固態(tài)繼電器（過(guò)零觸發(fā)電路）MOC3061實(shí)物圖：電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器,，也屬于光電耦合器的一種,，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用,，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻,，防止誤觸發(fā),，提高抗干擾能力,。當(dāng)單片機(jī)80C51的，MOC3061導(dǎo)通,，觸發(fā)BCR導(dǎo)通,，接通交流負(fù)載。另外,，若雙向可控硅接感**流負(fù)載時(shí),，由于電源電壓超前負(fù)載電流一個(gè)相位角，因此,，當(dāng)負(fù)載電流為零時(shí),，電源電壓為反向電壓，加上感性負(fù)載自感電動(dòng)勢(shì)el作用,，使得雙向可控硅承受的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)電源電壓,。雖然雙向可控硅反向?qū)?，但容易擊穿,，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個(gè)RC阻容吸收電路,，實(shí)現(xiàn)雙向可控硅過(guò)電壓保護(hù),，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路,。樣鑒別測(cè)試可控硅的好壞,？鑒別可控硅三個(gè)極分別是什么？具體的方法和步驟如下：鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）,?？煽毓栌|發(fā)板用于水泵、風(fēng)機(jī)等軟啟動(dòng)控制,，調(diào)速節(jié)能控制等,。蘇州電子可控硅

    **交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用,。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu),。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品,，是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管，其比較高工作頻率fp=120MHz,，IDSM=1A,，PDM=30W，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS,。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播,、通信設(shè)備中。（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達(dá)到30W,。（6）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞,，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。單向可控硅、雙向可控硅檢測(cè)可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅,。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K,、控制極G三個(gè)引出腳,。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）,、控制極G三個(gè)引出腳,。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),，方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V,。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,。蘇州電子可控硅在以大功率二極管或晶閘管為基礎(chǔ)的兩種基本類型的整流器中,，電網(wǎng)的高壓交流功率通過(guò)整流器變換為直流功率。

    應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極，直到找出三個(gè)電極為止,。也可以測(cè)任兩腳之間的正,、反向電阻，若正,、反向電阻均接近無(wú)窮大,，則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K，而另一腳即為門極G,。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來(lái)判斷出各電極,。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A，較細(xì)的引線端為門極G,，較粗的引線端為陰極K,。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽(yáng)極A,，另一端為陰極K,。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽(yáng)極A,。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極A,，且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列,。(2)判斷其好壞：用萬(wàn)用表R×1kΩ檔測(cè)量普通晶閘管陽(yáng)極A與陰極K之間的正,、反向電阻,，正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大(∞),；若測(cè)得A、K之間的正,、反向電阻值為零或阻值均較小,，則說(shuō)明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測(cè)量門極G與陰極K之間的正,、反向電阻值,，正常時(shí)應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實(shí)際測(cè)量結(jié)果要較普通二極管的正,、反向電阻值小一些),，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ),。若兩次測(cè)量的電阻值均很大或均很小,，則說(shuō)明該晶閘管G、K極之間開(kāi)路或短路,。若正,、反電阻值均相等或接近，則說(shuō)明該晶閘管已失效,。

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后,，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1,、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同,。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí),，其工作過(guò)原理如圖4所示，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通,，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài),。雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫(xiě)，其意思是三端交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),，目前主要用于對(duì)交流電源的控制,，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7],。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極,，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極,，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù),。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極,，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正,、負(fù)極。2類雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后,，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來(lái)設(shè)計(jì)一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路,。如圖5所示，電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成,。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出,，與圖3-a、b比較很是相似,。在圖5所示電路中,，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。除了為負(fù)載供電外,，整流器/充電機(jī)應(yīng)能在10倍于放電時(shí)間的時(shí)間內(nèi),，將蓄電池的放電功率恢復(fù)到95%。

    只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過(guò)零）時(shí),，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài),，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的檢測(cè),。萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋,，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳,，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G,，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A,。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A,，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng),。三相恒壓|恒流|恒功率晶閘管功率控制器是移相觸發(fā)型的晶閘管電力控制器。蘇州電子可控硅

隔離開(kāi)關(guān)應(yīng)能同時(shí)提供滿足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流,，并能承受較大的短路電流,。蘇州電子可控硅

    也可以用圖4中的測(cè)試電路測(cè)試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中,，vT為被測(cè)晶閘管,，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源),，S為按鈕,，R為限流電阻。當(dāng)按鈕S未接通時(shí)，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài),，指示燈HL不亮(若此時(shí)HL亮,，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S后(使S接通一下,，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓),，若指示燈HL一直點(diǎn)亮，則說(shuō)明晶閘管的觸發(fā)能力良好,。若指示燈亮度偏低,，則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時(shí)導(dǎo)通壓降應(yīng)為1v左右),。若按鈕S接通時(shí),，指示燈亮，而按鈕S斷開(kāi)時(shí),，指示燈熄滅,，則說(shuō)明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良,。2．雙向晶閘管的檢測(cè)(1)判別各電極：用萬(wàn)用表R×1或R×10檔分別測(cè)量雙向晶閘管三個(gè)引腳間的正,、反向電阻值，若測(cè)得某一管腳與其他兩腳均不通,，則此腳便是主電極T2,。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3,。測(cè)量這兩腳之間的正,、反向電阻值，會(huì)測(cè)得兩個(gè)均較小的電阻值,。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測(cè)量中,，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G,。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2,，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1,。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2,。蘇州電子可控硅

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