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上海單相整流可控硅

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-08

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍),、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn),,尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù),即在柵-源電壓不變的情況下,,導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小,,故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此,,VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用,。眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上,,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,,從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***,,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,,具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),,經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),***垂直向下到達(dá)漏極D,。電流方向如圖中箭頭所示,,因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠,、天津半導(dǎo)體器件四廠,、杭州電子管廠等,,典型產(chǎn)品有VN401、VN672,、VMPT2等,。下面介紹檢測VMOS管的方法。在雙變換UPS中,,此裝置既為逆變器供電,,又給蓄電池充電,故稱為整流器/充電機(jī),。上海單相整流可控硅

    讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1,,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2,,紅表筆接***陽極A1,,此時(shí)萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大,。再用短接線將A2,、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,,A2,、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2,、G間短接線,,萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?;Q紅,、黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,,黑表筆接***陽極A1,。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無窮大,。用短接線將A2,、G極間再次瞬間短接,給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓,,A1,、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2,、G極間短接線,,萬用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持在10歐姆左右,。符合以上規(guī)律,,說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確,。檢測較大功率可控硅時(shí),需要在萬用表黑筆中串接一節(jié),,以提高觸發(fā)電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法:先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值,,阻值小的兩腳分別為控制極和陰極,,所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋,,用手指捏住陽極和另一腳,,且不讓兩腳接觸,黑表筆接陽極,,紅表筆接剩下的一腳,,如表針向右擺動,說明紅表筆所接為陰極,,不擺動則為控制極,。上海單相整流可控硅整流器常用的冷卻方式有自然冷卻、純風(fēng)扇冷卻,、自然冷卻和風(fēng)扇冷卻相結(jié)合三種,。

    若在晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開G極,T2,、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o窮大,,則說明該雙向晶閘管性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正(或負(fù))極性觸發(fā)信號后,,晶閘管仍不導(dǎo)通(T1與T2間的正,、反向電阻值仍為無窮大),則說明該晶閘管已損壞,,無觸發(fā)導(dǎo)通能力,。對于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管,,在測量其觸發(fā)能力時(shí),,可先在萬用表的某支表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,然后再用R×1檔按上述方法測量,。對于耐壓為400V以上的雙向晶閘管,,也可以用220V交流電壓來測試其觸發(fā)能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測試電路,。電路中,,F(xiàn)L為60W/220V白熾燈泡,VT為被測雙向晶閘管,,R為100Ω限流電阻,,S為按鈕,。將電源插頭接入市電后,雙向晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài),,燈泡不亮(若此時(shí)燈泡正常發(fā)光,,則說明被測晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路,;若燈泡微亮,,則說明被測晶閘管漏電損壞)。按動一下按鈕S,,為晶閘管的門極G提供觸發(fā)電壓信號,,正常時(shí)晶閘管應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通,燈泡正常發(fā)光,。若燈泡不能發(fā)光,,則說明被測晶閘管內(nèi)部開路損壞。若按動按鈕s時(shí)燈泡點(diǎn)亮,,松手后燈泡又熄滅,,則表明被測晶閘管的觸發(fā)性能不良。

    1.判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,,因?yàn)樗土硗鈨蓚€管腳是絕緣的,。2.判定源極S、漏極D由圖1可見,,在源-漏之間有一個PN結(jié),,因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,,可識別S極與D極,。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,,此時(shí)黑表筆的是S極,,紅表筆接D極。3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)將G-S極短路,,選擇萬用表的R×1檔,,黑表筆接S極,紅表筆接D極,,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,,RDS(on)=,,大于(典型值)。4.檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,,紅表筆接S極,,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),,偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高,。注意事項(xiàng):(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管,。對于P溝道管,,測量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,,本檢測方法中的1,、2項(xiàng)不再適用。(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,。調(diào)整器是一種以可控硅(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),,以智能數(shù)字控制電路為**的電源功率控制電器。

    場效應(yīng)管檢測一,、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極,。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,,任選兩個電極,分別測出其正,、反向電阻值,。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等,,且為幾千歐姆時(shí),,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言,,漏極和源極可互換,,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,,另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,,測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,,其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向,,即都是反向電阻,,可以判定是N溝道場效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極,;若兩次測出的電阻值均很小,,說明是正向PN結(jié),即是正向電阻,,判定為P溝道場效應(yīng)管,,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,,可以調(diào)換黑,、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試,直到判別出柵極為止,。,。整流器/充電機(jī)應(yīng)有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。上海單相整流可控硅

為了減小器件因過壓擊穿造成損壞的可能性和提高整流裝置的可靠性,,可采用硅雪崩整流器,。上海單相整流可控硅

    只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止,,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),,用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,,無論所加電壓極性是正向還是反向,,只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,,即使失去觸發(fā)電壓,,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1、第二陽極A2電流減小,,小于維持電流或A1,、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí),雙向可控硅才截?cái)?,此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋,,用紅,、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G,,紅表筆的引腳為陰極K,,另一空腳為陽極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A,,紅表筆仍接陰極K,。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動。上海單相整流可控硅

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