微泰半導體閘閥具有諸多特點：首先，它已向中國臺灣的 Micron,、UMC、AKT 等,，新加坡的 Micron,、Global Foundries，馬來西亞的英菲尼亞半導體,，日本的 Micron,、三星半導體等眾多設(shè)備廠批量供貨，且品質(zhì)得到認可,，同時完成了對半導體 Utility 設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗證,。其次，該閘閥采用陶瓷球機構(gòu),，具有良好的抗沖擊和震動性能,，保證可使用 25 萬次，且檢修方便,，維護成本較低,。它無 Particle 產(chǎn)生，采用陶瓷球不會有腐蝕和顆粒產(chǎn)生,。此外,，它還具有屏蔽保護功能，閘閥閥體與擋板之間的距離小于 1mm,，能有效防止粉末侵入閥內(nèi),，壽命為半永久性。其保護環(huán)設(shè)計也很獨特,，Protecrion Ring 通過流速上升設(shè)計防止粉末凝固,，并通過打磨（研磨）工藝防止粉末堆積。微泰半導體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）,、Sputtering（濺射）,、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群,、卷對卷）,、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）,、Diffusion（擴散）,、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥,、VA T閘閥,。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供,。閘閥流動阻力小,。閥體內(nèi)部介質(zhì)通道是直通的，介質(zhì)成直線流動,，流動阻力小,。UHV閘閥三星半導體

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群,、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上,。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護閘閥：屏蔽1和2+保護環(huán)的3重隔離系統(tǒng),，還有步進電機閘閥和鋁閘閥,，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?響應(yīng)時間：0.2秒~3秒；三級預(yù)防閘閥,，三重防護閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能,；步進電機閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥,；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動?維護前可用次數(shù)：10萬次?響應(yīng)時間：0.2秒~3秒,；有中國臺灣Micron、UMC,、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron,、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，可替代HVA閘閥,、VAT閘閥,。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司,。UHV閘閥三星半導體高壓閘閥結(jié)構(gòu)簡單,，制造和維修比較方便。工作行程小，啟閉時間短,。密封性好,，密封面間磨擦力小，壽命較長,。

半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的解決方案,，真空插板閥品牌—微泰?？刂葡到y(tǒng)閥門是安裝在半導體? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群,、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備中的主要閥門?？刂葡到y(tǒng)閥門起到調(diào)節(jié)腔內(nèi)壓力的作用,，通過控制系統(tǒng)自動調(diào)節(jié)閘板的開啟和關(guān)閉。精確控制腔內(nèi)壓力的閥門分為三類：控制系統(tǒng)閘閥,、蝶閥,、多定位閘閥?？刂葡到y(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作，而多定位閘閥,、多位置閘閥使用氣動控制操作,。有中國臺灣Micron、UMC,、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron,、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。

微泰高壓閘閥可以應(yīng)用于多種設(shè)備,，如蒸發(fā),、濺射、金剛石生長,、PECV,、PVD集群、卷對卷,、涂層,、蝕刻、擴散和CVD等,。它具有陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒和易于維護等特點,，可替代VAT閘閥。該閥門的規(guī)格包括手動或氣動驅(qū)動方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸,、CF法蘭類型,、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM閥門密封,、氟橡膠O型圈閥蓋密封,、≤2秒響應(yīng)時間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar,，8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar,、≤30 mbar的開始時壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門差動壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門差動壓力,、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率,、250,000次維護前可用次數(shù)、閥體溫度≤200°,、機構(gòu)溫度≤80°C,、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅(qū)動器鋁6061陽極氧化,、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力,。此外，微泰高壓閘閥已在中國臺灣Micron,、UMC,、AKT、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron、三星半導體和其他設(shè)備上得到應(yīng)用,。如果您需要了解更多關(guān)于微泰高壓閘閥的信息,，請聯(lián)系上海安宇泰環(huán)保科技有限公司,。真空閘閥由一個滑動門或板組成,，可以移動以阻止或允許通過真空閥體，從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離,。

微泰,傳輸閥,、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥,、轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng),。它充當將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外,，它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化,，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持,。負責門控半導體晶圓轉(zhuǎn)移的傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥,、輸送閥,、轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型? Product Range : 32 x 222 / 46 x 236 ，50 x 336 / 56 x 500 ,，? Cycles of first service : 1,000,000 ? Response Time : 2sec ? Customer Specified Flanges ,，轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導體系統(tǒng)和隔離工藝室,。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動,，確保完美的腔室壓力維持,。它采用具有LM導向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機構(gòu),，保證高耐用性和長壽命,。二,、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造,，其特點是設(shè)計緊湊,，易于維護,。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動,，并且對溫度變化非常穩(wěn)定,，確保了較長的使用壽命。此外,，即使長時間使用柵極,，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染,。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力,。真空閘閥的設(shè)計具有獨特的特征,。它們具有堅固的結(jié)構(gòu)，通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件,。多位閘閥L型轉(zhuǎn)移閥

閘閥的結(jié)構(gòu)緊湊,，閥門剛性好，通道流暢,，流阻數(shù)小,，密封面采用不銹鋼和硬質(zhì)合金，使用壽命長,。UHV閘閥三星半導體

微泰半導體閘閥具有獨特的三重保護保護環(huán)機能：采用鋁質(zhì)材料,，減輕重量的同時提高保護環(huán)內(nèi)部粗糙度，有效防止工程副產(chǎn)物的堆積黏附,；通過提升保護環(huán)內(nèi)部流速設(shè)計,，且保護環(huán)逐步收窄,，進一步提升流速，防止粉塵黏附,；采用三元系 O 型圈,，確保保護環(huán)驅(qū)動穩(wěn)定，可保證 30 萬次驅(qū)動,。該閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）,、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）,、PECV,、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）,、Coating（涂層）,、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）,、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上,，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥,。此閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁HV閘閥三星半導體