雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則,，通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè),。雙向晶閘管的兩個(gè)主電極T1和T2還是有區(qū)別的，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對(duì)與T1與G之間的電流,。

可控硅的作用之一就是可控整流,，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,，并沒有實(shí)現(xiàn)可控,，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路,。

 在一個(gè)**基本的單相半波可控整流電路中,，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí)，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí)，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時(shí)間,，來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,，達(dá)到可控整流的作用。 在雙變換UPS中,，此裝置既為逆變器供電,，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機(jī),。山東可控硅訂制

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來投切電容,，和其他投切器相比，該投切開關(guān)具有在投切時(shí)無涌流,，無接觸噪聲以及很高的開關(guān)頻率,。這些優(yōu)點(diǎn)是通過觸發(fā)電路，晶閘管,，二極管,，以及一些輔助電路實(shí)現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場(chǎng)合,。組成單元該投切器主要有雙向可控硅,，觸發(fā)電路，吸收電路,，散熱片,，以及冷卻裝置等元件組成。出點(diǎn)電路在電壓過零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(hào)(DC12V),，進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷,。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號(hào)的輸出，散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加,，改善了投切開關(guān)的散熱效果,。該裝置有內(nèi)置過溫保護(hù)開關(guān)，以及控制風(fēng)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行的溫度開關(guān),，從而為安全的運(yùn)行提供了良好的條件,。 單相整流可控硅貨源在自動(dòng)化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長(zhǎng),。

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的**小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過來，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通。

    采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測(cè)試電路板(PCB),，如圖5所示,。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同,，也類似于雙向可控硅的T2,、T1和G三個(gè)接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來測(cè)試,，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0,，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值,。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí),，其測(cè)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示,。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào)，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓,。在觸發(fā)信號(hào)為0是,，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導(dǎo)通,，當(dāng)觸發(fā)信號(hào)脈沖到來時(shí),，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通,。4結(jié)束語在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上,，設(shè)計(jì)了一款以7個(gè)三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對(duì)管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性,。在今后具體運(yùn)用過程中可以通過對(duì)此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來滿足具體的需求和設(shè)計(jì)要求,。同時(shí)。一臺(tái)儀表可以同時(shí)控制多臺(tái)觸發(fā)板,。

KY3型電力調(diào)整器采用了新設(shè)計(jì)的KY3-T6S控制板,。KY3-T6S控制板是運(yùn)用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實(shí)現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。調(diào)壓采用移相控制方式,，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式,。該控制板帶有控制信號(hào)自由輸入、同步電路,、自動(dòng)判別相位,、缺相保護(hù)、上電緩起動(dòng),、緩關(guān)斷,、散熱器超溫檢測(cè)、恒流恒壓輸出、電流限制,、短路保護(hù),、過流保護(hù)、負(fù)載斷線檢測(cè),、LED數(shù)碼管顯示,、MODBUS通訊（硬件接口是RS485）、PROFIBUS通訊,、以太網(wǎng)CAN通訊等功能,。

該電力調(diào)整器可與帶0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID調(diào)節(jié)器或PLC配套使用,，也可**使用手動(dòng)功能,。KY3-T6S電力調(diào)整器的負(fù)載類型可以是三相阻性負(fù)載、感性負(fù)載及變壓器負(fù)載,；負(fù)載方式可以是星形中心接地負(fù)載,、星形中心不接地負(fù)載、三角形負(fù)載,。KY3可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電爐的加熱控制,、冶金、化工,、紡織機(jī)械,、電解電鍍等領(lǐng)域。 調(diào)整器具有軟起動(dòng),、軟關(guān)斷功能,，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠,。逆導(dǎo)可控硅采購

整流器可以由真空管,，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管,，汞弧等制成,。山東可控硅訂制

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）,、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn),，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù),，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小,，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象,。因此,，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知,，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng),。VMOS管則不同,，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；第二,，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，***垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠,、杭州電子管廠等,，典型產(chǎn)品有VN401、VN672,、VMPT2等,。下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法。山東可控硅訂制

上海凱月電子科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景,、信譽(yù)可靠,、勵(lì)精圖治、展望未來,、有夢(mèng)想有目標(biāo),，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明,，攜手共畫藍(lán)圖,，在上海市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑,，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),，也希望未來公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**上海凱月電子科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來,，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針,，員工精誠努力,，協(xié)同奮取，以品質(zhì),、服務(wù)來贏得市場(chǎng),，我們一直在路上！