控制交流電斷電的器件主要有兩種：繼電器和雙向可控硅題主說不用繼電器，那么我們可以用雙向可控硅了,，繼電器是通過觸點(diǎn)的閉合和斷開實(shí)現(xiàn)機(jī)械式的通斷,；雙向可控硅是電子式的通斷控制，不止可以實(shí)現(xiàn)高速的通斷控制,，還可以進(jìn)行功率控制,，比繼電器更加靈活。雙向可控硅怎么驅(qū)動控制220V交流電的通斷,？因?yàn)殡p向可控硅兩個方向都是可以導(dǎo)通的,，所以就不區(qū)分陽級和陰極了,，把它叫它T1極和T2極,。我們只要在它的G極注入正向電壓就可以讓它導(dǎo)通了當(dāng)然我們需要設(shè)計一個驅(qū)動電路來驅(qū)動雙向可控硅工作,，為了更加安全,，我們可以用光耦進(jìn)行高低壓隔離驅(qū)動,。當(dāng)DR為高電平時,，Q2導(dǎo)通,，U2會觸發(fā)雙向可控硅Q1導(dǎo)通,，使馬達(dá)工作,。雙向可控硅怎么驅(qū)動控制220V交流器件的功率,？我們平常使用的是正弦波形的交流電只要我們想辦法控制雙向可控壓的導(dǎo)通時間，就可以實(shí)現(xiàn)功率控制了,，比如正半周的時候1/4T~1/2T導(dǎo)通,，負(fù)半周的時候3/4T~T的時候?qū)ā＿@樣是不是只剩下一半的功率了,？如果想通過雙向可控硅來實(shí)現(xiàn)功率控制,，比如馬達(dá)轉(zhuǎn)速，燈光亮度，加熱功率等的控制,，還需要用到過零檢測電路,。檢測到零點(diǎn)后，根據(jù)功率要求,，讓雙向可控硅延時導(dǎo)通就可以了,。在以大功率二極管或晶閘管為基礎(chǔ)的兩種基本類型的整流器中，電網(wǎng)的高壓交流功率通過整流器變換為直流功率,。南京可控硅芯片廠家

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用,。VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù),，即在柵-源電壓不變的情況下,，導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象,。因此,，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用,。眾所周知,，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***,，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；第二，具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā),，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，***垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管,。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等,，典型產(chǎn)品有VN401,、VN672、VMPT2等,。下面介紹檢測VMOS管的方法,。江西可控硅采購廠家 可控硅調(diào)整器具有軟啟動功能，減少對電網(wǎng)的沖擊干擾,，使主電路更加安全可靠,。

   門極關(guān)斷晶閘管的檢測1)判別各電極：門極關(guān)斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬用表的R×100檔,，找出具有二極管特性的兩個電極,，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大,。在阻值小的那一次測量中,，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G,，剩下的一只引腳即為陽極A,。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測：可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測方法與普通晶閘管相同。檢測門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時,，可先按檢測觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài),，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A,，紅表筆接陰極K,，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路,，給G極加上正向觸發(fā)信號時,，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通，其A,、K極間電阻值由無窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài),。斷開A極與G極的短路點(diǎn)后，晶閘管維持低阻導(dǎo)通狀態(tài),，說明其觸發(fā)能力正常,。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發(fā)信號，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o窮大,，則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常,，圖7是關(guān)斷能力的檢測示意圖。也可以電路來檢測門極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,。電路中,，EL為6．3V指示燈(小電珠),，S為轉(zhuǎn)換開關(guān)，VT為被測晶閘管,。當(dāng)開關(guān)S關(guān)斷時,，晶閘管不導(dǎo)通，指示燈不亮,。將開關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時,。

    焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時,，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。（5）在安裝場效應(yīng)管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因?yàn)楣β市蛨鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,?？傊?，確保場效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣,，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者,，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場效應(yīng)管,。三.VMOS場效應(yīng)管VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高.效,、功率開關(guān)器件,。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動電流小（μA左右）,，還具有耐壓高（比較高1200V）,、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）,、跨導(dǎo)的線性好,、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。整流器是一個整流裝置,，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置,。

    自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好。附圖說明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖,。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明,，以下實(shí)施例是對本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見圖1,，本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器,，其電路結(jié)構(gòu)如下：整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,，穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2,，穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4,、NPN三極管T1的集電極,、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極,、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極,，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1,，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1,，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。在自動化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其***特點(diǎn)是無噪音,壽命長,。南京可控硅芯片廠家

調(diào)整器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路為**的電源功率控制電器,。南京可控硅芯片廠家

KY3型電力調(diào)整器采用了新設(shè)計的KY3-T6S控制板,。KY3-T6S控制板是運(yùn)用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實(shí)現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功,。調(diào)壓采用移相控制方式，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式,。該控制板帶有控制信號自由輸入,、同步電路、自動判別相位,、缺相保護(hù),、上電緩起動、緩關(guān)斷,、散熱器超溫檢測,、恒流恒壓輸出、電流限制,、短路保護(hù),、過流保護(hù)、負(fù)載斷線檢測,、LED數(shù)碼管顯示,、MODBUS通訊（硬件接口是RS485）、PROFIBUS通訊,、以太網(wǎng)CAN通訊等功能,。

該電力調(diào)整器可與帶0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID調(diào)節(jié)器或PLC配套使用,，也可**使用手動功能,。KY3-T6S電力調(diào)整器的負(fù)載類型可以是三相阻性負(fù)載、感性負(fù)載及變壓器負(fù)載,；負(fù)載方式可以是星形中心接地負(fù)載,、星形中心不接地負(fù)載、三角形負(fù)載,。KY3可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電爐的加熱控制,、冶金、化工,、紡織機(jī)械,、電解電鍍等領(lǐng)域,。 南京可控硅芯片廠家

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