除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小,、散熱通風條件等因素,。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現有短路或斷路現象時,，應立即更換,。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置,。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析,。1,、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個光潔的小孔,，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿,。2,、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,，且粗糙,，其位置在遠離控制極上。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商

具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯的PN結,。因此,，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極,，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極,。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),，則可判定黑表筆接的是門極G,。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K,，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中,，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大,，則說明黑表筆接的不是門極G,，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止,。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,，若正,、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G,。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細的引線端為門極G,，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A,，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A,。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連,。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,，可用萬用表R×1檔測量。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商因為它可以像閘門一樣控制電流,，所以稱之為“晶體閘流管”,。

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,，它們之間正好是一正一反地并聯在一起,。我們把這種聯接叫做反向并聯。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c),，也就是說,，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導通,。對雙向晶閘管來說,，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極,，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極,，反過來也一樣,。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓,，它都能被觸發(fā)導通,。不*如此，雙向晶閘管還有一個重要的特點,，這就是：不管觸發(fā)信號的極性如何,，也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通,。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的,。快速晶閘管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作,。因為器件的導通或關斷需要一定時間,，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導通,；陽極電流上升速度太快時,，會燒毀元件。

若用于交直流電壓控制,、可控整流,、交流調壓、逆變電源,、開關電源保護電路等,，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關,、交流調壓,、交流電動機線性調速,、燈具線性調光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,，應選用雙向晶閘管,。若用于交流電動機變頻調速、斬波器,、逆變電源及各種電子開關電路等,，可選用門極關斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器,、長時間延時器,、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG晶閘管,。若用于電磁灶,、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路,、超導磁能儲存系統及開關電源等電路,，可選用逆導晶閘管。若用于光電耦合器,、光探測器,、光報警器、光計數器,、光電邏輯電路及自動生產線的運行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管,。2．選擇晶閘管的主要參數：晶閘管的主要參數應根據應用電路的具體要求而定,。所選晶閘管應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍,。晶閘管的正向壓降,、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數應符合應用電路(指門極的控制電路)的各項要求，不能偏高或偏低,，否則會影響晶閘管的正常工作,。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結,。在使用過程中,，晶閘管對過電壓是很敏感的。

在恢復電流快速衰減時,，由于外電路電感的作用,，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t,。[1]反向恢復過程結束后，由于載流子復合過程比較慢,，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,，這叫做反向阻斷恢復時間tgr。在反向阻斷恢復時間內如果重新對晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會重新正向導通,，而不受門極電流控制而導通。所以在實際應用中,，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時間t、關斷時間t及觸發(fā)電流IGT外,，本文比較關注的晶閘管的其它主要參數包括：斷態(tài)（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結溫為額定值時,，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結溫不超過額定結溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數,。晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商

晶閘管的主要參數有反向最大電壓,，是指門極開路時，允許加在陽極,、陰極之間的比較大反向電壓,。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現振蕩，常加阻尼電阻,，構成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側、直流側,，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間,。吸收進行電路設計好方法選用無感電容,，接線應盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變容器等非線性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的,，有時對時間短,、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關,，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性,，能多次使用,，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結晶,，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當加上電壓時。吉林本地意大利POSEICO晶閘管模塊代理商