控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會用到繼電器,。繼電器是機械式觸點的電磁元器件,，可以實現(xiàn)弱電控制強電的目的,。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時,，會產(chǎn)生電弧腐蝕觸點,，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點的響應(yīng)時間在ms級別,，不適合用于高速通斷的回路中,。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實現(xiàn),。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件,，可以看作是由兩個三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示,?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A,、陰極K和控制極G,；雙向可控硅的三個電極分別為T1，T2以及控制G,?？煽毓璧脑趯?dǎo)通后，及時將控制信號去掉,，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài),。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅,。2可控硅控制回路的設(shè)計單片機控制可控硅回路的通斷時,，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計的可控硅控制電路如下圖所示,。單片機的輸出端接三極管的基極,，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載,。當(dāng)單片機輸出高電平時,，光耦導(dǎo)通，此時可控硅的控制極有觸發(fā)信號,，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件,。單片機輸出低電平時，光耦截止,。調(diào)整器具有恒電壓,、恒電流,、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。散熱可控硅銷售

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容,，和其他投切器相比,，該投切開關(guān)具有在投切時無涌流，無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率,。這些優(yōu)點是通過觸發(fā)電路,，晶閘管，二極管,，以及一些輔助電路實現(xiàn),。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅,，觸發(fā)電路,，吸收電路，散熱片,，以及冷卻裝置等元件組成,。出點電路在電壓過零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(DC12V)，進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷,。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號的輸出,，散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機的添加，改善了投切開關(guān)的散熱效果,。該裝置有內(nèi)置過溫保護(hù)開關(guān),，以及控制風(fēng)機自動運行的溫度開關(guān)，從而為安全的運行提供了良好的條件,。 晶閘管可控硅定做當(dāng)采用遠(yuǎn)端溫度檢測器時,，整流器/充電機應(yīng)自動調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。

    控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通,。

可控硅有三個極----陽極（A）,、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN 結(jié),，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。可控硅應(yīng)用時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。整流器***用于各種形式的整流電源中,。

    應(yīng)用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正,、反向電阻,，若正、反向電阻均接近無窮大,，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極,。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K,。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A，另一端為陰極K,。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A,，且多與自帶散熱片相連,。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正,、反向電阻,，正常時均應(yīng)為無窮大(∞)；若測得A,、K之間的正,、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電,。測量門極G與陰極K之間的正,、反向電阻值，正常時應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結(jié)果要較普通二極管的正,、反向電阻值小一些),，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ),。若兩次測量的電阻值均很大或均很小,，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路,。若正,、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效,。整流器的主要應(yīng)用是把交流電源轉(zhuǎn)為直流電源,。旋轉(zhuǎn)可控硅經(jīng)銷

調(diào)整器具有軟起動、軟關(guān)斷功能,，減少對電網(wǎng)的沖擊和干擾,，使主回路晶閘管更加安全可靠。散熱可控硅銷售

    關(guān)鍵詞：單相可控硅電力調(diào)整器well唯樂摘要：使用可控硅與它的觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元被稱為電力調(diào)整器,，電力調(diào)整器采用移相控制的方式,，它的調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種。***給大家說一說單相可控硅電力調(diào)整器的特點,。使用可控硅與它的觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元被稱為電力調(diào)整器，電力調(diào)整器采用移相控制的方式,，它的調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種,。***給大家說一說單相可控硅電力調(diào)整器的特點。單相交流調(diào)壓調(diào)功一體化技能電力調(diào)整器調(diào)壓使用移相控制辦法,，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種辦法,。其功用包含：上電緩起動、緩關(guān)斷,、散熱器超溫檢測保護(hù)等功用,。其特征：體積小，輸出起控點低,、電源頻率習(xí)氣規(guī)劃寬（可用于發(fā)電機電源）,，外形美麗，是一款經(jīng)濟(jì)型單相電力調(diào)整器,。系列單相調(diào)整器由控制板,、散熱單元、功率模塊,、外殼等組成,。控制板運用控制板,；散熱體系選用高.效散熱器,，對等體積下行進(jìn)30%的散熱功率,；低噪長壽命風(fēng)機，確保體系的牢靠,。該電力調(diào)整器與帶0-5V,、4-20mA的智能PID調(diào)節(jié)器或PLC配套運用；主要用與工業(yè)電爐的加熱控制,、負(fù)載類型可所以單相阻性負(fù)載,、單相理性負(fù)載及單相變壓器負(fù)載。散熱可控硅銷售

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