除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),，應(yīng)立即更換,。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出,，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商

具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié),。因此,，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極,。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極,，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中,，紅表筆接的是陰極K,，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A,，若兩次測出的阻值均很大,，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個(gè)電極為止,。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,，若正,、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G,。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細(xì)的引線端為門極G,，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A,，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A,。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連,。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,，可用萬用表R×1檔測量。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商因?yàn)樗梢韵耖l門一樣控制電流,，所以稱之為“晶體閘流管”,。

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起,。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,，從電路功能上可以把它等效成圖3(c),，也就是說，一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的,。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通,。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極,。它的任何一個(gè)主電極,，對圖3(b)中的兩個(gè)晶閘管管子來講，對一個(gè)管子是陽極,，對另一個(gè)管子就是陰極,，反過來也一樣。因此,，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓,，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通。不*如此,，雙向晶閘管還有一個(gè)重要的特點(diǎn),，這就是：不管觸發(fā)信號的極性如何，也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。雙向晶閘管的這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒有的?？焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作,。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時(shí)間，同時(shí)陽極電壓上升速度太快時(shí),，會使元件誤導(dǎo)通,；陽極電流上升速度太快時(shí),，會燒毀元件。

若用于交直流電壓控制,、可控整流,、交流調(diào)壓、逆變電源,、開關(guān)電源保護(hù)電路等,，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關(guān),、交流調(diào)壓,、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器,、固態(tài)接觸器等電路中,，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速,、斬波器,、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等，可選用門極關(guān)斷晶閘管,。若用于鋸齒波發(fā)生器,、長時(shí)間延時(shí)器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,，可選用BTG晶閘管,。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器,、超聲波電路,、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)晶閘管,。若用于光電耦合器,、光探測器、光報(bào)警器,、光計(jì)數(shù)器,、光電邏輯電路及自動(dòng)生產(chǎn)線的運(yùn)行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管,。2．選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定,。所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍,。晶閘管的正向壓降,、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各項(xiàng)要求，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作,。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知,，其門極G與陰極K極之間為一個(gè)PN結(jié)。在使用過程中,，晶閘管對過電壓是很敏感的,。

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用,，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后,，由于載流子復(fù)合過程比較慢,，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr,。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會重新正向?qū)ǎ皇荛T極電流控制而導(dǎo)通,。所以在實(shí)際應(yīng)用中,，需對晶閘管施加足夠長時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時(shí)間t,、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外,，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓,。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù),。晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商

晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓，是指門極開路時(shí),，允許加在陽極,、陰極之間的比較大反向電壓。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無感電容，接線應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對時(shí)間短、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí),。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商