2具體電路實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路,,降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源,,一般采用L-C濾波電路,。但是,大電流的濾波電抗器體積大,,重量重,,價格也較貴,因此,,在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計中仍采用大電容濾波,。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理,構(gòu)成一個閉環(huán)反饋系統(tǒng),。主要包括:調(diào)整管,,取樣電路,基準(zhǔn)電壓源,,誤差比較放大器,。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A,電流很大,,所以,,為減小調(diào)整管功耗,采用并聯(lián)形式,,在本電源中,,調(diào)整管用兩個大功率三極管并聯(lián),使每管流過電流為10A左右,。這樣,,每個管子的功耗不大于40W,減小了調(diào)整管功耗,。調(diào)整管集電極電流為10A左右,,因此應(yīng)采用大功率晶體三極管,選取β=40~50,,這樣,,基極電流應(yīng)達(dá)2×0.3A,即600mA,。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級,,不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調(diào)整管,因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間,,加入推動級,,此處選擇一個小功率三極管,構(gòu)成復(fù)合管的形式,。啟動電阻Rc取2k,。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中,,基準(zhǔn)源是整個穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考,,穩(wěn)壓的**終效果取決于基準(zhǔn)源的水平。因此,,該電源中,。當(dāng)采用遠(yuǎn)端溫度檢測器時,整流器/充電機(jī)應(yīng)自動調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓(一般按?5mv/只/℃),。南京可控硅銷售
5.光控晶閘管檢測用萬用表檢測小功率光控晶閘管時,,可將萬用表置于R×1檔,在黑表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,,測量兩引腳之間的正,、反向電阻值,正常時均應(yīng)為無窮大,。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口,,此時應(yīng)能測出一個較小的正向電阻值,但反向電阻值仍為無窮大,。在較小電阻值的一次測量中,,黑表筆接的是陽極A,紅表筆接的是陰極K,。也可用圖lO中電路對光控晶閘管進(jìn)行測量,。接通電源開關(guān)S,用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口,。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源,,只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器加上工作電壓即可,不用外加光源)后,,指示燈EL應(yīng)點亮,,撤離光源后指示燈EL應(yīng)維持發(fā)光。若接通電源開關(guān)S后(尚未加光源),,指示燈FL即點亮,,則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關(guān),、并加上觸發(fā)光源后,,指示燈EL仍不亮,在被測晶閘管電極連接正確的情況下,,則是該晶閘管內(nèi)部損壞,。若加上觸發(fā)光源后,,指示燈發(fā)光,但取消光源后指示燈即熄滅,,則說明該晶閘管觸發(fā)性能不良,。(1)判別各電極:根據(jù)BTG晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知,其陽極A,、陰極K之間和門極G,、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯(lián)的PN結(jié),,而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結(jié),。因此。南京可控硅銷售整流器可以由真空管,,引燃管,,固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管,汞弧等制成,。
1.判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,,則證明此腳為G極,,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2.判定源極S,、漏極D由圖1可見,,在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異,,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極,。3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)將G-S極短路,,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,,紅表筆接D極,,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同,,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,,大于(典型值),。4.檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,,紅表筆接S極,黑表筆接D極,,手持螺絲刀去碰觸柵極,,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,,管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項:(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管,。對于P溝道管,測量時應(yīng)交換表筆的位置,。(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,,本檢測方法中的1、2項不再適用,。(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,。
2)用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,,測量源極S與漏極D之間的電阻,,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,各種不同型號的管,,其電阻值是各不相同的),,如果測得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良,;如果測得阻值是無窮大,,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,,再測柵極G1與G2之間,、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,,當(dāng)測得其各項電阻值均為無窮大,,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,,則說明管是壞的,。要注意,若兩個柵極在管內(nèi)斷極,,可用元件代換法進(jìn)行檢測,。(3)用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,,給場效應(yīng)管加上V的電源電壓,,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極G,,將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上,。這樣,由于管的放大作用,,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化。調(diào)整器具有多種控制信號選擇,。
為G極加上正向觸發(fā)信號,,指示燈亮,說明晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通,。若將開關(guān)S斷開,,指示燈維持發(fā)光,則說明晶閘管的觸發(fā)能力正常,。若將開關(guān)s的K2觸點接通,,為G極加上反向觸發(fā)信號,指示燈熄滅,,則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常,。4.溫控晶閘管的檢測(1)判別各電極:溫控晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通晶閘管相似,因此也可以用判別普通晶閘管電極的方法來找出溫控晶閘管的各電極,。(2)性能檢測:溫控晶閘管的好壞也可以用萬用表大致測出來,,具體方法可參考普通晶閘管的檢測方法。圖9是溫控晶閘管的測試電路,。電路中,,R是分流電阻,用來設(shè)定晶閘管VT的開關(guān)溫度,,其阻值越小,,開關(guān)溫度設(shè)置值就越高。c為抗干擾電容,,可防止晶閘管vT誤觸發(fā),。HL為6.3v指示燈(小電珠),S為電源開關(guān),。接通電源開關(guān)s后,,晶閘管VT不導(dǎo)通,指示燈HL不亮,。用電吹風(fēng)“熱風(fēng)檔”給晶閘管VT加溫,,當(dāng)其溫度達(dá)到設(shè)定溫度值時,,指示燈亮,說明晶閘管VT已被觸發(fā)導(dǎo)通,。若再用電吹風(fēng)“冷風(fēng)”檔給晶閘管VT降溫(或待其自然冷卻)至一定溫度值時,,指示燈能熄滅,則說明該晶閘管性能良好,。若接通電源開關(guān)后指示燈即亮或給晶閘管加溫后指示燈不亮,,或給晶閘管降溫后指示燈不熄滅,則是被測晶閘管擊穿或性能不良,??煽毓栌|發(fā)板用于水泵、風(fēng)機(jī)等軟啟動控制,,調(diào)速節(jié)能控制等。南京可控硅銷售
可控硅觸發(fā)板現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成,。南京可控硅銷售
雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則,,通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè)。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區(qū)別的,,雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流,。
可控硅的作用之一就是可控整流,這也是可控硅**基本也**重要的作用,。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,,并沒有實現(xiàn)可控,而一旦把二極管換做可控硅,,便構(gòu)成了一個可控整流電路,。
在一個**基本的單相半波可控整流電路中,當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時,,只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時,,可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載上才會有電壓輸出,,因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間,,來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,達(dá)到可控整流的作用,。 南京可控硅銷售
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