晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極,，陰極和控制極,；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。3.晶閘管在導通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓,，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通,，即晶閘管導通后,，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下,，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關斷。因為它可以像閘門一樣控制電流,，所以稱之為“晶體閘流管”,。山西好的瑞士ABB晶閘管模塊銷售價格

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時,，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,，導致回路中產(chǎn)生較大直流分量,，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,，可在模塊輸出端接一固定電阻,，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定）。（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,，極易掀起折斷,，接線時應注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱,。（4）模塊不能當作隔離開關使用。為保證安全,，模塊輸入端前面需加空氣開關,。（5）測量模塊工作殼溫時，測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面,?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器中心，把熱電偶探頭插到孔底,。要求該測試點的溫度應≤80℃,。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a）工作頻率f為50Hz；b）模塊輸入交流電壓VIN（RMS）范圍：額定電壓為220VAC時為170～250VAC,、額定電壓為380VAC時為300～450VAC（輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時,，應專門定做）；c）三相交流輸出電壓不對稱度<6%,；d）控制電源電壓12VDC,；e）控制信號：VCON為0～10VDC；f）控制信號電流ICON≤1mA,；g）輸出電壓溫度系數(shù)<,。山西好的瑞士ABB晶閘管模塊銷售價格晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài),。

晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,，處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài))，簡稱斷態(tài),。當陽極電壓上升到某一數(shù)值時,，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導通狀態(tài)，簡稱通態(tài),。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM),，或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導通后,，元件中流過較大的電流,，其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,，陽極電流隨之減小,，當陽極電流小于維持電流IH時，晶閘管便從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài),。由圖可看出,，當晶閘管控制極流過正向電流Ig時，晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,，Ig越大,，轉(zhuǎn)折電壓越小，當Ig足夠大時,，晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,，一加上正向陽極電壓，晶閘管就導通,。實際規(guī)定,，當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時，能使元件導通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓),。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時,，開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)，只有很小的反向漏電流流過,。當反向電壓增大到某一數(shù)值時,，反向漏電流急劇增大，這時,，所對應的電壓稱為反向不重復峰值電壓(URSM),，或稱反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)?？梢?，晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似,。晶閘管晶閘管的開通和關斷的動態(tài)過程的物理過程較為復雜。

使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強迫關斷,。這就需要增加換向電路，不*使設備的體積重量增大,，而且會降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低,。目前，GTO已達到3000A,、4500V的容量,。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益,，βoff，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅,。

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件,，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷,，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源,，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感,、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路,，從而使裝置體積增大，成本增加,，而且系統(tǒng)更為復雜,、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構,，開通損耗大,，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍,。1970年代末,，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷,，標志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件,。當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞,。山西好的瑞士ABB晶閘管模塊銷售價格

當晶閘管承受正向陽極電壓時,，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。山西好的瑞士ABB晶閘管模塊銷售價格

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1,、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡,。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結溫也會使均壓性能受到影響,。[1]2、關斷電荷和開通時間等動態(tài)特性對動態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運行,，延遲時間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會導致閥片的開通適度不同,。閥片的開通速度不同，會引起動態(tài)電壓的不均衡,。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現(xiàn)象,。關斷電荷少，則易關斷,，關斷時間也短，先關斷的元件必然承受**高的動態(tài)電壓,。[1]晶閘管串聯(lián)技術的根本目的的是保證動,、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護,、動態(tài)和靜態(tài)均壓,、觸發(fā)一致性、反向恢復過電壓的抑制,、開通關斷緩沖等一系列問題,。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數(shù),，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值,，產(chǎn)品合格證上標有元件的實測數(shù)據(jù)。,。山西好的瑞士ABB晶閘管模塊銷售價格