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來源: 發(fā)布時間:2022-07-26

    5.光控晶閘管檢測用萬用表檢測小功率光控晶閘管時,可將萬用表置于R×1檔,,在黑表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,,測量兩引腳之間的正、反向電阻值,,正常時均應為無窮大,。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口,此時應能測出一個較小的正向電阻值,,但反向電阻值仍為無窮大,。在較小電阻值的一次測量中,黑表筆接的是陽極A,,紅表筆接的是陰極K,。也可用圖lO中電路對光控晶閘管進行測量。接通電源開關S,,用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口,。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源,只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導體激光器加上工作電壓即可,,不用外加光源)后,,指示燈EL應點亮,撤離光源后指示燈EL應維持發(fā)光,。若接通電源開關S后(尚未加光源),,指示燈FL即點亮,,則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關,、并加上觸發(fā)光源后,,指示燈EL仍不亮,在被測晶閘管電極連接正確的情況下,,則是該晶閘管內部損壞,。若加上觸發(fā)光源后,指示燈發(fā)光,,但取消光源后指示燈即熄滅,,則說明該晶閘管觸發(fā)性能不良。(1)判別各電極:根據BTG晶閘管的內部結構可知,,其陽極A,、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正,、反向串聯(lián)的PN結,,而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結。因此,。硅材料的禁帶寬度較大,,導熱性能良好,適于制作大功率整流器件,。南京可控硅直銷

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力,。電路中,vT為被測晶閘管,,HL為6.3V指示燈(手電筒中的小電珠),,GB為6V電源(可使用4節(jié)1.5V干電池或6V穩(wěn)壓電源),S為按鈕,,R為限流電阻,。當按鈕S未接通時,晶閘管VT處于阻斷狀態(tài),,指示燈HL不亮(若此時HL亮,,則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下,,為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓),,若指示燈HL一直點亮,則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好,。若指示燈亮度偏低,,則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右)。若按鈕S接通時,,指示燈亮,,而按鈕S斷開時,指示燈熄滅,,則說明晶閘管已損壞,,觸發(fā)性能不良。2.雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極:用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正,、反向電阻值,,若測得某一管腳與其他兩腳均不通,則此腳便是主電極T2,。找出T2極之后,,剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正,、反向電阻值,,會測得兩個均較小的電阻值,。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中,,黑表筆接的是主電極T1,紅表筆接的是門極G,。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2,,較細的引線端為門極G,較粗的引線端為主電極T1,。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2,。南京可控硅采購觸發(fā)板具有過流、缺相,、相序,、晶閘管過熱等多種保護功能。

    自由調節(jié)輸出負載的能力較好,。附圖說明圖1是本實用新型實施例相交流固態(tài)調壓器的電路示意圖,。具體實施方式下面結合附圖并通過實施例對本實用新型作進一步的詳細說明,以下實施例是對本實用新型的解釋而本實用新型并不局限于以下實施例,。參見圖1,,本實施例一種單相交流固態(tài)調壓器,其電路結構如下:整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端,,整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,,穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2,穩(wěn)壓二極管的負極連接電阻R4的另一端,、光耦OC的腳4,、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極,、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,,所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極,光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極,,光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,,NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發(fā)射極b1,,單結晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1,,變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1,變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,,變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,,所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。

    2)用測電阻法判別場效應管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極,、柵極與源極,、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,,各種不同型號的管,,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,,可能是由于內部接觸不良,;如果測得阻值是無窮大,可能是內部斷極,。然后把萬用表置于R×10k檔,,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值,,當測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的,;若測得上述各阻值太小或為通路,,則說明管是壞的。要注意,,若兩個柵極在管內斷極,,可用元件代換法進行檢測。(3)用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,,紅表筆接源極S,,黑表筆接漏極D,,給場效應管加上V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結型場效應管的柵極G,,將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣,,由于管的放大作用,,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,??煽毓栌|發(fā)板用于單相、三相電焊機控制,、電解電鍍控制等,。

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時具備兩個條件,分別是:控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零,,兩個條件缺其中任何一個都不能輸出觸發(fā)脈沖,。控制信號有效的較早周波檢測過零,,過零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖,,在以后的控制信號有效的時間段內持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。


性能特點

高可靠的可控硅電壓過零觸發(fā),,三相**控制,,脈沖隔離輸出,,安全可靠,。

有自同步功能,免去傳統(tǒng)可控硅電路認定同步和相序的麻煩,,使用與調試方便,。

適用于阻性負載、感性負載,、容性負載等類型,。

一體化結構,接線簡單,,互換性好,。

驅動能力強,每路可以輸出600毫安的電流,,6V觸發(fā)電壓,可以驅動4000A可控硅,。

工作可靠,有非常強的抗干擾能力,適用性強,,耐壓高,。


除了為負載供電外,整流器/充電機應能在10倍于放電時間的時間內,將蓄電池的放電功率恢復到95%,。南京可控硅采購

整流器/充電機應有蓄電池充電電流限流電路,,將蓄電池充電電流限制到UPS額定輸出容量(KW)的15%。南京可控硅直銷

    **交流電機調速器,、逆變器使用,。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊,內部有N溝道,、P溝道管各三只,,構成三相橋式結構。(4)現在市售VNF系列(N溝道)產品,,是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管,,其比較高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,,PDM=30W,,共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播,、通信設備中,。(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,,比較大功率才能達到30W。(6)多管并聯(lián)后,,由于極間電容和分布電容相應增加,,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,,并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。單向可控硅,、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅,。單向可控硅有陽極A,、陰極K、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有***陽極A1(T1),,第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳,。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,,方可被觸發(fā)導通。此時A,、K間呈低阻導通狀態(tài),,陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,。南京可控硅直銷

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