門極關斷晶閘管的檢測1)判別各電極：門極關斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同,，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個電極,，其中一次為低阻值(幾百歐姆),，另一次阻值較大,。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K,，黑表筆接的是門極G,，剩下的一只引腳即為陽極A。觸發(fā)能力和關斷能力的檢測：可關斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測方法與普通晶閘管相同,。檢測門極關斷晶閘管的關斷能力時,，可先按檢測觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導通狀態(tài)，即用萬用表R×1檔,，黑表筆接陽極A,，紅表筆接陰極K，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路,，給G極加上正向觸發(fā)信號時,，晶閘管被觸發(fā)導通，其A,、K極間電阻值由無窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài),。斷開A極與G極的短路點后，晶閘管維持低阻導通狀態(tài),，說明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發(fā)信號,，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o窮大,，則說明晶閘管的關斷能力正常，圖7是關斷能力的檢測示意圖,。也可以電路來檢測門極關斷晶閘管的觸發(fā)能力和關斷能力,。電路中，EL為6．3V指示燈(小電珠),，S為轉換開關,，VT為被測晶閘管。當開關S關斷時,，晶閘管不導通,，指示燈不亮。將開關S的K1觸點接通時,。 當采用遠端溫度檢測器時,，整流器/充電機應自動調節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。多路可控硅經(jīng)銷

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）,、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用,。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點,，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下,，導通電流會隨管溫升高而減小,，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此,，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用,。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極,、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***,，金屬柵極采用V型槽結構,；第二，具有垂直導電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā),，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,，因為流通截面積增大,，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管,。國內生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠,、杭州電子管廠等,，典型產(chǎn)品有VN401、VN672,、VMPT2等,。下面介紹檢測VMOS管的方法。無錫可控硅定做業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制,。

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力,。電路中，vT為被測晶閘管,，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠),，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕,，R為限流電阻,。當按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài),，指示燈HL不亮(若此時HL亮,，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下,，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓),，若指示燈HL一直點亮，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好,。若指示燈亮度偏低,，則表明晶閘管性能不良,、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右)。若按鈕S接通時,，指示燈亮,，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅,，則說明晶閘管已損壞,，觸發(fā)性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正,、反向電阻值,，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2,。找出T2極之后,，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正,、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值,。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中,，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G,。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2,，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1,。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2,。

    場效應管檢測一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個電極,，分別測出其正、反向電阻值,。當某兩個電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時,，則該兩個電極分別是漏極D和源極S,。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換,，剩下的電極肯定是柵極Ｇ,。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值,。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時,，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大,，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻,，可以判定是Ｎ溝道場效應管,，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小,，說明是正向ＰＮ結,，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管,，黑表筆接的也是柵極,。若不出現(xiàn)上述情況，可以調換黑,、紅表筆按上述方法進行測試,，直到判別出柵極為止。,。鹽浴爐,、工頻感應爐、淬火爐,、熔融玻璃的溫度加熱控制,。

    **交流電機調速器、逆變器使用,。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,，內部有N溝道、P溝道管各三只,，構成三相橋式結構,。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管,，其比較高工作頻率fp=120MHz,，IDSM=1A，PDM=30W,，共源小信號低頻跨導gm=2000μS,。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中,。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W,。（6）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅,。單向可控硅有陽極A、陰極K,、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）,、控制極G三個引出腳,。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,，方可被觸發(fā)導通。此時A,、K間呈低阻導通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,。調整器具有恒電壓、恒電流,、恒功率三種反饋形式供用戶選擇,。南通通用可控硅

可控硅觸發(fā)板用于水泵、風機等軟啟動控制,，調速節(jié)能控制等,。多路可控硅經(jīng)銷

    10ms內截止輸出過熱保護主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護輸入電源相序錯誤報警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術可控硅調壓器采用移相觸發(fā)控制方式,，輸出電壓,、電流或功率連續(xù)可調，具有恒電壓,、恒電流或恒功率的特性,。三相晶閘管閉環(huán)技術觸發(fā)板的原理框圖,，其控制原理為一個典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內環(huán),，電壓環(huán)為外環(huán)?，F(xiàn)以調壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調節(jié)過程如下：給定信號(Ug),、電壓反饋信號(Uf),、電流反饋信號(If)當由于某種原因使調壓器輸出電壓降低時(如電網(wǎng)電壓降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→調壓器輸出電壓U↑***達到Uf與Ug相互平衡，調壓器輸出穩(wěn)定電壓,。,。圖2-1恒電壓原理框圖電流環(huán)作用是，在突加負載或負載電流超過限流值時,，限制調壓器的輸出電流在額定電流范圍內,，確保輸出和調壓器正常工作。其調節(jié)過程如下：U0恒定,，負載電流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→調壓器輸出電壓U↓——If↓,；同時電壓環(huán)也參與調節(jié)，使調壓器的輸出電流被限制在額定電流范圍內,。多路可控硅經(jīng)銷

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