí)間自結(jié)上撤出,。V/uSdICOM/dt切換時(shí)負(fù)載電流下降率dICOM/dt高,，則dVCOM/dt承受能力下降,。結(jié)面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越下降,。假如雙向可控硅的dVCOM/dt的允許值有可能被超過,，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在T1和T2間裝置RC緩沖電路,，以此限制電壓上升率,。通常選用47~100Ω的能承受浪涌電流的碳膜電阻，μF~μF的電容,，晶閘管關(guān)斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流,，此過程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路,。A/mStgtGateControlledDelayTime門極控制延遲時(shí)間-usTqCircuitCommutatedTurn-offTime周期轉(zhuǎn)換關(guān)斷時(shí)間恢復(fù)晶閘管電壓阻斷能力所需的小電路換流反壓時(shí)間,。usRdDynamicResistance。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。

    當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)āｋp向可控硅產(chǎn)品特性編輯雙向可控硅一陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和一陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)一陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。雙向可控硅觸發(fā)電路編輯將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,，就組成了雙向可控硅一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路,。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,，因此R2還可起開關(guān)的作用,。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,?？煽毓璧奶匦灾饕?1.陽(yáng)極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū),。天津本地Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商

大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。天津本地Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商

    此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng),。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,，陰極接紅表筆時(shí),，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。單向可控硅單向和雙向可控硅的區(qū)分編輯單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）,、陽(yáng)極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連,，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極,，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A,、K或G,、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）,。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對(duì)于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極。天津本地Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商