正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用,。VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn),尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù),,即在柵-源電壓不變的情況下,導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小,,故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象,。因此,VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用,。眾所周知,,傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上,,其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***,,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),;第二,具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,,所以ID不是沿芯片水平流動,,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),,***垂直向下到達(dá)漏極D,。電流方向如圖中箭頭所示,因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,,所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管,。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠,、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等,,典型產(chǎn)品有VN401,、VN672、VMPT2等,。下面介紹檢測VMOS管的方法,。如果把二極管換成可控硅,就可以構(gòu)成可控整流電路,。功率可控硅采購
讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1,,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2,,紅表筆接***陽極A1,,此時萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大,。再用短接線將A2,、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,,A2,、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2,、G間短接線,,萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?;Q紅,、黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,,黑表筆接***陽極A1,。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大,。用短接線將A2,、G極間再次瞬間短接,,給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓,A1,、A2間的阻值也是10歐姆左右,。隨后斷開A2、G極間短接線,,萬用表讀數(shù)應(yīng)不變,,保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律,,說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確,。檢測較大功率可控硅時,需要在萬用表黑筆中串接一節(jié),,以提高觸發(fā)電壓,。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法:先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值,阻值小的兩腳分別為控制極和陰極,,所剩的一腳為陽極,。再將萬用表置于R*10K擋,用手指捏住陽極和另一腳,,且不讓兩腳接觸,,黑表筆接陽極,紅表筆接剩下的一腳,,如表針向右擺動,,說明紅表筆所接為陰極,不擺動則為控制極,。功率可控硅采購調(diào)整器具有“自動限流”功能,,負(fù)載電流大于額定值時,調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右,。
**交流電機(jī)調(diào)速器,、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu),。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,,其比較高工作頻率fp=120MHz,,IDSM=1A,PDM=30W,,共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS,。適用于高速開關(guān)電路和廣播,、通信設(shè)備中。(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,比較大功率才能達(dá)到30W,。(6)多管并聯(lián)后,,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個,,而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅,。單向可控硅有陽極A、陰極K,、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有***陽極A1(T1),第二陽極A2(T2),、控制極G三個引出腳,。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,,方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),,陽極A與陰極K間壓降約1V,。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,。
自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好,。附圖說明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明,,以下實(shí)施例是對本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見圖1,,本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器,,其電路結(jié)構(gòu)如下:整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端,,整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,,穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2,,穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端,、光耦OC的腳4,、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2,、單向可控硅SCR1的A極,、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,,所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極,,光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極,光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,,NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端,,電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1,,單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1,變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1,,變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,,變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1,。鹽浴爐,、工頻感應(yīng)爐、淬火爐,、熔融玻璃的溫度加熱控制。
P3電位器調(diào)整,。調(diào)整范圍*電壓限制:板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制(選件):內(nèi)置電流變換器,,外接10KΩ電位器調(diào)整,。調(diào)整范圍20%~****過流報(bào)警(選件):內(nèi)置電流變換器,,板內(nèi)P2電位器調(diào)整,。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān),,常閉接點(diǎn)動作時間:<10ms*起動/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍:-30~+50℃濕度范圍:90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲溫度:-30~+60℃其它要求:通風(fēng)良好,,不受日光直射或熱輻射,,無腐蝕性,、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式,,垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼,,500VDC;**小控制板電源端與外殼,,500VDC;控制輸入端與外殼,,500VDC,;控制板輸入端與電源端,500VDC*介電強(qiáng)度:模塊輸出端與外殼之間,,2000VAC1分鐘,;控制電源端與外殼之間,2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器,,其**部件采用國外生產(chǎn)的高性能,、高可靠性的**級可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性,,且不隨環(huán)境溫度變化,,使用中不需要對脈沖對稱度及限位進(jìn)行調(diào)整。現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成,。整流器可以由真空管,,引燃管,固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管,,汞弧等制成,。功率可控硅采購
調(diào)整器具有軟起動,、軟關(guān)斷功能,減少對電網(wǎng)的沖擊和干擾,,使主回路晶閘管更加安全可靠。功率可控硅采購
采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測試電路板(PCB),,如圖5所示。圖6中所標(biāo)識的T2,、T1和G與圖5所示的相同,也類似于雙向可控硅的T2,、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號來測試,,所得結(jié)果如圖7所示,,在正或負(fù)觸發(fā)信號接入前電流表上的指示為0,當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值,。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通,。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時,,其測驗(yàn)結(jié)果如圖8所示,。示波器探針1接觸發(fā)信號,,探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓,。在觸發(fā)信號為0是,,T1-T2之間的電壓等于電源電壓值,,表明該電路沒有導(dǎo)通,,當(dāng)觸發(fā)信號脈沖到來時,T1-T2兩端的電壓值為0,,表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通,。4結(jié)束語在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上,設(shè)計(jì)了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路,。利用常用的對管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性,。在今后具體運(yùn)用過程中可以通過對此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來滿足具體的需求和設(shè)計(jì)要求。同時,。功率可控硅采購
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