固態(tài)繼電器（過零觸發(fā)電路）MOC3061實物圖：電路如圖3所示,，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅動器，也屬于光電耦合器的一種,，用來驅動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用,，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻,，防止誤觸發(fā),，提高抗干擾能力。當單片機80C51的,，MOC3061導通,，觸發(fā)BCR導通，接通交流負載,。另外,，若雙向可控硅接感**流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角,，因此,，當負載電流為零時，電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el作用,，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向導通,，但容易擊穿,，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個RC阻容吸收電路,，實現(xiàn)雙向可控硅過電壓保護,，圖3中的C2,、R8為RC阻容吸收電路,。樣鑒別測試可控硅的好壞,？鑒別可控硅三個極分別是什么？具體的方法和步驟如下：鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）,?？煽毓栌|發(fā)板用于水泵、風機等軟啟動控制,，調速節(jié)能控制等,。蘇州電子可控硅

    **交流電機調速器、逆變器使用,。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,，內部有N溝道、P溝道管各三只,，構成三相橋式結構,。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管,，其比較高工作頻率fp=120MHz,，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS,。適用于高速開關電路和廣播,、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W,。（6）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅,、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A,、陰極K,、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1）,，第二陽極A2（T2）,、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,，方可被觸發(fā)導通。此時A,、K間呈低阻導通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,。蘇州電子可控硅在以大功率二極管或晶閘管為基礎的兩種基本類型的整流器中，電網(wǎng)的高壓交流功率通過整流器變換為直流功率,。

    應用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正,、反向電阻,，若正,、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G,。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細的引線端為門極G,，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A,，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A,。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連,。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列,。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻,，正常時均應為無窮大(∞),；若測得A、K之間的正,、反向電阻值為零或阻值均較小,，則說明晶閘管內部擊穿短路或漏電。測量門極G與陰極K之間的正,、反向電阻值,，正常時應有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結果要較普通二極管的正,、反向電阻值小一些),，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ),。若兩次測量的電阻值均很大或均很小,，則說明該晶閘管G,、K極之間開路或短路,。若正、反電阻值均相等或接近,，則說明該晶閘管已失效,。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1,、T2所接電源負極而言）,，其工作原理如前面單向可控硅完全相同,。當G極接負觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示,，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導通,，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫,，其意思是三端交流半導體開關,，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現(xiàn)在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導通和保持導通,，直到所接電源撤出或反向[6][7],。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的正,。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極,，G觸發(fā)信號Vg的負。第三,、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極,，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負極,。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后,，依據(jù)其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示,，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成,。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a,、b比較很是相似,。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向,。除了為負載供電外,，整流器/充電機應能在10倍于放電時間的時間內，將蓄電池的放電功率恢復到95%,。

    只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時,，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點開關,。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài),。此時A1、A2間壓降也約為1V,。雙向可控硅一旦導通,，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài),。只有當***陽極A1,、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1,、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通,。單向可控硅的檢測,。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅,、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K,，另一空腳為陽極A,。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K,。此時萬用表指針應不動,。三相恒壓|恒流|恒功率晶閘管功率控制器是移相觸發(fā)型的晶閘管電力控制器。蘇州電子可控硅

隔離開關應能同時提供滿足負載的電流和蓄電池的再充電電流,，并能承受較大的短路電流,。蘇州電子可控硅

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中,，vT為被測晶閘管,，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源),，S為按鈕,，R為限流電阻。當按鈕S未接通時,，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài),，指示燈HL不亮(若此時HL亮,，則是vT擊穿或漏電損壞),。按動一下按鈕S后(使S接通一下,，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點亮,，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好,。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良,、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右),。若按鈕S接通時，指示燈亮,，而按鈕S斷開時,，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞,，觸發(fā)性能不良,。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值,，若測得某一管腳與其他兩腳均不通,，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后,，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3,。測量這兩腳之間的正、反向電阻值,，會測得兩個均較小的電阻值,。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1,，紅表筆接的是門極G,。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G,，較粗的引線端為主電極T1,。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。蘇州電子可控硅

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